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整合為王,先進(jìn)封裝「面板化」!臺(tái)積電、日月光、群創(chuàng)搶攻FOPLP,如何重塑封裝新格局?

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來(lái)源:科技新報(bào) ? 2024-09-21 11:01 ? 次閱讀

來(lái)源:科技新報(bào)

2024 年 Semicon Taiwan 國(guó)際半導(dǎo)體展完美落幕,先進(jìn)封裝成為突破摩爾定律的關(guān)鍵,尤其以面板級(jí)扇出型封裝(FOPLP)成為備受關(guān)注的下一代技術(shù),同時(shí)也是封測(cè)廠、面板廠極力布局的方向。

事實(shí)上,臺(tái)灣地區(qū)封測(cè)廠推動(dòng) FOPLP 已有七八年,但因?yàn)榱悸蕟?wèn)題未見(jiàn)顯著成效,客戶也持觀望態(tài)度,因此沒(méi)有太多終端應(yīng)用落地。然而,臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家在 7 月 18 日法說(shuō)會(huì)指出,正在研究 FOPLP 技術(shù),預(yù)期三年后技術(shù)可成熟,無(wú)疑是給這項(xiàng)技術(shù)「添一把火」,內(nèi)外地區(qū)設(shè)備商、封測(cè)廠、面板廠全熱起來(lái),一起沖刺技術(shù)落地。

FOPLP 會(huì)取代 CoWoS 嗎?

FOPLP 技術(shù)是 FOWLP 技術(shù)的延伸,以方形基板進(jìn)行 IC 封裝,可使封裝尺寸更大、降低生產(chǎn)成本。據(jù)經(jīng)濟(jì)部說(shuō)法,以面板產(chǎn)線進(jìn)行 IC 封裝,方形面積相較晶圓有更高的利用率,達(dá)到 95%,即相同單位面積下,可擺放更多的芯片數(shù)量。然而,因封裝尺寸更大,面臨面板翹曲、均勻性和良率問(wèn)題。至于 FOPLP 的 Panel(面板)載板可采用 PCB 或者液晶面板用的玻璃載板,包括臺(tái)積電在內(nèi)廠商都開(kāi)始研究玻璃載板的可行性。

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G3.5 FOPLP Glass Panel 生產(chǎn)面積。(Source:群創(chuàng))

臺(tái)積電開(kāi)發(fā)的 FOPLP 可想象成「矩形 InFO」,整合臺(tái)積電 3D fabric 平臺(tái)其他技術(shù),發(fā)展出 2.5D / 3D 等先進(jìn)封裝,以用于高階產(chǎn)品應(yīng)用,最快 2027 年亮相。據(jù)日經(jīng)報(bào)導(dǎo),臺(tái)積電正與設(shè)備及原物料供應(yīng)商合作研發(fā)面板級(jí)芯片封裝技術(shù),目前仍在早期階段。據(jù)悉,試驗(yàn)中的矩形基板尺寸為 510×515mm,但有消息稱新定案版本為 600×600mm。

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半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者認(rèn)為,F(xiàn)OPLP 生態(tài)鏈發(fā)展主要看臺(tái)積電,但隨著 AI 持續(xù)發(fā)展,在算力提升又必須兼顧成本的考量下,F(xiàn)OPLP 仍是未來(lái)需發(fā)展的方向。這項(xiàng)技術(shù)應(yīng)該不會(huì)取代 CoWoS,而是提供客戶在成本考量下的新解決方案。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,對(duì)芯片封裝工藝的要求也不斷增長(zhǎng)。尤其是針對(duì)高頻、射頻、電源傳感器等芯片的處理,封裝技術(shù)的發(fā)展顯得尤為重要。而在眾多封裝技術(shù)中,扇出型面板級(jí)封裝(Fan-Out Panel Level Packaging, FOPLP)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸脫穎而出,成為行業(yè)的焦點(diǎn)。

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FOPLP板級(jí)封裝技術(shù)特點(diǎn)

1. 擴(kuò)展封裝面積

FOPLP技術(shù)將單個(gè)芯片及其周邊電路安裝在更大面積的材料面板上,形成扇出形狀。這種方法可以顯著減少芯片間連線的長(zhǎng)度,從而降低傳輸損耗和訊號(hào)干擾,提高電性能。

2. 提高集成度

與傳統(tǒng)封裝技術(shù)相比,F(xiàn)OPLP能夠容納更多的芯片和功能集成在一起,適合于復(fù)雜的多芯片模組封裝。FOPLP通過(guò)增加面板面積來(lái)增加封裝密度,使得更多功能單元可以集成在有限的空間內(nèi),從而提高系統(tǒng)性能。

3. 優(yōu)化熱管理

FOPLP技術(shù)在封裝過(guò)程中使用了更優(yōu)質(zhì)的熱導(dǎo)材料,通過(guò)合理設(shè)計(jì)提升散熱能力,降低芯片運(yùn)行溫度,增強(qiáng)可靠性和壽命。

