相比傳統(tǒng)影視行業(yè),手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短,不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備,呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢(shì),在于它是個(gè)便攜設(shè)備,機(jī)動(dòng)性強(qiáng),只是需要更長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間。深圳銀聯(lián)寶科技專注手機(jī)充電器芯片研發(fā)生產(chǎn),可為您帶來性能更強(qiáng)、待機(jī)更長(zhǎng)的充電器設(shè)備!
充電器芯片SF1538DP封裝形式DIP-8,內(nèi)置高功率MOSFET管,耐壓650V;可編程外部過溫保護(hù)OTP,專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓?jiǎn)?dòng)失??;內(nèi)置4ms軟啟動(dòng),管腳浮空保護(hù),超低啟動(dòng)電流;內(nèi)置頻率抖動(dòng)改善EMI,內(nèi)置高低壓過濾補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線;內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償,逐周期電流限制;內(nèi)置前沿消隱。
充電器芯片SF1538DP引腳說明:
1 RT 此引腳是控制開關(guān)頻率。
2 VDD 芯片供電腳。
3 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。
4 CS 電流采樣輸入腳。
5-6 Drain 內(nèi)置功率MOSFET漏極。
7-8 GND 芯片參考地。
充電器芯片SF1538DP在230VAC(±15%)下,典型輸出功率18W-26W;在85-265VAC下,典型輸出功率15W-18W。支持手持數(shù)碼適配器,電視、電腦輔助電源,手機(jī)、平板充電器,LED驅(qū)動(dòng)電源和替代線性電源等應(yīng)用。SF1538DP既可達(dá)到要求,又可以節(jié)約成本。
副邊反饋控制(SSR)方案,空載范圍大都可以空載在±0.2V以內(nèi),動(dòng)態(tài)調(diào)整率較好。比如在充電器領(lǐng)域,直接對(duì)電池充電的應(yīng)用,一般會(huì)對(duì)空載電壓精度要求高,可以選擇副邊電源IC+恒流芯片來做。對(duì)需要一顆副邊反饋/內(nèi)置MOSFET小功率電源芯片的小伙伴來說,值得考慮入手這款充電器芯片SF1538DP。
深圳銀聯(lián)寶科技近期推出了氮化鎵快充芯片,從幾W到幾十W全面覆蓋,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并降低外圍器件數(shù)量,不僅可以提供高效的電源轉(zhuǎn)換,還包括多種保護(hù)功能以確保電源系統(tǒng)的安全性和可靠性,同樣值得期待!
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原文標(biāo)題:充電器芯片SF1538DP為用戶提供多種選擇
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