晶圓代工廠商力積電近期宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,其Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù)已獲得包括AMD在內(nèi)的多家國(guó)際大廠采用。該技術(shù)將結(jié)合一線晶圓代工廠的先進(jìn)邏輯制程,共同開發(fā)出高帶寬、高容量且低功耗的3D AI芯片。這一創(chuàng)新成果不僅為大型語言模型AI應(yīng)用及AI PC提供了更加低成本、高效能的解決方案,也進(jìn)一步鞏固了力積電在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
此外,針對(duì)AI發(fā)展帶來的GPU與HBM高需求,力積電還推出了高密度電容IPD的2.5D Interposer(中介層),并成功通過國(guó)際大廠的嚴(yán)格認(rèn)證。據(jù)悉,這一中介層技術(shù)將在力積電即將投產(chǎn)的銅鑼新廠中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),進(jìn)一步滿足市場(chǎng)對(duì)于高性能AI芯片的需求。力積電的這一系列技術(shù)突破,無疑將為全球AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動(dòng)力。
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