長江存儲使用國產(chǎn)設備制造出3D NAND閃存芯片

9月20日最新資訊指出，長江存儲面對美國出口禁令及被列入實體清單的雙重挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出了強大的自主創(chuàng)新能力，成功引入國產(chǎn)半導體設備以部分替代原有美系設備，實現(xiàn)了供應鏈的自立自強。

長江存儲自主研發(fā)的Xtacking架構技術，引領了3D NAND閃存領域的新突破，其堆疊層數(shù)已可達到驚人的232層，這一成就即便在全球頂尖制造商如美光、三星及SK海力士面前，也彰顯出顯著的競爭優(yōu)勢。

值得一提的是，長江存儲已攜手國內(nèi)多家半導體設備領軍企業(yè)，包括中微半導體設備公司的蝕刻設備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設備，以及拓荊科技的沉積設備，共同完成了3D NAND閃存芯片的成功制造，標志著國產(chǎn)半導體設備在高端存儲芯片制造領域邁出了堅實的一步。

盡管目前長江存儲仍需依賴如ASML和泛林集團等國際大廠提供的部分關鍵設備，但國產(chǎn)設備在生產(chǎn)線上的占比正逐步增加，體現(xiàn)了中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈整體實力的提升。

針對外界關于使用國產(chǎn)設備后NAND芯片堆疊層數(shù)減少及產(chǎn)量較低的關注，長江存儲方面回應稱，這一調(diào)整是基于當前技術路線與設備適配性的優(yōu)化考慮，并非設備產(chǎn)量所限。公司正致力于持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品性能，隨著制造工藝、生產(chǎn)流程的不斷精進及經(jīng)驗的積累，未來將逐步提升堆疊層數(shù)，以滿足市場需求。這一表態(tài)展現(xiàn)了長江存儲對未來發(fā)展的堅定信心與持續(xù)創(chuàng)新的能力。