0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

合科泰NMOS管HKTD80N06的應(yīng)用分析

合科泰半導(dǎo)體 ? 來源:合科泰半導(dǎo)體 ? 2024-11-08 15:43 ? 次閱讀

MOS管作為一種應(yīng)用廣泛的MOS產(chǎn)品,它具有熱穩(wěn)定性好、抗干擾能力強、功耗較低、噪聲低、抗干擾能力強、電壓控制能力強等特點,在很多開關(guān)、驅(qū)動電路等上面具有廣闊應(yīng)用前景。

合科泰生產(chǎn)的一款MOS管HKTD80N06產(chǎn)品采用N溝道制作,它具有很好的電氣性能,,其能承受的最大漏源電壓60V,柵源電壓20V,連續(xù)漏極電流80A,漏源導(dǎo)通電阻0.0065歐姆,最小柵極閾值電壓2V,最小柵極閾值電壓4V,耗散功率100mW。它具有超低功耗、充分表征雪崩電壓、模壓塑料材料溫度可靠等特點。高電流承載能力,能承受高達80A的連續(xù)漏極電流,使得它非常適合于需要高電流的應(yīng)用場景,如電機驅(qū)動、逆變器電池管理系統(tǒng)(BMS)等。該MOS管具有60V的最大漏源電壓承受能力,適用于需要高耐壓能力的電路。導(dǎo)通電阻較低,有助于減少功耗和熱量產(chǎn)生,提高電路的效率和穩(wěn)定性。具有快速的開關(guān)速度,使得它在高頻開關(guān)電源數(shù)字電路中表現(xiàn)出色,快速開關(guān)有助于減少開關(guān)損耗。散熱性能優(yōu)異,可靠性高,體積小、重量輕。

合科泰這款HKTD80N06管子采用TO-252封裝,產(chǎn)品具有更小的封裝尺寸和高功率密度,能夠有效節(jié)省電路板空間,具有更低的導(dǎo)通電阻和更大的接地面積,有利于散熱管理,提高了在高功率應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能,耐壓和耐流特性好,應(yīng)用廣泛,可用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器電源電路

HKTD80N06產(chǎn)品在電機驅(qū)動、逆變器、BMS、LED驅(qū)動電路等多種應(yīng)用場景中都有廣泛應(yīng)用。如在電機控制電路中,它用于驅(qū)動電機,確保電機運行的可靠性和效率;在逆變器中,它用于功率變換和信號放大,提升系統(tǒng)的效率和性能。穩(wěn)定的性能在電子電路中發(fā)揮著重要作用。

作為一款高性能MOS管,HKTD80N06產(chǎn)品應(yīng)用很多,比如,在在電機驅(qū)動電路中,這款MOS管用于驅(qū)動電機,通過其高電流承載能力確保電機運行的可靠性和效率。特別是在直流電機驅(qū)動上,如滑板車、平衡車等電動工具,通過不斷改變這個管子的開關(guān)狀態(tài),可以實現(xiàn)對電機的調(diào)速控制。它還適用于高電流電機驅(qū)動模塊,如工業(yè)電機控制、電動工具等領(lǐng)域。在電池管理系統(tǒng)中,HKTD80N06用于保護電池和管理充電/放電過程。它能給電路提供精確的電流控制和過流保護,確保電池的安全和延長使用壽命。

40a1d664-9d9f-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

還有,在開關(guān)電源中,HKTD80N06管被用作開關(guān)元件。憑借其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,它能有效提高電源的效率和穩(wěn)定性。低導(dǎo)通電阻減少了功耗和熱量產(chǎn)生,而高開關(guān)速度則減少了開關(guān)損耗,提升了整體效率。此外,在逆變器應(yīng)用中,它可以用于功率變換和信號放大,其優(yōu)異的開關(guān)特性和低損耗提升了系統(tǒng)的效率和性能。在汽車電子系統(tǒng)中,HKTD80N06被用于控制各種負(fù)載,如照明系統(tǒng)、電動窗戶和汽車風(fēng)扇等。憑借其高耐壓和強大的電流能力,80N06MOS管能夠保障汽車電子設(shè)備的穩(wěn)定運行。

此外,HKTD80N06還廣泛應(yīng)用于各種電源系統(tǒng)和功率模塊,如直流-直流轉(zhuǎn)換器電源開關(guān)模塊等。在這些應(yīng)用中,80N06MOS管提供高效的功率控制和開關(guān)性能,滿足各種高電流、高功率的應(yīng)用需求。這款管子的穩(wěn)定性、可靠性得到了很多客戶以及應(yīng)用端驗證,歡迎大家來了解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電機
    +關(guān)注

    關(guān)注

    142

    文章

    8874

    瀏覽量

    144822
  • NMOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    120

    瀏覽量

    5386
  • 合科泰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    100

    瀏覽量

    309

原文標(biāo)題:合科泰生產(chǎn)的NMOS管HKTD80N06,可用于電機驅(qū)動和電源等應(yīng)用

文章出處:【微信號:合科泰半導(dǎo)體,微信公眾號:合科泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    NMOS和PMOS的定義

      NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體
    發(fā)表于 02-16 17:00 ?6873次閱讀
    <b class='flag-5'>NMOS</b><b class='flag-5'>管</b>和PMOS<b class='flag-5'>管</b>的定義

    惠海半導(dǎo)體60V50A低結(jié)電容SGT工藝NMOSHG012N06L

    (MOSFET)MOS型號:惠海半導(dǎo)體HG012N06LMOS參數(shù):60V50A(50N06)內(nèi)阻:11mR(VGS=10V)結(jié)電容:
    發(fā)表于 08-29 14:51

    SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS

    `深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷SLD80N06T 參數(shù):60V
    發(fā)表于 04-07 15:06

    為什么這家本土分立器件企業(yè)能做到年產(chǎn)能100億顆?

