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DP 2.0接口靜電保護方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-09-27 15:40 ? 次閱讀

DP 2.0接口靜電保護方案

方案簡介

DP接口,全稱是DisplayPort,是一種用于數(shù)字視頻音頻傳輸?shù)挠嬎銠C顯示接口標準。該接口由PC及芯片制造商聯(lián)盟開發(fā),旨在取代傳統(tǒng)的VGA、DVI等接口,提供更加高效、高質(zhì)量的視頻和音頻傳輸。廣泛應(yīng)用于電腦、筆記本電腦、顯示器、電視和投影儀等數(shù)字顯示設(shè)備上。它可以傳輸高清視頻和音頻信號,適用于辦公、游戲、設(shè)計和娛樂等多種場景。DP2.0協(xié)議最大支持16K(15360*8460)的超強分辨率和80 Gbps的原始帶寬,是DP1.4帶寬的2.5倍;同時DP2.0使用了最新的編碼協(xié)議,新標準的帶寬利用率高達97%,有效帶寬峰值為77.4 Gbps,約是DP1.4有效帶寬的3倍。

由于DP接口在系統(tǒng)上是外露給使用者隨時可以插拔的接口,最普遍的應(yīng)用就是隨插即用、隨拔即關(guān),然而這個熱插拔動作卻也經(jīng)常是造成電子系統(tǒng)工作異常、甚至造成后續(xù)電路毀壞的元兇,所以在端口設(shè)計時常??紤]使用器件對接口進行靜電保護,以確保在能穩(wěn)定可靠地工作。普通的防護方案或許會對數(shù)據(jù)的傳輸造成一定影響,隨著消費類電子產(chǎn)品需求的持續(xù)增長,對ESD保護器件性能加強的需求也越來越強烈。靜芯微系列產(chǎn)品可以充分滿足客戶的設(shè)計要求。

DP 2.0接口引腳配置

wKgaomb2YVaAbNhHAAB2TYcMqmM206.png

Pin 名稱 定義 Pin 名稱 定義
1 ML_Lane0(p) 通道0的差分正信號 11 GND 接地
2 GND 接地 12 ML_Lane3(n) 通道3的差分負信號
3 ML_Lane0(n) 通道0的差分負信號 13 GND 接地
4 ML_Lane1(p) 通道1的差分正信號 14 GND 接地
5 GND 接地 15 AUC_CH(p) 附屬通道的差分正信號
6 ML_Lane1(n) 通道1的差分負信號 16 GND 接地
7 ML_Lane2(p) 通道2的差分正信號 17 AUC_CH(n) 附屬通道的差分負信號
8 GND 接地 18 Hot Plug 熱插拔檢測
9 ML_Lane2(n) 通道2的差分負信號 19 DP_PWR Return 接頭電源回復(fù)
10 ML_Lane3(p) 通道3的差分正信號 20 DP_PWR 接頭電源

回掃型ESD提供靜電防護

回掃特性ESD防護器件具有超小封裝體積、超低鉗位電壓、超低結(jié)電容特性,相比常規(guī)工藝 TVS 防護效果更優(yōu),且不影響信號完整性,可更有效保護USB端口免受瞬態(tài)過電壓的影響,為相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)備加固防護,提升消費者使用體驗。

常規(guī)型ESD的電壓會隨著IPP(峰值脈沖電流)的增加而等比例增加,呈現(xiàn)出一個較為線性的增長趨勢。而回掃型ESD器件在當電壓達到VT1(觸發(fā)電壓)后會瞬間將兩端的鉗位電壓拉低,進入一個介于工作電壓VRWM和VT1之間的較低電壓Vh。隨后,隨著電流的增加,電壓逐漸增大,但增長速度相比常規(guī)ESD較慢。其相較于常規(guī)ESD器件的優(yōu)點有:

1. 更低的鉗位電壓:在相同的IPP下,帶回掃ESD的VC(鉗位電壓)比常規(guī)ESD器件低50%以上。這種低鉗位電壓有助于提前釋放能量,更有效地保護集成電路IC)及整個電路的安全;

2. 更低的漏電流:這類ESD器件具有更低的漏電流,有助于降低設(shè)備的功耗,實現(xiàn)更節(jié)能的設(shè)計;

3. 更廣泛的應(yīng)用范圍:帶回掃ESD的優(yōu)異性能使其適用于更廣泛的領(lǐng)域,如低壓移動電子設(shè)備、汽車電子工業(yè)控制等對ESD保護要求較高的場合。

wKgZomb2YVeAGOOUAACOfPXf2kA571.png

通過對比常規(guī)ESD和帶回掃ESD的特性曲線圖及其優(yōu)點,可以看出帶回掃ESD在ESD保護方面具有更出色的性能和應(yīng)用前景。

應(yīng)用方案

wKgaomb2YViAKvhFAAAuavfJlGs107.png

我們?yōu)镈P接口提供了兩種ESD靜電防護器件,專為保護該接口的高速差分線路而設(shè)計,型號分別為SEUCS2Z3V1B和SEUC236T5V4U。分立器件減少了生產(chǎn)成本,集成式器件的流通式封裝設(shè)計簡化了 PCB 布局,減少布線過程中的不連續(xù)性,促進了信號完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性的提升。

其中SEUCS2Z3V1B為回掃型ESD保護器件,結(jié)電容僅有0.2pF,可對單路高速數(shù)據(jù)線進行靜電防護,可以使用八個SEUCS2Z3V1B來保護四對Lane通道。它的工作電壓為 3.3 V,鉗位電壓為僅為5V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±15kV(接觸)下提供瞬變保護。

低速差分通道和熱插拔通道的防護采用了集成多路ESD靜電二極管SEUC236T5V4U,可同時保護DP接口的五個引腳免受靜電放電(ESD)和低等級浪涌事件的沖擊與干擾。它的工作電壓為 5 V,結(jié)電容僅有0.6pF,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,在 ±17kV(空氣)和 ±12kV(接觸)下提供瞬變保護。

型號參數(shù)

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結(jié)電容(pF) 封裝
SEUCS2Z3V1B Bi 3.3 9 5 0.2 CSP0603-2L
SEUC236T5V4U Uni. 5 4.5 15 0.6 SOT-23-6L

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 8.8 10.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3 1 100 nA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 1 V
Clamping Voltage VC IPP=9A; tp=8/20us 5 V
Clamping Voltage VC Ipp=16A,tlp=100ns 6 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.2 0.25 pF

表1 SEUCS2Z3V1B電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 12.0 15.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.6 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5

表2 SEUC236T5V4U電氣特性表

總結(jié)與結(jié)論

隨著科技的發(fā)展和高清顯示需求的不斷增加,DP接口在顯示設(shè)備連接領(lǐng)域越來越重要,保護其免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種等級電容的ESD和TVS保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),為各種接口及通信線路提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護音視頻轉(zhuǎn)換器DP接口的優(yōu)選之策,確保音視頻轉(zhuǎn)換的有序與穩(wěn)定。

審核編輯 黃宇

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