mos管和MOS管的使用方法

MOS管，即金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，是一種電壓驅(qū)動大電流型器件，在電路中尤其是動力系統(tǒng)中有著廣泛的應用。以下是MOS管的使用方法及相關(guān)注意事項：

一、MOS管的極性判定與連接

三個極的判定：

柵極(G)：中間抽頭。

源極(S)：兩條線相交。對于N溝道MOS管，箭頭指向G極，使用時D極接輸入，S極接輸出;對于P溝道MOS管，箭頭背向G極，使用時S極接輸入，D極接輸出。

寄生二極管判定：

N溝道：由S極指向D極。

P溝道：由D極指向S極。

不論N溝道還是P溝道，中間襯底的箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的。不正確的連接方法會導致寄生二極管導通，此時MOS管將失去開關(guān)作用。

二、MOS管的導通條件

NMOS：

電流回路是從D流向S。

導通條件為VGS(柵極與源極之間的電壓)有導通電壓，即G電位高于S電位。適合源極接地的情況(低端驅(qū)動)，柵極高電平即可導通，低電平關(guān)閉。

PMOS：

電流回路是從S流向D。

導通條件也為VGS有導通電壓，但此時S電位高于G電位。適合源極接VCC的情況(高端驅(qū)動)，VGS小于一定值時導通。若S極接電源，柵極低電平導通，高電平關(guān)閉。

三、MOS管的主要參數(shù)

VDS：表示漏極與源極之間所能施加的最大電壓值。

VGS：表示柵極與源極之間所能施加的最大電壓值。

ID：表示漏極可承受的持續(xù)電流值，如果流過的電流超過該值，會引起擊穿的風險。

IDM：表示漏源之間可承受的單次脈沖電流強度，如果超過該值，也會引起擊穿的風險。

RDS(ON)：表示MOS的導通電阻，一般來說導通電阻越小越好，其決定MOS的導通損耗，導通電阻越大損耗越大，MOS溫升也越高。

gfs：表示正向跨導，反映的是柵極電壓對漏源電流控制的能力。gfs過小會導致MOSFET關(guān)斷速度降低，關(guān)斷能力減弱;過大會導致關(guān)斷過快，EMI特性差，同時伴隨關(guān)斷時漏源會產(chǎn)生更大的關(guān)斷電壓尖峰。

IGSS：表示柵極驅(qū)動漏電流，越小越好，對系統(tǒng)效率有較小程度的影響。

VGS(th)：表示MOS的開啟電壓(閥值電壓)。對于NMOS，當Vg>Vs>VGS(th)時，管子導通;對于PMOS，當Vg

四、MOS管的使用注意事項

為了安全使用MOS管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率、最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。

各類型MOS管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，并遵守MOS管偏置的極性。如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓，P溝道管柵極不能加負偏壓。

由于MOS管輸入阻抗極高，在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，并用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。保存時最好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意防潮。

為了防止MOS管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地。在焊接時，先焊源極;在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉。

在安裝MOS管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

對于功率型MOS管，在高負荷條件下運用時，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。

綜上所述，MOS管的使用方法涉及極性判定、導通條件、主要參數(shù)理解以及使用注意事項等多個方面。在使用MOS管時，應嚴格按照其特性和要求進行操作，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。

審核編輯 黃宇