2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

產(chǎn)品優(yōu)勢及應(yīng)用

該模塊采用創(chuàng)新封裝和三相全橋設(shè)計(jì)，內(nèi)置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V，工作頻率可達(dá)30kHz，輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢，性價比超國外產(chǎn)品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機(jī)驅(qū)動、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。

1 應(yīng)用領(lǐng)域：

電動汽車，氫能源汽車，高速電機(jī)驅(qū)動，光伏風(fēng)能逆變，電網(wǎng)濾波。

2 產(chǎn)品特點(diǎn)：

三項(xiàng)全橋設(shè)計(jì)

內(nèi)置 1200V SiC MOSFET，

內(nèi)置熱敏電阻

模塊雜散電感 2.5nH

超低開關(guān)損耗

工作電源電壓大于 900V

工作節(jié)溫 175°C

銅 Pin-Fin 底板直接水冷散熱

模塊電路及結(jié)構(gòu)圖

模塊及驅(qū)動板實(shí)物圖