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耦合與退耦以及上拉電阻與下拉電阻的干貨分析

fcsde-sh ? 2018-02-06 09:27 ? 次閱讀

耦合與退耦

什么是耦合電容?什么是去耦電路?

耦合指信號由第一級向第二級傳遞的過程,一般不加注明時往往是指交流耦合。

退耦是指對電源采取進一步的濾波措施,去除兩級間信號通過電源互相干擾的影響。耦合常數(shù)是指耦合電容值與第二級輸入阻抗值乘積對應的時間常數(shù)。

退耦有三個目的:

1.將電源中的高頻紋波去除,將多級放大器的高頻信號通過電源相互串擾的通路切斷。

2.大信號工作時,電路對電源需求加大,引起電源波動,通過退耦降低大信號時電源波動對輸入級/高電壓增益級的影響;

3.形成懸浮地或是懸浮電源,在復雜的系 統(tǒng)中完成各部分地線或是電源的協(xié)調(diào)匹 有源器件在開關(guān)時產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個局部的直流電源給有源器件,以減少開關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導到地。

摘引自倫德全《電路板級的電磁兼容設計》一文,該論文對噪聲耦和路徑、去耦電容和旁路電容的使用都講得不錯。請參閱。

耦合與退耦以及上拉電阻與下拉電阻的干貨分析

干擾的耦合方式

干擾源產(chǎn)生的干擾信號是通過一定的耦合通道對電控系統(tǒng)發(fā)生電磁干擾作用的。干擾的耦合方式無非是通過導線、空間、公共線等作用在電控系統(tǒng)上。

分析下來主要有以下幾種。

直接耦合:這是干擾侵入最直接的方式,也是系統(tǒng)中存在最普遍的一種方式。如干擾信號通過導線直接侵入系統(tǒng)而造成對系統(tǒng)的干擾。對這種耦合方式,可采用濾波去耦的方法有效地抑制電磁干擾信號的傳入。

公共阻抗耦合:這也是常見的一種耦合方式。常發(fā)生在兩個電路的電流有共同通路的情況。公共阻抗耦合有公共地和電源阻抗兩種。防止這種耦合應使耦合阻抗趨近于零、使干擾源和被干擾對象間沒有公共阻抗。

電容耦合:又稱電場耦合或靜電耦合,是由于分布電容的存在而產(chǎn)生的一種耦合方式。

電磁感應耦合:又稱磁場耦合。是由于內(nèi)部或外部空間電磁場感應的一種耦合方式,防止這種耦合的常用方法是對容易受干擾的器件或電路加以屏蔽。

輻射耦合:電磁場的輻射也會造成干擾耦合,是一種無規(guī)則的干擾。這種干擾很容易通過電源線傳到系統(tǒng)中去。另當信號傳輸線較長時,它們能輻射干擾波和接收干擾波,稱為大線效應。

漏電耦合:所謂漏電耦合就是電阻性耦合。這種干擾常在絕緣降低時發(fā)生。記得以前我的觀點是:去藕電容一般容量比較大,也就是避免噪聲耦合到其他部分的意思;旁路電容容量小,提供低阻抗的噪聲回流路徑。 其實這種說法也可以算沒有什么大錯誤。但是經(jīng)過偶查閱了相關(guān)資料,才發(fā)現(xiàn)其實decouple和bypass從根本上來說沒有任何區(qū)別,兩者在稱謂上可以互換。兩者的作用低俗一點說:當電源用。

所謂噪聲其實就是電源的波動,電源波動來自于兩個方面:電源本身的波動,負載對電流需求變化和電源系統(tǒng)相應能力的差別帶來的電壓波動。而去藕和旁路電容都是相對負載變化引起的噪聲來說。所以他們兩個沒有必要做區(qū)分。而且實際上電容值的大小,數(shù)量也是有理論根據(jù)可循的,如果隨意選擇,可能會在某些情況下遇到去藕電容(旁路)和分布參數(shù)發(fā)生自激振蕩的情況。所以真正意義上的去藕和旁路都是根據(jù)負載和供電系 統(tǒng)的實際情況來說的。沒有必要去做區(qū)分,也沒有本質(zhì)區(qū)別。

電容是板卡設計中必用的元件,其品質(zhì)的好壞已經(jīng)成為我們判斷板卡質(zhì)量的一個很重要的方面。

①電容的功能和表示方法。

由兩個金屬極,中間夾有絕緣介質(zhì)構(gòu)成。電容的特性主要是隔直流通交流,因此多用于級間耦合、濾波、去耦、旁路及信號調(diào)諧。電容在電路中用“C”加數(shù)字表示,比如C8,表示在電路中編號為8的電容。

②電容的分類。

電容按介質(zhì)不同分為:氣體介質(zhì)電容,液體介質(zhì)電容,無機固體介質(zhì)電容,有機固體介質(zhì)電容電解電容。按極性分為:有極性電容和無極性電容。按結(jié)構(gòu)可分為:固定電容,可變電容,微調(diào)電容。

