近日,羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布其第四代SiC MOSFET成功應(yīng)用于吉利電動車品牌極氪的三款車型中,標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入了一個新的發(fā)展階段。這項(xiàng)合作不僅展示了羅姆在SiC技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新,也為電動汽車行業(yè)提供了更高效的解決方案。
吉利與羅姆的合作已持續(xù)六年,此次合作的亮點(diǎn)在于首次將SiC元件引入極氪車型。具體而言,這三款車型包括了運(yùn)動型多功能車(SUV)“X”、迷你廂型車“009”以及運(yùn)動旅行車“001”。SiC MOSFET的應(yīng)用有望顯著提升這些電動車的性能和能效,滿足消費(fèi)者對高效能、長續(xù)航的需求。
SiC(碳化硅)技術(shù)近年來在電動汽車和可再生能源領(lǐng)域得到廣泛關(guān)注。與傳統(tǒng)硅器件相比,SiC MOSFET具有更高的電壓承受能力、更低的能量損耗以及更高的工作溫度。這些優(yōu)點(diǎn)使其成為電動汽車電源管理系統(tǒng)的理想選擇。通過優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率,SiC MOSFET能夠幫助電動車提升續(xù)航里程,從而在競爭激烈的市場中占據(jù)一席之地。
羅姆半導(dǎo)體不僅致力于推動第四代SiC MOSFET的應(yīng)用,還計(jì)劃于2025年推出第五代產(chǎn)品。同時,羅姆還在加快第六代和第七代器件的市場推廣。這一系列創(chuàng)新將進(jìn)一步增強(qiáng)SiC MOSFET在電動汽車及其他高性能應(yīng)用中的地位。
值得一提的是,羅姆半導(dǎo)體通過提供裸芯片、分立元器件和模塊等多種形式的SiC產(chǎn)品,能夠滿足不同客戶的需求,推動SiC技術(shù)的廣泛采用。這一策略不僅有助于提升自身的市場競爭力,還有助于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會目標(biāo)。
在電動汽車越來越成為未來出行主流的背景下,SiC MOSFET的應(yīng)用無疑為電動汽車行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步提供了強(qiáng)大助力。羅姆與極氪的合作證明了全球電動汽車制造商對先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的追求。隨著技術(shù)的不斷演進(jìn),未來的電動車將更具性能、更為環(huán)保,滿足消費(fèi)者日益增長的需求。
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