大多數(shù)設(shè)計(jì)者都熟悉基于Pierce(皮爾斯)柵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的振蕩器,但很少有人真正了解它是如何工作的,更遑論如何正確的設(shè)計(jì)。我們經(jīng)??吹?,在振蕩器工作不正常之前,多數(shù)人是不愿付出太多精力來(lái)關(guān)注振蕩器的設(shè)計(jì)的,而此時(shí)產(chǎn)品通常已經(jīng)量產(chǎn);許多系統(tǒng)或項(xiàng)目因?yàn)樗鼈兊木д駸o(wú)法正常工作而被推遲部署或運(yùn)行。情況不應(yīng)該是如此。在設(shè)計(jì)階段,以及產(chǎn)品量產(chǎn)前的階段,振蕩器應(yīng)該得到適當(dāng)?shù)年P(guān)注。設(shè)計(jì)者應(yīng)當(dāng)避免一場(chǎng)惡夢(mèng)般的情景:發(fā)往外地的產(chǎn)品被大批量地送回來(lái)。
本文介紹了Pierce振蕩器的基本知識(shí),并提供一些指導(dǎo)作法來(lái)幫助大家如何規(guī)劃一個(gè)好的振蕩器設(shè)計(jì),如何確定不同的外部器件的具體參數(shù)以及如何為振蕩器設(shè)計(jì)一個(gè)良好的印刷電路板。
在本文結(jié)尾處,有一個(gè)簡(jiǎn)易的晶振及外圍器件選型指南,其中為MCU推薦了一些晶振型號(hào)(針對(duì)HSE及LSE),可以幫助大家快速上手。
1、石英晶振的特性及模型 石英晶振的特性及模型
石英晶體是一種可將電能和機(jī)械能相互轉(zhuǎn)化的壓電器件,能量轉(zhuǎn)變發(fā)生在共振頻率點(diǎn)上。它可用如下模型表示:
圖1 石英晶體模型
C 0 :等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容(譯注:也叫并電容,靜電電容,其值一般僅與晶振的尺寸有關(guān))。
L m :(動(dòng)態(tài)等效電感)代表晶振機(jī)械振動(dòng)的慣性。
C m :(動(dòng)態(tài)等效電容)代表晶振的彈性。
R m :(動(dòng)態(tài)等效電阻)代表電路的損耗。
晶振的阻抗可表示為以下方程(假設(shè)R m 可以忽略不計(jì)):
其中F s 的是當(dāng)電抗Z=0時(shí)的串聯(lián)諧頻率(譯注:它是L m 、C m 和R m 支路的諧振頻率),其表達(dá)式如下:
F a 是當(dāng)電抗Z趨于無(wú)窮大時(shí)的并聯(lián)諧振頻率(譯注:它是整個(gè)等效電路的諧振頻率),使用等式
(1),其表達(dá)式如下:
在F s 到F a 的區(qū)域即通常所謂的:“并聯(lián)諧振區(qū)”(圖2中的陰影部分),在這一區(qū)域晶振工作在并聯(lián)諧振狀態(tài)(譯注:該區(qū)域就是晶振的正常工作區(qū)域,F(xiàn) a -F s 就是晶振的帶寬。帶寬越窄,晶振品質(zhì)因素越高,振蕩頻率越穩(wěn)定)。在此區(qū)域晶振呈電感特性,從而帶來(lái)了相當(dāng)于180 °的相移。
其頻率F P (或者叫F L :負(fù)載頻率)表達(dá)式如下:
從表達(dá)式(4),我們知道可以通過(guò)調(diào)節(jié)負(fù)載電容C L 來(lái)微調(diào)振蕩器的頻率,這就是為什么晶振制造商在其產(chǎn)品說(shuō)明書中會(huì)指定外部負(fù)載電容C L 值的原因。通過(guò)指定外部負(fù)載電容C L 值,可以使晶振晶體振蕩時(shí)達(dá)到其標(biāo)稱頻率。
下表給出了一個(gè)例子來(lái)說(shuō)明如何調(diào)整外部參數(shù)來(lái)達(dá)到晶振電路的8MHz標(biāo)稱頻率:
使用表達(dá)式(2)、(3)和(4),我們可以計(jì)算出該晶振的F s 、F a 及F P :
F s = 7988768Hz,F(xiàn) a = 8008102Hz
如果該晶振的C L 為10pF,則其振蕩頻率為:F P = 7995695Hz。
要使其達(dá)到準(zhǔn)確的標(biāo)稱振蕩頻率8MHz,C L 應(yīng)該為4.02pF。
2、振蕩器原理
振蕩器由一個(gè)放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)組成,反饋網(wǎng)絡(luò)起到頻率選擇的作用。圖3通過(guò)一個(gè)框圖來(lái)說(shuō)明振蕩器的基本原理
為了起振,Barkhausen條件必須得到滿足。即閉環(huán)增益應(yīng)大于1,并且總相移為360°。
為了讓振蕩器工作,要保證|A(f)|.|B(f)| >> 1。這意味著開環(huán)增益應(yīng)遠(yuǎn)大于1,到達(dá)穩(wěn)定振蕩所需的時(shí)間取決于這個(gè)開環(huán)增益。然而,僅滿足以上條件是不夠解釋為什么晶體振蕩器可以開始振蕩。為了起振,還需要向其提供啟動(dòng)所需的電能。一般來(lái)說(shuō),上電的能量瞬變以及噪聲可以提供所需的能量。應(yīng)當(dāng)注意到,這個(gè)啟動(dòng)能量應(yīng)該足夠多,從而能夠保證通過(guò)觸發(fā)使振蕩器在所需的頻率工作。