③電容的容量。

電容容量表示能貯存電能的大小。電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,容抗與交流信號的頻率和電容量有關(guān),容抗XC=1/2πf c (f表示交流信號的頻率,C表示電容容量)。

④電容的容量單位和耐壓。

電容的基本單位是F(法),其它單位還有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。由于單位F 的容量太大,所以我們看到的一般都是μF、nF、pF的單位。換算關(guān)系:1F=1000000μF,1μF=1000nF=1000000pF。

每一個電容都有它的耐壓值,用V表示。一般無極電容的標稱耐壓值比較高有:63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等。有極電容的耐壓相對比較低,一般標稱耐壓值有:4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。

⑤電容的標注方法和容量誤差。

電容的標注方法分為:直標法、色標法和數(shù)標法。對于體積比較大的電容,多采用直標法。如果是0.005,表示0.005uF=5nF。如果是5n,那就表示的是5nF。

數(shù)標法:一般用三位數(shù)字表示容量大小,前兩位表示有效數(shù)字,第三位數(shù)字是10的多少次方。如:102表示10x10x10 PF=1000PF,203表示20x10x10x10 PF。 \n\n色標法,沿電容引線方向,用不同的顏色表示不同的數(shù)字,第一、二種環(huán)表示電容量,第三種顏色表示有效數(shù)字后零的個數(shù)(單位為pF)。顏色代表的數(shù)值為:黑=0、棕=1、紅=2、橙=3、黃=4、綠=5、藍=6、紫=7、灰=8、白=9。

電容容量誤差用符號F、G、J、K、L、M來表示,允許誤差分別對應為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。

⑥電容的正負極區(qū)分和測量。

電容上面有標志的黑塊為負極。在PCB上電容位置上有兩個半圓,涂顏色的半圓對應的引腳為負極。也有用引腳長短來區(qū)別正負極長腳為正,短腳為負。

當我們不知道電容的正負極時,可以用萬用表來測量。電容兩極之間的介質(zhì)并不是絕對的絕緣體,它的電阻也不是無限大,而是一個有限的數(shù)值,一般在1000兆歐以上。電容兩極之間的電阻叫做絕緣電阻或漏電電阻。只有電解電容的正極接電源正(電阻擋時的黑表筆),負端接電源負(電阻擋時的紅表筆)時,電解電容的漏電流才小(漏電阻大)。反之,則電解電容的漏電流增加(漏電阻減小)。這樣,我們先假定某極為“+”極,萬用表選用R*100或R*1K擋,然后將假定的“+”極與萬用表的黑表筆相接,另一電極與萬用表的紅表筆相接,記下表針停止的刻度(表針靠左阻值大),對于數(shù)字萬用表來說可以直接讀出讀數(shù)。然后將電容放電(兩根引線碰一下),然后兩只表筆對調(diào),重新進行測量。兩次測量中,表針最后停留的位置靠左(或阻值大)的那次,黑表筆接的就是電解電容的正極。 \n\n⑦電容使用的一些經(jīng)驗及來四個誤區(qū)。

一些經(jīng)驗:在電路中不能確定線路的極性時,建議使用無極電解電容。通過電解電容的紋波電流不能超過其充許范圍。如超過了規(guī)定值,需選用耐大紋波電流的電容。電容的工作電壓不能超過其額定電壓。在進行電容的焊接的時候,電烙鐵應與電容的塑料外殼保持一定的距離,以防止過熱造成塑料套管破裂。并且焊接時間不應超過10秒,焊接溫度不應超過260攝氏度。

四個誤區(qū):

●電容容量越大越好。

很多人在電容的替換中往往愛用大容量的電容。我們知道雖然電容越大,為IC提供的電流補償?shù)哪芰υ綇?。且不說電容容量的增大帶來的體積變大,增加成本的同時還影響空氣流動和散熱。關(guān)鍵在于電容上存在寄生電感,電容放電回路會在某個頻點上發(fā)生諧振。在諧振點,電容的阻抗小。因此放電回路的阻抗最小,補充能量的效果也最好。但當頻率超過諧振點時,放電回路的阻抗開始增加,電容提供電流能力便開始下降。電容的容值越大,諧振頻率越低,電容能有效補償電流的頻率范圍也越小。從保證電容提供高頻電流的能力的角度來說,電容越大越好的觀點是錯誤的,一般的電路設計中都有一個參考值的。

●同樣容量的電容,并聯(lián)越多的小電容越好,耐壓值、耐溫值、容值、ESR(等效電阻)等是電容的幾個重要參數(shù),對于ESR自然是越低越好。

ESR與電容的容量、頻率、電壓、溫度等都有關(guān)系。當電壓固定時候,容量越大,ESR越低。在板卡計中采用多個小電容并連多是出與PCB空間的限制,這樣有的人就認為,越多的并聯(lián)小電阻,ESR越低,效果越好。理論上是如此,但是要考慮到電容接腳焊點的阻抗,采用多個小電容并聯(lián),效果并不一定突出。

