最近,《Science》子刊《Science Advances》上發(fā)表的一篇論文稱,研究團隊開發(fā)了一種能夠窺探硅晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的非侵入性成像技術。這很有可能成為測試常規(guī)硅基芯片的有效方法,且可能為下一代的量子計算技術奠定基礎。
這支來自奧地利林茨大學、倫敦大學學院、蘇黎世聯(lián)邦理工學院和瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院的國際團隊將現(xiàn)有成熟的顯微技術——掃描微波顯微鏡(Scanning Microwave Microscopy, SMM)運用到對硅芯片中人工摻入雜質(zhì)的檢測當中,整個成像過程不會對芯片產(chǎn)生任何損害(半導體中會被摻入雜質(zhì)來增強其導電和光學性質(zhì))。
磷-硅材料成像
研究者使用掃描微波顯微鏡掃描樣本,具體探測了硅晶表層下成一定規(guī)律排列的磷原子的電學性質(zhì)。在這一方法下,研究者成功檢測了在表面4-15納米之下的1900-4200個緊密排列的原子。
當然,諸如二次離子質(zhì)譜分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS)之類的技術也可以用于檢測半導體中人工參入的雜質(zhì),但是掃描微波顯微鏡的主要優(yōu)勢是,它不會對樣本有任何損壞。
在 IEEE Spectrum 的一個郵件采訪中,本實驗的領導者、奧地利林茨大學的 Georg Gramse 表示:
從對硅芯片掃描的新技術中,我們能預見到對全球行業(yè)的潛在沖擊。因為在芯片集成電路越來越小的情況下,測量過程已經(jīng)變得無比困難且耗費時間,而且可能會損壞芯片本身。
SMM和VNA對材料的測量結(jié)果
新的成像技術對磷-硅量子計算機的實現(xiàn)奠定了基礎,因為人們能把掃描微波顯微鏡集成到現(xiàn)有的探測儀器中。這將大大加快三維結(jié)構(gòu)的制造速度,因為該技術也能被應用于光刻工藝中原子摻雜的迭代控制。
Gramse最后說:
目前,我們正在研究磷原子層的物理性質(zhì),這將是通往磷-硅量子計算機的下一步。
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原文標題:量子計算技術再獲神器,科學家開發(fā)出新的成像技術
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