實(shí)際上,在這種條件下的放大器是非常不穩(wěn)定的,任何干擾進(jìn)入這種正反饋閉環(huán)系統(tǒng)都會(huì)使其不穩(wěn)定并引發(fā)振蕩啟動(dòng)。干擾可能源于上電,器件禁用/使能的操作以及晶振熱噪聲等...。同時(shí)必須注意到,只有在晶振工作頻率范圍內(nèi)的噪聲才能被放大,這部分相對(duì)于噪聲的全部能量來(lái)說(shuō)只是一小部分,這也就是為什么晶體振蕩器需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間才能啟動(dòng)的原因。
3 Pierce 振蕩器
皮爾斯振蕩器有低功耗、低成本及良好的穩(wěn)定性等特點(diǎn),因此常見于通常的應(yīng)用中。
4 Pierce 振蕩器設(shè)計(jì)
反饋電阻 反饋電阻R F
在大多數(shù)情況下,反饋電阻R F 是內(nèi)嵌在振蕩器電路內(nèi)的(至少在ST的MCU中是如此)。它的作用是通過(guò)引入反饋使反向器的功能等同于放大器。Vin和Vout之間增加的反饋電阻使放大器在Vout= Vin時(shí)產(chǎn)生偏置,迫使反向器工作在線性區(qū)域(圖5中陰影區(qū))。該放大器放大了晶振的正常工作區(qū)域內(nèi)的在并聯(lián)諧振區(qū)內(nèi)的噪聲(例如晶振的熱噪聲)(譯注:工作在線性區(qū)的反向器等同于一個(gè)反向放大器),從而引發(fā)晶振起振。在某些情況下,如果在起振后去掉反饋電阻R F ,振蕩器仍可以繼續(xù)正常運(yùn)轉(zhuǎn)。
負(fù)載電容 負(fù)載電容C L
負(fù)載電容C L 是指連接到晶振上的終端電容。C L 值取決于外部電容器C L1 和C L2 ,刷電路板上的雜
散電容(C s )。C L 值由由晶振制造商給出。保證振蕩頻率精度,主要取決于振蕩電路的負(fù)載電容與
給定的電容值相同,保證振蕩頻率穩(wěn)定度主要取決于負(fù)載電容保持不變。外部電容器C L1 和C L2
可用來(lái)調(diào)整CL,使之達(dá)到晶振制造商的標(biāo)定值。
即:C L1 = C L2 = 20pF
振蕩器的增益裕量
增益裕量是最重要的參數(shù),它決定振蕩器是否能夠正常起振,其表達(dá)式如下:
根據(jù)Eric Vittoz的理論(譯注:具體可參考Eric A. Vittoz et al., "High-Performance Crystal Oscillator Circuits: Theory and Application", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 23, No. 3,pp. 774-782, Jun. 1988),放大器和兩個(gè)外部電容的阻抗對(duì)晶振的RLC動(dòng)態(tài)等效電路的電抗有補(bǔ)償作用。
基于這一理論,反向器跨導(dǎo)(gm)必須滿足:gm > gmcrit 。在這種情況下才滿足起振的振蕩條件。為保證可靠的起振,增益裕量的最小值一般設(shè)為5。
例如,如果設(shè)計(jì)一個(gè)微控制器的振蕩器部分,其gm等于25mA/V。如果所選擇的石英晶振(來(lái)自FOX公司)的參數(shù)如下:
頻率 = 8MHz,C 0 = 7pF,C L = 10pF,ESR = 80 ?
那么該晶體能否與微控制器配合可靠起振?
如果不能滿足增益裕量起振條件(即增益裕量Gain margin 小于5,晶振無(wú)法正常起振),應(yīng)嘗試選擇一種ESR較低或/和C L 較低的晶振。
5關(guān)于PCB的建議
1. 外部雜散電容和電感要控制在一個(gè)盡可能小的范圍內(nèi),從而避免晶振進(jìn)入非正常工作模式或引起起振不正常等問題。另外,振蕩器電路旁邊要避免有高頻信號(hào)經(jīng)過(guò)。
2. 走線長(zhǎng)度越短越好。
3. 接地平面用于信號(hào)隔離和減少噪聲。例如:在晶振的保護(hù)環(huán)(譯注:(Guard ring),指器件或走線外圍成一圈用于屏蔽干擾的導(dǎo)線環(huán),一般要求理論上沒有電流從該導(dǎo)線環(huán)上經(jīng)過(guò))下直接敷地有助于將晶振和來(lái)自其他PCB層的噪聲隔離開來(lái)。要注意接地平面要緊臨晶振但只限于晶振下面,而不要將此接地平面敷滿整個(gè)PCB板(見圖7)。
4. 像圖7所示來(lái)布地線是一個(gè)好的作法。這種布線方法將振蕩器的輸入與輸出隔離開來(lái),同時(shí)也將振蕩器和臨近的電路隔離開來(lái)。所有的V SS 過(guò)孔不是直接連到地平面上(除晶振焊盤之外),就是連接到終端在C L1 和C L2 下方的地線上。
5. 在每一對(duì)V DD 與V SS 端口上連接去藕電容來(lái)平滑噪聲。
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原文標(biāo)題:微控制器振蕩器電路
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