●ESR越低,效果越好。

結(jié)合我們上面的提高的供電電路來說,對于輸入電容來說,輸入電容的容量要大一點。相對容量的要求,對ESR的要求可以適當?shù)慕档?。因為輸入電容主要是耐壓,其次是吸?a href="http://www.ttokpm.com/tags/mosfet/" target="_blank">MOSFET的開關(guān)脈沖。對于輸出電容來說,耐壓的要求和容量可以適當?shù)慕档鸵稽c。ESR的要求則高一點,因為這里要保證的是足夠的電流通過量。但這里要注意的是ESR并不是越低越好,低ESR電容會引起開關(guān)電路振蕩。而消振電路復雜同時會導致成本的增加。板卡設計中,這里一般有一個參考值,此作為元件選用參數(shù),避免消振電路而導致成本的增加。

●好電容代表著高品質(zhì)。

“唯電容論”曾經(jīng)盛極一時,一些廠商和媒體也刻意的把這個事情做成一個賣點。在板卡設計中,電路設計水平是關(guān)鍵。和有的廠商可以用兩相供電做出比一些廠商采用四相供電更穩(wěn)定的產(chǎn)品一樣,一味的采用高價電容,不一定能做出好產(chǎn)品。衡量一個產(chǎn)品,一定要全方位多角度的去考慮,切不可把電容的作用有意無意的夸大.

上拉與下拉

上拉電阻:

1、當TTL電路驅(qū)動COMS電路時,如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V),這時就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。

2、OC門電路必須加上拉電阻,才能使用。

3、為加大輸出引腳的驅(qū)動能力,有的單片機管腳上也常使用上拉電阻。

4、在COMS芯片上,為了防止靜電造成損壞,不用的管腳不能懸空,一般接上拉電阻產(chǎn)生降低輸入阻抗,提供泄荷通路。

5、芯片的管腳加上拉電阻來提高輸出電平,從而提高芯片輸入信號的噪聲容限增強抗干擾能力。

6、提高總線的抗電磁干擾能力。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。

7、長線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾,加上下拉電阻是電阻匹配,有效的抑制反射波干擾。

上拉電阻阻值的選擇原則包括:

1、從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應當足夠大;電阻大,電流小。

2、從確保足夠的驅(qū)動電流考慮應當足夠??;電阻小,電流大。

3、對于高速電路,過大的上拉電阻可能邊沿變平緩。綜合考慮

以上三點,通常在1k到10k之間選取。對下拉電阻也有類似道理

對上拉電阻和下拉電阻的選擇應結(jié)合開關(guān)管特性和下級電路的輸入特性進行設定,主要需要考慮以下幾個因素:

1. 驅(qū)動能力與功耗的平衡。以上拉電阻為例,一般地說,上拉電阻越小,驅(qū)動能力越強,但功耗越大,設計是應注意兩者之間的均衡。

2. 下級電路的驅(qū)動需求。同樣以上拉電阻為例,當輸出高電平時,開關(guān)管斷開,上拉電阻應適當選擇以能夠向下級電路提供足夠的電流。

3. 高低電平的設定。不同電路的高低電平的門檻電平會有不同,電阻應適當設定以確保能輸出正確的電平。以上拉電阻為例,當輸出低電平時,開關(guān)管導通,上拉電阻和開關(guān)管導通電阻分壓值應確保在零電平門檻之下。

4. 頻率特性。以上拉電阻為例,上拉電阻和開關(guān)管漏源級之間的電容和下級電路之間的輸入電容會形成RC延遲,電阻越大,延遲越大。上拉電阻的設定應考慮電路在這方面的需求。

下拉電阻的設定的原則和上拉電阻是一樣的。

OC門輸出高電平時是一個高阻態(tài),其上拉電流要由上拉電阻來提供,設輸入端每端口不大于100uA,設輸出口驅(qū)動電流約500uA,標準工作電壓是5V,輸入口的高低電平門限為0.8V(低于此值為低電平);2V(高電平門限值)。

選上拉電阻時:

500uA x 8.4K= 4.2即選大于8.4K時輸出端能下拉至0.8V以下,此為最小阻值,再小就拉不下來了。如果輸出口驅(qū)動電流較大,則阻值可減小,保證下拉時能低于0.8V即可。

當輸出高電平時,忽略管子的漏電流,兩輸入口需200uA

200uA x15K=3V即上拉電阻壓降為3V,輸出口可達到2V,此阻值為最大阻值,再大就拉不到2V了。選10K可用。COMS門的可參考74HC系列

設計時管子的漏電流不可忽略,IO口實際電流在不同電平下也是不同的,上述僅僅是原理,一句話概括為:輸出高電平時要喂飽后面的輸入口,輸出低電平不要把輸出口喂撐了(否則多余的電流喂給了級聯(lián)的輸入口,高于低電平門限值就不可靠了)

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原文標題:耦合與退耦,上拉與下拉!

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