日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功研發(fā)并制造出專(zhuān)用于氮化鎵(GaN)外延生長(zhǎng)的300毫米(即12英寸)晶圓,標(biāo)志著公司在高性能半導(dǎo)體材料領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次推出的QST 300mm晶圓,憑借其獨(dú)特的熱膨脹系數(shù)(CTE)與GaN材料完美匹配,有效解決了外延層在生長(zhǎng)過(guò)程中可能出現(xiàn)的翹曲和裂紋問(wèn)題,顯著提升了產(chǎn)品的良率和可靠性。
此前,信越化學(xué)已在市場(chǎng)上成功推廣了150毫米(6英寸)和200毫米(8英寸)的QST襯底及其上的GaN外延產(chǎn)品,贏得了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。此次12英寸GaN晶圓的推出,不僅進(jìn)一步豐富了公司的產(chǎn)品線,也為全球GaN器件制造商提供了更大尺寸、更高質(zhì)量的材料選擇,有望推動(dòng)GaN技術(shù)在電力電子、無(wú)線通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用和快速發(fā)展。
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