東方晶源深耕電子束量測檢測核心技術 “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機”

電子束量測檢測設備是芯片制造裝備中除光刻機之外技術難度最高的設備類別之一，深度參與光刻環(huán)節(jié)、對制程節(jié)點敏感并且對最終產(chǎn)線良率起到至關重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學系統(tǒng)（ElectronOpticalSystem，簡稱EOS），決定設備的成像精度和質(zhì)量，進而決定設備的性能。

作為電子束量測檢測領域的先行者、領跑者，東方晶源始終堅持自主研發(fā)，不斷深化研發(fā)投入、加速技術創(chuàng)新步伐，致力于為客戶帶來更加卓越的產(chǎn)品。日前，東方晶源自主研發(fā)的新一代EOS“三箭齊發(fā)”，取得突破性成果，成功搭載到旗下電子束缺陷復檢設備（DR-SEM）、關鍵尺寸量測設備（CD-SEM）、電子束缺陷檢測設備（EBI），率先實現(xiàn)國產(chǎn)EOS在高端量測檢測領域的應用，助力產(chǎn)品性能實現(xiàn)進一步攀升的同時，為國產(chǎn)電子束量測檢測技術的發(fā)展進一步夯實了基礎。

新一代DR-SEM EOS：多場景 高精度
DR-SEM是一款基于超高分辨率電子束成像技術對缺陷進行復檢分析的設備，包括形貌分析、成分分析等，因此其搭載的EOS需要高分辨、高速的自動化復檢能力，并提供多樣化的信號表征手段。

東方晶源新一代DR-SEM EOS采用適配自研多通道高速探測器、支持多信號類型分析檢測的電子光學設計方案，兼容EDX成分分析功能，能夠覆蓋廣泛的缺陷復檢應用場景。此外，新一代DR-SEM EOS搭配高精度定位技術，檢測精度和速度可以匹配業(yè)界主流水準。

新一代CD-SEM EOS：高精度 高速度
CD-SEM作為產(chǎn)線量測的基準設備，對EOS的核心技術需求在于高分辨、高產(chǎn)能（Throughput）和高穩(wěn)定性。東方晶源新一代CD-SEM EOS為實現(xiàn)高成像分辨率和高量測精度，采用球色差優(yōu)化的物鏡、像差補償技術、自動校正技術等新方案，目前已達到業(yè)界一流水平。同時，自研探測器針對頻響和信噪比優(yōu)化，支持快速圖像采集，結(jié)合高速AFC技術，可以在不損失精度的情況下大幅提升量測產(chǎn)能。新的技術方案確保了更穩(wěn)定、一致的產(chǎn)品表現(xiàn)。通過上述各方面的技術突破，新一代CD-SEM EOS在性能和穩(wěn)定性上取得大幅提升。

新一代EBI EOS：多場景 高速度
針對國內(nèi)領先的邏輯與存儲客戶產(chǎn)線檢測需求，EBI EOS要在保證檢測精度的前提下，重點提升檢測速度。東方晶源最新研發(fā)的EBI EOS通過四大技術手段在檢測精度和速度上進行了顯著的優(yōu)化與提升。（1）超大束流的電子束預掃描技術和大范圍電子產(chǎn)率調(diào)節(jié)技術，滿足不同產(chǎn)品多樣化檢測需求；（2）兼容步進式和連續(xù)式掃描模式，提供具有競爭力的產(chǎn)能指標；（3）采用業(yè)界領先的高速大束流檢測方案，采樣速率達到行業(yè)先進水平；（4）浸沒式電子槍，支持更大的束流調(diào)節(jié)范圍。

隨著半導體工藝水平的飛速發(fā)展，電子束在線量測檢測越來越重要，設備的產(chǎn)能必須有質(zhì)的飛躍才能滿足這一需求。更高的成像速率或多電子束并行檢測技術就是業(yè)界競相攻克的焦點。東方晶源在高速成像和多電子束技術均已取得重要突破，實現(xiàn)了相關技術的原理驗證。未來，東方晶源將不斷進行技術深耕，將關鍵核心技術牢牢掌握在自己手中，以更加卓越的技術和產(chǎn)品引領電子束量測檢測領域的發(fā)展，解決客戶痛點問題，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進步貢獻更多力量。