    翟總介紹,以TO-252封裝為例,目前的熱銷型號有78MXX、HKTD20N06、HKTD50N03 、
    的頭像 發(fā)表于 12-22 14:21 ?853次閱讀

    NMOSHKTQ50N03與HKTQ80N03應(yīng)用案例

    MOS也叫場效應(yīng),它可以分為PMOS(P溝道型)和NMOSN溝道型),屬于絕緣柵場效應(yīng)
    發(fā)表于 02-20 09:58 ?818次閱讀

    NP80N06MLG、NP80N06NLG、NP80N06PLG 數(shù)據(jù)表

    NP80N06MLG、NP80N06NLG、NP80N06PLG 數(shù)據(jù)表
    發(fā)表于 04-21 19:14 ?0次下載
    NP<b class='flag-5'>80N06</b>MLG、NP<b class='flag-5'>80N06</b>NLG、NP<b class='flag-5'>80N06</b>PLG 數(shù)據(jù)表

    低功耗MOS產(chǎn)品HKTD90N03的特性、原理及應(yīng)用

    低功耗MOS具有其獨特的優(yōu)勢,它在很多低壓驅(qū)動控制電路和開關(guān)電路中應(yīng)用廣泛。本期,給大家介紹一款低壓低功耗MOS產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 01-22 10:40 ?732次閱讀
    低功耗MOS<b class='flag-5'>管</b>產(chǎn)品<b class='flag-5'>HKTD90N</b>03的特性、原理及應(yīng)用

    榮獲國家實用新型專利證書

    2024年07月19日,由集團研發(fā)的“管腳站立度快速檢驗裝置”榮獲國家實用新型專利,并頒發(fā)證書。本實用新型提供管腳站立度快速檢驗裝置,涉及半導(dǎo)體器件管腳檢驗技術(shù)領(lǐng)域。本次專利是我司倡導(dǎo)技術(shù)創(chuàng)新
    的頭像 發(fā)表于 07-19 18:03 ?1290次閱讀

    NMOSHKTD80N06的特性和應(yīng)用

    MOS通常在電子電路中作為電子開關(guān),通過控制柵極電壓來開啟或關(guān)閉電流的流動,它具有開關(guān)速度快噪聲低、功耗小等優(yōu)點。本文給大家推薦一款在國內(nèi)生產(chǎn)的N溝道MOSHKTD80N06,它在
    的頭像 發(fā)表于 08-01 11:17 ?457次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b><b class='flag-5'>NMOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>HKTD80N06</b>的特性和應(yīng)用

    NMOSHKTQ80N03的特性和應(yīng)用

    NMOS產(chǎn)品在開關(guān)電路和電壓電流等調(diào)節(jié)電路上具有廣泛應(yīng)用。作為一家專業(yè)生產(chǎn)MOS等產(chǎn)品的廠商,生產(chǎn)的這款HKTQ
    的頭像 發(fā)表于 08-01 11:22 ?359次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b><b class='flag-5'>NMOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTQ<b class='flag-5'>80N</b>03的特性和應(yīng)用

    PMOSAO4435的特性和應(yīng)用

    P型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū),作為NMOS的源漏區(qū);PMOS是在N型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū),作為PMOS的源漏區(qū)。本期,
    的頭像 發(fā)表于 09-13 09:14 ?307次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>PMOS<b class='flag-5'>管</b>AO4435的特性和應(yīng)用

    NMOSHKTG50N03的特性和應(yīng)用

    電路以及功率電子應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用,具體包括邏輯門電路、放大器、開關(guān)電源、驅(qū)動電路等。N溝道制作的MOS由P型襯底和兩個高濃度P擴散區(qū)構(gòu)成,管子導(dǎo)通時在兩個高濃度N擴散區(qū)間形成N型導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 09-13 09:20 ?355次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b><b class='flag-5'>NMOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTG50<b class='flag-5'>N</b>03的特性和應(yīng)用

    MOSHKTD5N20的應(yīng)用領(lǐng)域

    本期,給大家推薦一款應(yīng)用廣泛的MOS 產(chǎn)品,它在電機驅(qū)動、LED和電源上有重要應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-11 11:19 ?182次閱讀

    NMOSHKTD20N06的應(yīng)用場景

    本期,給大家介紹一款性能強大的NMOSHKTD20N06,它可用于電機驅(qū)動和電源模塊等產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 10-12 09:12 ?193次閱讀

    NMOSHKTD70N04產(chǎn)品概述

    作為一種重要的電子元件,MOS在電子電路中扮演著關(guān)鍵角色,MOS由源極、柵極、漏極組成,MOS在開關(guān)電路中,通過柵極控制源極和漏極的通斷,它具有高輸入阻抗、使用靈活方便等特點,非常適合高度集成化的應(yīng)用。本期,
    的頭像 發(fā)表于 10-21 09:39 ?127次閱讀