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莫大康:準(zhǔn)備迎接更艱難的時刻到來

莫大康 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-11-23 17:18 ? 次閱讀

中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展有它的獨特規(guī)律,通常生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速率緩慢,用時相對久些,也即需要如“接力棒式”傳遞。但是中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展在任何時候必須要充滿信心,堅持到底,因為我們有國家層面的支持,是全球其它地區(qū)無法比及的,所以相信中國半導(dǎo)體業(yè)一定會取得最后的成功。

01 大基金推動下成績卓然
近期中國半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)好事連連,上海中微半導(dǎo)體宣布,它的MOCVD設(shè)備Prismo A7機型出貨量已突破100臺,邁向重要里程碑,包括三安光電和華燦光電等設(shè)備可容納多達4個反應(yīng)腔,同時加工136片4吋外延硅片,由于持續(xù)接到新的訂單,中微預(yù)計2017年底可望出貨約120臺。據(jù)中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)協(xié)會報道,2017年上半年中微銷售額達3.74億元,同比去年的1.49億元,增長151%。


再如中芯國際,它為了達到中國半導(dǎo)體制造業(yè)在2020年時要實現(xiàn)14納米量產(chǎn)的大目標(biāo),中芯國際必須在2018年時要進入風(fēng)險性試產(chǎn)階段。目前中芯的研發(fā)部門已加足馬力,在短短的三個月內(nèi),它的14納米SRAM樣品就已從512K提升到128M,而且量產(chǎn)良率破零(SARM Yield break zero),需要在良率速度提升上全速踩油門前進。加上中芯近期宣布前臺積電、三星高管梁孟松加入成為聯(lián)席CEO,各界也對于中芯國際能夠跳脫28納米滯后,全力邁向14納米投注較高的期待。據(jù)悉,中芯國際內(nèi)部已經(jīng)下了“死命令”必須全力加速朝14納米量產(chǎn)邁進。
更令人興奮是中芯國際在美國的股價,于2017-11-3時達到8.74美元,相比近三個月低值的4.49美元增長96%,反映從總體上看好未來中芯國際的趨勢。


02 迎接更艱難的時刻到來
中國半導(dǎo)體的“十三五”規(guī)劃己經(jīng)兩年快過去,盡管據(jù)SEMI統(tǒng)計,近期中國半導(dǎo)體業(yè)至少有15個fab新建項目,至2018年時有可能半導(dǎo)體投資達到120億美元,居全球的前列。此等榮景在中國半導(dǎo)體業(yè)歷史上,甚至在全球也不多見。


如三個存儲器等大項目,長江存儲、安徽長鑫及福建晉華相繼上馬,及中芯國際、華力微、華虹等芯片制造廠再次掀起技術(shù)與產(chǎn)能的擴充高潮。


然而面對“十三五規(guī)劃”,至此仍面臨諸多的難題。一方面是在十九大新思維,新要求下,對于產(chǎn)業(yè)的目標(biāo)有更加深化的要求,不僅看數(shù)字,更要看內(nèi)含,尤其要在關(guān)鍵的高端芯片市場中擴大市占率,及提高IC國產(chǎn)化率,對于中國的IC設(shè)計業(yè)提出新的挑戰(zhàn);另一方面,在工藝制程技術(shù)方面,如32層3D NAND閃存。19納米DRAM“以及28納米及14納米邏輯制程等都面臨諸多的技術(shù)難題,需要積累”學(xué)習(xí)曲線”經(jīng)驗,然而由于之前研發(fā)投入不足,缺乏高端人材等因素,導(dǎo)致尚存有少些不確定性。因此提出要準(zhǔn)備迎接更艱難的時刻到來,它的深層意義在于讓業(yè)界提前作好各種應(yīng)對的預(yù)案,避免少走彎路。


