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貿(mào)澤電子供應Toshiba產(chǎn)品組合

貿(mào)澤電子 ? 來源:貿(mào)澤電子 ? 2024-11-07 17:26 ? 次閱讀

??技術(shù)日新月異,我們每天都走在創(chuàng)新的路上,獲取前沿的領(lǐng)域知識,并轉(zhuǎn)化為自己的成果,創(chuàng)造出更適合用戶的產(chǎn)品。在這一路上,貿(mào)澤電子始終會伴你左右,并隨時提供新的采購情報,希望借此能為你帶來更多創(chuàng)新和靈感。以下是本周新品情報,請及時查收:

滿足多個行業(yè)領(lǐng)域需求

Toshiba產(chǎn)品組合

提供超豐富半導體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入(NPI)代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)是Toshiba電子元器件和解決方案的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤有7,000多種Toshiba產(chǎn)品開放訂購,其中3,000多種有現(xiàn)貨庫存,豐富多樣的Toshiba產(chǎn)品組合可幫助買家和工程師開發(fā)滿足市場需求的產(chǎn)品。

Toshiba TCKE9系列23V 4A電子熔斷器可保護電源線路免受外部過流和過壓的影響。除了壓擺率控制、欠壓鎖定(UVLO)、FLAG輸出等功能外,TCKE9系列產(chǎn)品還具有可調(diào)限流和固定電壓鉗位功能。TCKE9使用的電子保險絲可提供標準物理保險絲所不具備的可重復保護和高精度。

Toshiba的UMOS9-H硅N溝道MOSFET是高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)穩(wěn)壓器電機驅(qū)動器的理想選擇。這些MOSFET基于新一代U-MOS9-H溝槽工藝,在所有負載條件下都能實現(xiàn)高效率。這些器件具有80V漏極-源極電壓、±20V柵極-源極電壓和175°C溝道溫度。UMOS9-H MOSFET采用DPAK封裝,可實現(xiàn)低導通電阻(RDS(ON))和低輸出電荷(QOSS),從而提高基站、服務器或工業(yè)設(shè)備中使用的開關(guān)電源的效率。

Toshiba的40V和50V全集成步進電機驅(qū)動器具有低導通電阻、精細的微步進和緊湊的外形尺寸,并具有電機驅(qū)動增強功能,適用于執(zhí)行器和數(shù)控機床等各種工業(yè)應用。這些器件可通過內(nèi)置穩(wěn)壓器,使用單個VM電源來驅(qū)動電機。

TLP2362B、TLP2368B、TLP2762B和TLP2768B高速隔離式光耦合器可支持和處理會增加不必要的抖振噪聲的慢速輸入。這些器件簡化了設(shè)計,無需傳統(tǒng)上用來降低顫振噪聲的必要外部元件(比如施密特觸發(fā)器)。這些光耦合器集成了內(nèi)部法拉第屏蔽,保證了±50 kV/μs的共模瞬態(tài)抗擾度,非常適合可編程邏輯控制器、工廠自動化以及測試和測量設(shè)備。

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原文標題:Toshiba產(chǎn)品組合

文章出處:【微信號:貿(mào)澤電子,微信公眾號:貿(mào)澤電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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