什么是mosfet的正向偏置安全工作區(qū)、開關(guān)安全工作區(qū)和轉(zhuǎn)換安全工作區(qū)？

1、正向偏置安全工作區(qū)

正向偏置安全工作區(qū)，如圖4所示。它是由最大漏源電壓極限線I、最大漏極電流極限線Ⅱ、漏源通態(tài)電阻線Ⅲ和最大功耗限制線Ⅳ，4條邊界極限所包圍的區(qū)域。圖中示出了4種情況：直流DC，脈寬10ms，1ms,10μs。它與GTR安全工作區(qū)比有2個(gè)明顯的區(qū)別：①因無二次擊穿問題，所以不存在二次擊穿功率PSB限制線；②因?yàn)樗☉B(tài)電阻較大，導(dǎo)通功耗也較大，所以不僅受最大漏極電流的限制，而且還受通態(tài)電阻的限制。

2、開關(guān)安全工作區(qū)

開關(guān)安全工作區(qū)為器件工作的極限范圍，如圖5所示。它是由最大峰值電流IDM、最小漏極擊穿電壓BUDS和最大結(jié)溫TJM決定的，超出該區(qū)域，器件將損壞。

3、轉(zhuǎn)換安全工作區(qū)

因電力場(chǎng)效應(yīng)管工作頻率高，經(jīng)常處于轉(zhuǎn)換過程中，而器件中又存在寄生等效二極管，它影響到管子的轉(zhuǎn)換問題。為限制寄生二極管的反向恢復(fù)電荷的數(shù)值，有時(shí)還需定義轉(zhuǎn)換安全工作區(qū)。

器件在實(shí)際應(yīng)用中，安全工作區(qū)應(yīng)留有一定的富裕度。