由于現(xiàn)階段大部分中國半導(dǎo)體新建芯片生產(chǎn)線都處于從項目確立,到破土動工,以及廠房建設(shè)階段,約花12個月時間。下一步將迅速轉(zhuǎn)入更關(guān)鍵階段,大量的半導(dǎo)體設(shè)備到貨安裝,并準(zhǔn)備通線試產(chǎn),正常的話約需6-9個月時間。通俗地講,前一個階段是花錢,相對容易,而進入通線達產(chǎn)階段時更為艱難,它依賴于綜合實力。因此對于大部分新建芯片制造廠更困難的時間階段應(yīng)該在2018 至2019年,甚至可能之后的一段時間內(nèi)。


分析中國芯片制造業(yè)未來將面臨三個主要關(guān)口,即產(chǎn)品的技術(shù),成本與專利糾紛。在芯片生產(chǎn)線通線階段時,需要真刀真搶,拚實力,情況就不會如花錢那么容易,舒坦,因為首先是技術(shù)能力的體現(xiàn),產(chǎn)品能否如期做出來。即便產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn),還有一個更大的成本問題。因為競爭對手,它們大多是先手,從技術(shù)與人材都有相當(dāng)?shù)姆e累,即使能夠達到相近的成品率時,它們的產(chǎn)能大,以及產(chǎn)品的折舊成本低許多,因此最終成本要比我們低是顯見的,因此這一段的產(chǎn)能爬坡過程會非常的艱難。最后未來的專利糾紛一定開打,決定于我們從現(xiàn)在開始就要作好各種準(zhǔn)備,任何僥幸心理是十分危險的。


03 應(yīng)對策略
1)不能存有僥幸心理情況總是超出預(yù)料,因為不可能事事都能料到,以及競爭對手不會袖手旁觀。


競爭對手正防衛(wèi)我們,如SK海力士近期與無錫市政府簽約,計劃再投資86億美元擴充產(chǎn)能,估計每月總產(chǎn)能達20萬片以上,制程技術(shù)鎖定以10納米世代,且估計該廠房預(yù)計2018年底完工,在2019年搬入機臺設(shè)備。
加上三星也計劃擴產(chǎn)華城(Hwasung)廠16號線,以及三星的南韓平澤廠也在規(guī)劃全新的DRAM生產(chǎn)線,合計將小幅增加6萬片。不過,華城和平澤潛在的可擴充產(chǎn)能其實高達20萬片以上,占三星單月總產(chǎn)能逾100萬片有20%之多。


原本三大DRAM廠商是不輕易擴產(chǎn),試圖壟斷市場的供需平衡,但是如今它們決定在2019年時擴充量產(chǎn),它們目的十分明確,試圖狙擊大陸的儲存夢。


業(yè)界曾估計中國存儲器項目的虧損期,可能是在投產(chǎn)之后至產(chǎn)能爬坡的3-4年間。當(dāng)芯片生產(chǎn)線進入虧損階段時,能夠堅定信心者不多,而且那時各種矛盾會陸續(xù)顯現(xiàn)出來。


盡管對于中國的芯片制造業(yè),從思想上可能己經(jīng)意識到未來要準(zhǔn)備迎接更艱難的時刻到來,然而真的到來時的感覺一定會更加刻骨銘心 。因此千萬不能存有僥幸心理。


2)作好各種應(yīng)對預(yù)案,以備措手不及文中提及的產(chǎn)品技術(shù),成本與專利糾紛等三個方面都要認(rèn)真分析,并且做好應(yīng)對預(yù)案。


3)任何時候要樹立信心,堅持到底國外有少部分人并不看好中國的存儲器業(yè)發(fā)展,除了極少數(shù)帶“有色眼鏡”之外,其中也有人說的中肯與在理。但是從中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)立場出發(fā),它是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要,志在必得,有再大的困難也要挺過去。


中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展有它的獨特規(guī)律,通常生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速率緩慢,用時相對久些,也即需要如“接力棒式”傳遞。但是中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展在任何時候必須要充滿信心,堅持到底,因為我們有國家層面的支持,是全球其它地區(qū)無法比及的,所以相信中國半導(dǎo)體業(yè)一定會取得最后的成功。

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