FOPLP在不同芯片類型中的應(yīng)用

射頻芯片

在射頻芯片領(lǐng)域,F(xiàn)OPLP技術(shù)擁有顯著的優(yōu)勢(shì)。射頻芯片對(duì)信號(hào)穩(wěn)定性和降噪能力有很高的要求。FOPLP技術(shù)能夠更有效地隔離噪聲干擾,提供更好的信號(hào)傳輸路徑,同時(shí)通過(guò)封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)化提升信號(hào)質(zhì)量和傳輸速率。

電源芯片

電源芯片需要高效的散熱性能,以及良好的電性能和機(jī)械強(qiáng)度。FOPLP技術(shù)通過(guò)高密度集成和優(yōu)化散熱路徑,保障電源芯片在高功率條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。此外,F(xiàn)OPLP技術(shù)還提供卓越的機(jī)械強(qiáng)度,確保封裝的穩(wěn)定性和可靠性。

芯片模組

芯片模組是多種芯片協(xié)同工作的系統(tǒng)單元。FOPLP技術(shù)能夠通過(guò)集成多個(gè)芯片在一塊面板上,簡(jiǎn)化模組設(shè)計(jì),提高系統(tǒng)集成度。此外,F(xiàn)OPLP技術(shù)優(yōu)化了芯片之間的互連結(jié)構(gòu),提高模塊的整體性能和可靠性。

高頻芯片

高頻芯片在通信設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用,要求擁有高帶寬、低延遲和高信號(hào)傳輸質(zhì)量。FOPLP技術(shù)在封裝過(guò)程中可以有效降低信號(hào)損耗,優(yōu)化信號(hào)傳輸路徑,從而提高高頻芯片的性能和可靠性。

數(shù)字芯片

數(shù)字芯片涵蓋了處理器、控制器等核心組件。FOPLP技術(shù)通過(guò)改進(jìn)封裝設(shè)計(jì),提高芯片的散熱和電性能,使得數(shù)字芯片在工作過(guò)程中能夠更加穩(wěn)定和高效地運(yùn)行。

傳感器芯片

傳感器芯片用于檢測(cè)和反饋環(huán)境變化,對(duì)體積和能耗要求較高。FOPLP技術(shù)通過(guò)優(yōu)化封裝面積和電路設(shè)計(jì),提高傳感器芯片的靈敏度和精度,同時(shí)降低功耗和提升抗干擾能力。

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FOPLP封裝對(duì)芯片測(cè)試的優(yōu)勢(shì)

1. 更高的測(cè)試效率

FOPLP封裝由于集成度高、封裝面積大,能夠在一次測(cè)試過(guò)程中檢驗(yàn)更多的芯片。相較于傳統(tǒng)封裝技術(shù),F(xiàn)OPLP封裝顯著提高了測(cè)試效率和測(cè)試速度,降低測(cè)試成本。

2. 提供更全面的測(cè)試數(shù)據(jù)

由于FOPLP封裝技術(shù)優(yōu)化了芯片之間的連接和信號(hào)傳輸路徑,使得在測(cè)試過(guò)程中能夠獲得更全面、更準(zhǔn)確的測(cè)試數(shù)據(jù),提供了更好的芯片性能評(píng)估基礎(chǔ)。

3. 改善散熱性能

在測(cè)試過(guò)程中,芯片的溫度管理尤為重要。FOPLP封裝技術(shù)通過(guò)優(yōu)化散熱路徑,確保芯片在高功耗運(yùn)行條件下的溫度控制,從而提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

4. 靈活的測(cè)試方案

FOPLP封裝技術(shù)具備高度的靈活性,因此可以根據(jù)不同芯片的特性和需求進(jìn)行個(gè)性化的測(cè)試方案設(shè)計(jì)。無(wú)論是高頻芯片、射頻芯片還是電源芯片,F(xiàn)OPLP封裝技術(shù)都能夠提供適合的測(cè)試方案,保障測(cè)試結(jié)果的一致性和可靠性。

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定制化測(cè)試座的必要性

盡管FOPLP封裝在許多方面展現(xiàn)了巨大的優(yōu)勢(shì),但在芯片測(cè)試過(guò)程中,測(cè)試座的設(shè)計(jì)和制造往往需要針對(duì)具體應(yīng)用進(jìn)行定制。這是因?yàn)椴煌愋偷男酒捌鋺?yīng)用場(chǎng)景對(duì)測(cè)試座的要求各不相同,包括:

1. 特定的電性和機(jī)械要求

不同類型的芯片在測(cè)試過(guò)程中需要具備特定的電性和機(jī)械要求。例如,高頻芯片需要具有優(yōu)良的信號(hào)隔離能力,電源芯片需要良好的散熱性能等。因而,測(cè)試座的設(shè)計(jì)必須根據(jù)芯片的具體特性進(jìn)行專門(mén)設(shè)計(jì)。

2. 高度靈活的連接結(jié)構(gòu)

FOPLP封裝中的高集成度和多芯片共存特性,要求測(cè)試座需要具備高度靈活的連接結(jié)構(gòu),以適應(yīng)不同芯片的測(cè)試需要。標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)試座往往難以滿足這一需求,因此定制化的設(shè)計(jì)成為必要。

