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詳細剖析28V通用型GaN射頻功率器件以及應(yīng)用

3X1L_gh_f97d258 ? 2017-12-27 11:20 ? 次閱讀

產(chǎn)品概述

1.無內(nèi)匹配設(shè)計,最大化產(chǎn)品的寬帶特性和通用性。

2.依據(jù)芯片和封裝的不同組合,功率涵蓋6W-180W等多種檔次,頻率高達6GHz。

3.產(chǎn)品兼容28-32V供電,產(chǎn)品定標(biāo)于28V。

4.固晶(Die attach),鍵合(Wire bonding),封裝(Package)等金屬化環(huán)節(jié)全面采用金(Au)系統(tǒng)

5.業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式,產(chǎn)品默認形態(tài)為有耳形式(Eared), 可同時滿足焊接和螺釘固定等多種裝配要求。(并提供無耳Earless形式的封裝,具體請咨詢我們)。包括

單端(Single Ended) 器件:MME/GXB

推挽對管(Push Pull)器件:LBB

6.高導(dǎo)熱材料法蘭底座,有效提高產(chǎn)品性能和可靠性

7.產(chǎn)品執(zhí)行完整的直流和射頻測試,確保性能批量一致性。

8.結(jié)溫控制在200攝氏度以下可確保百萬小時量級的平均無故障時間。

產(chǎn)品目錄

詳細剖析28V通用型GaN射頻功率器件以及應(yīng)用

應(yīng)用場景

GaN HEMT (氮化鎵高電子遷移率晶體管) 因其具備的高功率密度、低寄生參數(shù)和高截至頻率 (Ft) 等固有特性,可以作為以下場合的器件首選:

3GHz以上所有形式的功率放大器

3GHz以下LDMOS等技術(shù)不能滿足的高效率窄帶功率放大器

匹配緊湊或小型化功率放大器

>20%相對帶寬的寬帶功率放大器

超寬帶及倍頻程功率放大器

開關(guān)模式或諧波調(diào)制方式工作的功率放大器

典型應(yīng)用:

寬帶及超寬帶通信

移動通信

測試及測量放大器

商業(yè)脈沖放大器

線性放大器

工業(yè)/科技/醫(yī)療

應(yīng)用要點

1.器件的管腳定義

考慮到和LDMOS產(chǎn)品的兼容性以及絕大多數(shù)客戶的使用習(xí)慣,器件的輸出管腿,即Drain極默認為有缺角的一側(cè),另外一側(cè)為輸入柵極,和市場上的部分品牌不同,請客戶使用時注意。

2.器件的安裝方式建議

通常我們的應(yīng)用演示電路都采用將器件直接焊接的方式,以獲得最低的整體熱阻并有效降低接地帶來的源極電感,這對于氮化鎵這種高功率密度的器件尤為重要,特別是寬帶高功率等場合應(yīng)用的時候,我們建議客戶焊接器件使用。如客戶不能焊接器件,必須采用常規(guī)螺釘固定等方式的時候,請注意提供有效散熱。

3.如何考慮器件的升壓使用

通常器件是在28V進行性能定標(biāo)的,如果客戶需要獲得更高的輸出功率或者改善線性等,提高工作電壓是可行手段,例如從28V提升至32V,通常有0.5-1dB的功率提升;在獲得收益的同時,請留意相應(yīng)提高的散熱壓力等負面因素。我們的器件建議在32V以下使用,如果需要進一步提升電壓,請咨詢我們。

4.如何理解器件的輸出功率

我們對功率輸出能力的標(biāo)定,考慮了芯片的功率密度以及應(yīng)用環(huán)境等因素,通常以中等帶寬條件下可實現(xiàn)的輸出能力為準(zhǔn)??蛻羰褂脠龊系牟煌?,會體會到不同的輸出功率。同時,標(biāo)稱功率均指3dB壓縮條件下的飽和輸出功率。以NME4004H為例,作為一個標(biāo)稱40W的器件,在窄帶或者點頻使用中,可以實現(xiàn)大于50W的輸出,但應(yīng)用在倍頻程等超寬帶場合,全頻段的最低輸出能力又會下降到40W以下,例如30W。具體請咨詢我們的技術(shù)支持。

5.連續(xù)波CW和脈沖應(yīng)用

器件均支持連續(xù)波和脈沖應(yīng)用,在常見散熱條件下,脈沖功率略高于連續(xù)波功率。

6.28V 通用型氮化鎵可以用到移動通信功率放大器中嗎?

可以,在Sub-6GHz所有的應(yīng)用上,包括移動通信所有的頻段內(nèi)都可以使用。但是考慮到移動通信的特點,我們針對移動通信常見頻段進行了相應(yīng)的優(yōu)化內(nèi)匹配設(shè)計,開發(fā)出了更有針對性的產(chǎn)品(Telecom 28V GaN, 另行介紹)。

7.28V 氮化鎵產(chǎn)品使用在較低的HF/VHF頻段合適嗎?

氮化鎵的主要優(yōu)勢在于高頻和寬帶。在較低的HF/VHF使用氮化鎵,需要額外考慮極高增益帶來的器件穩(wěn)定性設(shè)計。同時可以考慮我們高性能的28V LDMOS,可以獲得與氮化鎵相近的射頻性能。

超寬帶應(yīng)用范例

NME6003H 150-3000MHz 15W

NU4012H 900-3000MHz 60W

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原文標(biāo)題:蘇州遠創(chuàng)達發(fā)布28V通用型GaN射頻功率器件

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