幾類器件慎重采用串并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。繼電器不允許并聯(lián)一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開(kāi)關(guān)類管子(IGBT、三極管、MOSFET等)不用于串聯(lián)結(jié)構(gòu)以解決單只耐壓不足的問(wèn)題。
原因是:在希望開(kāi)關(guān)管同步導(dǎo)通的時(shí)候,實(shí)際工作中,兩個(gè)的完全同步是做不到的,這種微小的差異會(huì)導(dǎo)致的潛在隱患是一只導(dǎo)通,另一只尚未導(dǎo)通時(shí),全部的耐壓會(huì)施加到一只管子上去,反而容易導(dǎo)致器件的損壞,這在可靠性模型上其實(shí)是容易帶來(lái)問(wèn)題的串聯(lián)模型,并不是我們從功能設(shè)計(jì)理解上的兩只一起分壓實(shí)現(xiàn)的并聯(lián)模型。
通過(guò)兩只繼電器并聯(lián)提供較大電流,繼電器的觸點(diǎn)的同步性也是難以保證的,這樣,啟動(dòng)初期,一直剛導(dǎo)通,另一只還未導(dǎo)通,易引起繼電器觸點(diǎn)粘連。
電容的串聯(lián)是因?yàn)殡娙莸娜葜嫡`差較大,串聯(lián)使用時(shí),其上的分壓會(huì)偏差比較大,所以,最好在每支電容的兩端并上一只電阻(兩只阻值的比值大小與電容的容值比例大小相同,且阻值不要太小,以免靜態(tài)電流大導(dǎo)致靜態(tài)功耗高)
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原文標(biāo)題:器件串并聯(lián)使用的設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)
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