3. 精確的數(shù)據(jù)采集和分析能力

高性能芯片對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的精度和分析能力有著很高的要求,為了能夠精確采集和分析測(cè)試數(shù)據(jù),測(cè)試座必須具備專業(yè)化和高精度的設(shè)計(jì)。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無(wú)法完全滿足這一需求,必須根據(jù)具體芯片進(jìn)行定制。#百家快評(píng)#

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隨著芯片技術(shù)和封裝工藝的發(fā)展,F(xiàn)OPLP板級(jí)封裝憑借其優(yōu)異的擴(kuò)展性、高集成度和優(yōu)化的熱管理能力,在射頻芯片、電源芯片、傳感器芯片等領(lǐng)域展現(xiàn)了顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。同時(shí),F(xiàn)OPLP封裝在芯片測(cè)試過(guò)程中具備更高的效率和更全面的數(shù)據(jù)獲取能力。但由于不同芯片在電性能、機(jī)械要求及連接結(jié)構(gòu)方面的特性各異,測(cè)試座需針對(duì)具體應(yīng)用進(jìn)行定制,確保測(cè)試過(guò)程的準(zhǔn)確性和可靠性。

OSAT、面板大廠布局多年,2024 年逐步開(kāi)花結(jié)果

臺(tái)積電布局 FOPLP 以前,早期投入這項(xiàng)技術(shù)的臺(tái)灣地區(qū)廠商包括力成、群創(chuàng)和日月光。力成 2018 年在新竹科學(xué)園區(qū)三廠開(kāi)始興建,啟動(dòng)全球第一座 FOPLP 量產(chǎn)基地,正式布局高階封裝領(lǐng)域。執(zhí)行長(zhǎng)謝永達(dá)指出,看好未來(lái)在 AI 世代,異質(zhì)封裝將采用更多 FOPLP 解決方案,預(yù)計(jì) 2026~2027 年會(huì)導(dǎo)入量產(chǎn)。

封測(cè)龍頭日月光 FOPLP 產(chǎn)品將在明年第二季開(kāi)始出貨,面板尺寸從 300×300mm 已經(jīng)擴(kuò)張至 600×600mm,目前高通與其洽談 PMIC電源管理IC)產(chǎn)品。此外,AMD 也與日月光、力成洽談 PC CPU 產(chǎn)品。

面板大廠群創(chuàng)近年積極轉(zhuǎn)型,自 2017 年便投入研發(fā),目前試量產(chǎn)線月產(chǎn)能約 1,000 片,今年下半年可望量產(chǎn)。目前首期產(chǎn)能已被訂光,并開(kāi)始啟動(dòng)第二期擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,主要客戶為恩智浦、意法半導(dǎo)體等國(guó)際 IDM 大廠,未來(lái)將視客戶需求將月產(chǎn)能逐步提升至 15,000 片,以 PMIC 產(chǎn)品為主。

盤(pán)點(diǎn)臺(tái)灣地區(qū) FOPLP 相關(guān)供應(yīng)鏈,有濕制程領(lǐng)域弘塑、濺鍍/水平式電漿蝕刻設(shè)備廠友威科、雷射修補(bǔ)設(shè)備商?hào)|捷、載板干制程設(shè)備廠群翊、RDL制程設(shè)備亞智科技、電漿清洗及雷射打印廠商鈦升、自動(dòng)化設(shè)備商萬(wàn)潤(rùn)、開(kāi)發(fā) FOPLP 特殊合金載板鑫科材料等。

CoWoS、FOPLP 后,下一個(gè)是 CoPoS 嗎?

隨著先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)換至 panel level(面板級(jí)),半導(dǎo)體設(shè)備商將提出另一個(gè)說(shuō)法,即所謂的「CoPoS」(Chip-on-Panel-on-Substrate),即是 CoWoS「面板化」,以面板(Panel)取代晶圓(Wafer),將芯片排列在矩形基板上,最后再透過(guò)封裝制程連接到底層的載板上,讓多顆芯片可以封裝一起。

CoPoS 這項(xiàng)技術(shù)處于早期初期,初步判斷需要三五年才有機(jī)會(huì)到位,目前仍以 CoWoS、FOPLP 是較為明確的技術(shù)路線圖。

然而,F(xiàn)OPLP 受限于線寬及線距問(wèn)題,目前應(yīng)用仍以 PMIC 等成熟制程為主,待技術(shù)成熟后才會(huì)導(dǎo)入到主流消費(fèi)性 IC 產(chǎn)品,TrendForce 預(yù)期時(shí)間約落在今年下半年至 2026 年;至于更高階的 AI GPU 應(yīng)用,則是 2027-2028年有望落地,與臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家預(yù)期至少三年后的量產(chǎn)時(shí)間相一致,他表示,目前尚未有成熟的解決方案,支持大于十倍光罩尺寸(Reticle size)芯片,預(yù)期三年后 FOPLP 將開(kāi)始導(dǎo)入后,臺(tái)積電也將做好準(zhǔn)備。

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    日月光加大資本支出,擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能

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    的頭像 發(fā)表于 02-03 10:41 ?613次閱讀