詳細剖析內(nèi)存參數(shù)

說起電腦內(nèi)存，大家相當?shù)牡谝挥∠髴?yīng)該多是的爆內(nèi)存了?，F(xiàn)在的內(nèi)存空間占用越來越大，曾經(jīng)的2/4G都不夠普通使用，更別提游戲了。

其實內(nèi)存的參數(shù)還有很多，像內(nèi)存類型、工作頻率、接口類型這些簡單的參數(shù)，很多人都印象模糊，對更深入的內(nèi)存時序就更摸不著頭腦了。下面簡單了解一下：

內(nèi)存頻率

和CPU一樣，內(nèi)存也有自己的工作頻率，頻率越高代表內(nèi)存處理速度越快。但高頻也內(nèi)存體質(zhì)要求更高，價格更貴。目前DDR3的入門頻率為1333MHz，而DDR4為2400MHz起步。

內(nèi)存容量

內(nèi)存的容量不但是影響內(nèi)存價格的因素，同時也是影響到整機系統(tǒng)性能的因素。現(xiàn)在64位操作系統(tǒng)中，沒有4GB以上的內(nèi)存都不一定能保證操作的流暢度。

因此在目前，單根內(nèi)存的容量主要有4GB、8GB、16GB三種為主，用戶通過雙通道或四通道，組建更大容量的內(nèi)存容量。

工作電壓

內(nèi)存工作的電壓值有所不同，例如DDR3內(nèi)存的工作電壓一般在1.6V左右，DDR4電壓在1.2V。不僅是因為更新迭代制程提高，更低的電壓也更合適筆記本等移動設(shè)備的續(xù)航。

當然一些高頻內(nèi)存需要工作也會稍高于標準電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風險。

內(nèi)存時序參數(shù)

一般我們在查閱內(nèi)存的時序參數(shù)時，如“8-8-8-24”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

簡單的說，這個序列代表著內(nèi)存控制指令的間隔時間，序列低速度就快，但也容易出錯。因此內(nèi)存出廠時會根據(jù)內(nèi)存體質(zhì)，制定好合適的內(nèi)存時序。

內(nèi)存超頻使用

很多DIY玩家都樂于嘗試超頻，但實際上超頻并想象中高深莫測。理解了簡單的內(nèi)存參數(shù)，超頻也并非難事。

內(nèi)存規(guī)格參數(shù)-臺電系列DDR4-2400 8G

內(nèi)存超頻顧名思義，就是讓內(nèi)存運行在更高的頻率上。比如買了DDR4-2400的內(nèi)存，超頻到2666下穩(wěn)定運行，那內(nèi)存的速度就更快，從而壓榨出更高的性價比。

具體操作是通過手動調(diào)節(jié)內(nèi)存時序、電壓等參數(shù)，尋找適合內(nèi)存體質(zhì)的更高頻率。多數(shù)的普條并不支持超頻，少數(shù)可小幅度超頻的則被稱為“神條”。

臺電內(nèi)存均采用原裝內(nèi)存顆粒，擁有強硬硬件體質(zhì)。網(wǎng)上有部分玩家就將A30輕松超頻，并得到穩(wěn)定運行印證了這一點。有興趣的朋友，可以關(guān)注臺電存儲更多動態(tài)報道。

*不過在這里要提醒下各位，超頻可能受限于內(nèi)存、主板等兼容性，還是不建議輕易嘗試。