碳化硅JBS二極管 結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管 UIS前沿感性負(fù)載開(kāi)關(guān)能力顯著：開(kāi)關(guān)損耗降低60%

MOSFET，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，因其強(qiáng)大的性能和廣泛的應(yīng)用，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的基石。在功率MOSFET領(lǐng)域，碳化硅的出現(xiàn)如同催化劑，推動(dòng)著技術(shù)的革新。憑借其卓越的高溫性能，碳化硅無(wú)懼極端環(huán)境，為電源和逆變器等設(shè)備提供前所未有的效率提升。華芯邦不斷推進(jìn)MOSFET的發(fā)展，其多樣的中高耐壓產(chǎn)品線(xiàn)在低損耗、高速度方面表現(xiàn)尤為突出。同時(shí)，精巧的小封裝設(shè)計(jì)，使得這些元件更適合各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景。

碳化硅為什么會(huì)出現(xiàn)應(yīng)用在市場(chǎng)上？

MOS二極管雖然是一種被動(dòng)元件，但其在電路中的開(kāi)關(guān)特性不可或缺，被廣泛應(yīng)用于日常電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)功能。碳化硅的強(qiáng)勢(shì)崛起，無(wú)疑為電力電子領(lǐng)域帶來(lái)了新的活力與挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的電子元件在125到150度的高溫下往往無(wú)法承受而導(dǎo)致失效，而碳化硅卻能在更高溫的條件下維持穩(wěn)定。這種材料被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，特別是在工業(yè)逆變器、工程逆變器以及汽車(chē)逆變器中，碳化硅的出現(xiàn)使這些設(shè)備能夠在更嚴(yán)苛的條件下仍然可靠運(yùn)行。不僅如此，其應(yīng)用范圍甚至擴(kuò)展到了航空航天、醫(yī)療設(shè)備以及通訊行業(yè)。這種革命性的材料為各行各業(yè)帶來(lái)了創(chuàng)新的機(jī)遇，使得高溫不再成為限制發(fā)展的瓶頸，而是推動(dòng)科技革新的動(dòng)力。

華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎(chǔ)的MOSFET和碳化硅JBS二極管（結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管）

JBS是一種高性能的功率二極管，結(jié)合了肖特基二極管（SBD）和PIN二極管的特點(diǎn)，旨在滿(mǎn)足高性能功率應(yīng)用的需求。這其中的獨(dú)特之處在于，我們的產(chǎn)品在市場(chǎng)上表現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)與亮點(diǎn)。我們?cè)赨IS能力，即前沿感性負(fù)載開(kāi)關(guān)能力方面具有卓越的表現(xiàn)，這種能力意味著在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，設(shè)備能夠高效地處理能量，其負(fù)載電流每平方交流可達(dá)到10~23安培。這將大大提高設(shè)備的能源利用效率，進(jìn)一步優(yōu)化整體性能。舉個(gè)例子，一個(gè)體重100公斤和一個(gè)50公斤的人，100公斤可能揍兩拳都無(wú)濟(jì)于事，而50公斤一拳就被擊倒。

在這個(gè)情況下，華芯邦的碳化硅mos強(qiáng)調(diào)一種核心能力的關(guān)鍵作用——電源開(kāi)關(guān)MOS的保護(hù)能力。短路可能由多種因素引發(fā)，如設(shè)備進(jìn)水等。一旦發(fā)生短路，電器可能會(huì)燒毀甚至爆炸，無(wú)論是家中的電熨斗、吹風(fēng)機(jī)，還是日常使用的手機(jī)充電器，這些設(shè)備一旦短路，開(kāi)關(guān)MOS的保護(hù)機(jī)制顯得尤為重要。因此，我們更需要具備高效短路保護(hù)能力的開(kāi)關(guān)MOS，確保在短路發(fā)生時(shí)電器內(nèi)部自動(dòng)停止工作，而不是出現(xiàn)冒煙或爆炸現(xiàn)象。 相比之下，有些設(shè)備例如快充頭插上卻沒(méi)有任何反應(yīng)，這其實(shí)是因?yàn)樗鼈儍?nèi)部已經(jīng)啟動(dòng)了短路保護(hù)機(jī)制，這種情況反而是令人放心的表現(xiàn)，因?yàn)樵O(shè)備沒(méi)有發(fā)生爆炸或起火，也沒(méi)有出現(xiàn)變形或變色的現(xiàn)象。這時(shí)，mos管的UIS能力就顯得尤為重要，UIS能力是衡量功率器件可靠性的重要指標(biāo)。

在當(dāng)今科技領(lǐng)域，華芯邦以其卓越的創(chuàng)新實(shí)力，持續(xù)引領(lǐng)前沿技術(shù)的發(fā)展浪潮。在功率器件模塊的諸多優(yōu)勢(shì)中，電源開(kāi)關(guān)MOS的保護(hù)能力尤為關(guān)鍵。這不僅提升了設(shè)備的整體性能，更為關(guān)鍵設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)的保障。面對(duì)瞬息萬(wàn)變的科技進(jìn)步，華芯邦深刻理解保護(hù)能力的重要性，不斷優(yōu)化設(shè)計(jì)，力求每一個(gè)細(xì)節(jié)都能經(jīng)受住時(shí)間的考驗(yàn)。新一代的碳化硅MOSFET與碳化硅JBS二極管，憑借在額定導(dǎo)通電阻或電流下卓越的非嵌位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)（UIS）能力，彰顯出華芯邦在技術(shù)壁壘上的不斷突破。通過(guò)將創(chuàng)新科技與第三代半導(dǎo)體材料完美結(jié)合，華芯邦為未來(lái)的發(fā)展鋪設(shè)了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)之路。

轉(zhuǎn)載自：https://www.hotchip.com.cn/sic-jbs-uis/

審核編輯 黃宇