內(nèi)存芯片利潤創(chuàng)歷史新高 三星開始投產(chǎn)第二條生產(chǎn)線
韓聯(lián)社周三報道，三星電子有限公司已經(jīng)決定開始在韓國的平澤生產(chǎn)基地建設(shè)第二條內(nèi)存芯片生產(chǎn)線。
芯片制造商正在大力投資，以滿足對半導(dǎo)體的旺盛需求。三星去年表示，計劃到2021年在平澤新的NAND芯片工廠投資14．4萬億韓元。
三星拒絕對韓聯(lián)社報告發(fā)表評論。
三星在平澤的第一條半導(dǎo)體生產(chǎn)線去年7月開始批量生產(chǎn)。
三星證券（Samsung Securities）分析師Lee Jong－wook周三在一份報告中寫道：“在今年對平澤線第一線的投資計劃已經(jīng)結(jié)束后，其運營能力將超過70％?！?/p>
1月下旬，三星以所謂的內(nèi)存芯片“超級周期”驅(qū)動的年度利潤創(chuàng)歷史新高，并預(yù)計2018年半導(dǎo)體需求將保持強勁，尤其是服務(wù)器芯片。
在此公告前，三星電子副主席李在镕周一在一個小組委員會因包括賄賂和貪污罪指控而被判緩刑，并當(dāng)庭釋放。
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