影響晶振啟動(dòng)時(shí)間的因素

晶振的啟動(dòng)時(shí)間是指晶振通電到進(jìn)入穩(wěn)定振蕩狀態(tài)所需的時(shí)間。這個(gè)時(shí)間通常由晶振的內(nèi)部特性和外部電路決定。今天凱擎小妹帶大家具體了解一下影響啟動(dòng)時(shí)間大小的因素吧!

Q值

品質(zhì)因數(shù)Q值是衡量晶振性能的一個(gè)重要參數(shù)，為儲(chǔ)存能量與損耗能量的比值。高Q值晶振通常啟動(dòng)時(shí)間較短，因?yàn)槟芰扛斓卦诰w中積累并維持振蕩。

負(fù)載電容

負(fù)載電容是晶振兩端接入的電容器值。負(fù)載電容越大，啟動(dòng)時(shí)間通常越長(zhǎng)。較大的負(fù)載電容需要更多的時(shí)間來(lái)充電，從而延長(zhǎng)了晶振達(dá)到穩(wěn)定振蕩狀態(tài)的時(shí)間。

驅(qū)動(dòng)功率

驅(qū)動(dòng)功率是晶振工作時(shí)所施加的功率。驅(qū)動(dòng)功率越高，啟動(dòng)時(shí)間通常越短。較高的驅(qū)動(dòng)功率可以更快地累積能量，使晶振更快達(dá)到穩(wěn)定的振蕩狀態(tài)。但是，需要注意的是，過(guò)高的驅(qū)動(dòng)功率可能會(huì)損壞晶體。

老化

晶振老化通常會(huì)導(dǎo)致其起振時(shí)間延長(zhǎng)。頻率漂移、Q值降低和諧振阻抗增加是主要的原因。這些變化會(huì)使得電路需要更多的時(shí)間和能量來(lái)達(dá)到穩(wěn)定的振蕩狀態(tài)。

電路設(shè)計(jì)

電路的增益、反饋路徑的阻抗和其他元器件的選擇等會(huì)影響啟動(dòng)時(shí)間。

KOAN晶振

KOAN晶振公司配備了E5052B信號(hào)分析儀器、S&A280B、S&A250B測(cè)試儀器，以及高低溫箱，抗沖擊試驗(yàn)設(shè)備。我們能夠檢測(cè)在溫度、負(fù)載和功率電壓變化條件下的頻率穩(wěn)定性。

我們提供無(wú)源晶振和有源晶振，覆蓋多種規(guī)格尺寸，現(xiàn)貨充足，以滿足客戶需求。我們的產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先水平。