凌力爾特推出雙通道輸入降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器

加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和馬薩諸塞州諾伍德 (NORWOOD, MA) – 亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 4A、42V 輸入同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器LT8650S。其獨(dú)特的 Silent Switcher^?2 架構(gòu)使用了 4 個(gè)內(nèi)部輸入電容器以及兩個(gè)內(nèi)部 BST 和單個(gè)INTV_CC 電容器，以最大限度減小熱環(huán)路面積。LT8650S 具有控制非常良好的開關(guān)邊沿以及用銅柱代替接合線的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和整體接地平面，其設(shè)計(jì)極大地降低了 EMI 輻射。這種改進(jìn)的 EMI 性能對 PCB 布局不敏感，從而簡化了設(shè)計(jì)，降低了風(fēng)險(xiǎn)，甚至在使用兩層 PC 板時(shí)也不例外。 LT8650S 憑借 2MHz 開關(guān)頻率，可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)非常容易地滿足汽車 CISPR 25 Class 5 峰值 EMI 限制。該器件還提供擴(kuò)展頻譜頻率調(diào)制，以進(jìn)一步降低 EMI 水平。

LT8650S的同步整流在 2MHz 開關(guān)頻率提供高達(dá) 94.6% 的效率。其 3.0V 至 42V 的輸入電壓范圍非常適合汽車和工業(yè)應(yīng)用。內(nèi)部高效率開關(guān)可向低至 0.8V 的輸出電壓同時(shí)提供高達(dá) 4A 的連續(xù)輸出電流和在任一個(gè)通道上提供高至 6A 的峰值負(fù)載。LT8650S 的突發(fā)模式 (Burst Mode^?) 操作可確保僅為 6.2μA 的靜態(tài)電流 (對于兩個(gè)通道)，非常適合汽車始終保持接通系統(tǒng)等應(yīng)用，因?yàn)檫@類應(yīng)用需要延長電池運(yùn)行壽命。LT8650S 僅為 40ns 的快速最短接通時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從16V 輸入到 2V 輸出的 2MHz 恒定頻率切換，從而使設(shè)計(jì)師能夠優(yōu)化效率，同時(shí)避開對噪聲敏感的關(guān)鍵頻段。LT8650S 的 32 引腳 4mmx 6mm LQFN 封裝和高開關(guān)頻率允許使用小型外部電感器和電容器，因此可構(gòu)成緊湊和高熱效率的占板面積。

LT8640S 采用了內(nèi)部頂端和底端高效率電源開關(guān)，并把必要的升壓二極管、振蕩器、控制和邏輯電路集成在單顆芯片中。低紋波突發(fā)模式操作在低輸出電流時(shí)保持高效率，同時(shí)保持輸出紋波低于 10mV_P-P。對于需要非?？焖偎矐B(tài)響應(yīng)或兩個(gè)通道均流的應(yīng)用，可使用外部 VC 引腳。就需要以最低噪聲運(yùn)行的應(yīng)用而言，LT8650S 可設(shè)置為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)以強(qiáng)制連續(xù)模式運(yùn)行，并具有擴(kuò)展頻譜頻率調(diào)制功能。其開關(guān)頻率在 300kHz 至 3MHz 范圍內(nèi)是可編程和可同步的。特殊設(shè)計(jì)方法和新的高速工藝使該器件在很寬的輸入電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高效率，而且 LT8650S 的電流模式拓?fù)淇蓪?shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)和卓越的環(huán)路穩(wěn)定性。其他特點(diǎn)包括芯片溫度監(jiān)視器、電源良好標(biāo)記、輸出軟啟動(dòng) / 跟蹤和過熱保護(hù)。

LT8650SEV 采用 4mm x 6mm LQFN 封裝。工業(yè)溫度級(jí)版本 LT8650SIV 經(jīng)過測試，在 –40°C 至 125°C 工作結(jié)溫范圍內(nèi)運(yùn)行有保證。千片批量的起始價(jià)為每片 5.75 美元，兩種版本都有現(xiàn)貨供應(yīng)。如需更多信息，請登錄

www.linear.com.cn/product/LT8650S。

性能概要： LT8650S

?寬輸入電壓范圍：3.0V 至 42V

?從每個(gè)通道同時(shí)提供 4A 電流

o 在任一個(gè)通道上提供高達(dá) 6A

?Silent Switcher2 架構(gòu)：

o 在任何 PCB 上具超低 EMI 輻射

o 消除了 PCB 布局敏感性

o 用于 V_IN, BST, INTV_CC 的內(nèi)部電容器

降低了輻射的 EMI

o 擴(kuò)展頻譜頻率調(diào)制

?超低靜態(tài)電流突發(fā)模式操作：

o 6.2μA I_Q (調(diào)節(jié) 12V_IN 至 5V_OUT1 和 3.3V_OUT2)

o 輸出紋波 <10mV_P-P

?可任選的外部 VC 引腳：用于實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)

和均流 (每通道額外的 50μA IQ)

?強(qiáng)制連續(xù)模式

?高效率同步操作：

o 在 2MHz、12V_IN 至 5V_OUT 轉(zhuǎn)換時(shí)

效率達(dá) 94.6% (在 2A)

o 在 2MHz、12V_IN 至 5V_OUT 轉(zhuǎn)換時(shí)

效率達(dá) 93.3% (在 4A)

?快速最小接通時(shí)間：40ns

?芯片溫度監(jiān)視器

?可調(diào)和可同步：300kHz 至 3MHz

?輸出軟啟動(dòng)和跟蹤

?小型耐熱增強(qiáng)型 4mm x 6mm 32 引線 LQFN 封裝

本文給出的報(bào)價(jià)僅供預(yù)算之用。各地報(bào)價(jià)可能因當(dāng)?shù)仃P(guān)稅、各種稅款、費(fèi)用以及匯率不同而有所分別。