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聯(lián)發(fā)科攜手臺(tái)積電、新思科技邁向2nm芯片時(shí)代

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-11-11 15:52 ? 次閱讀

近日,聯(lián)發(fā)科AI相關(guān)領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)力引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)悉,聯(lián)發(fā)科正采用新思科技以AI驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)流程,用于2nm制程上的先進(jìn)芯片設(shè)計(jì),這一舉措標(biāo)志著聯(lián)發(fā)科正朝著2nm芯片時(shí)代邁進(jìn)。

此前,聯(lián)發(fā)科在3nm 5G旗艦芯片的推出上已經(jīng)領(lǐng)先了高通,而此次2nm制程的進(jìn)展更是備受矚目。為了在這一領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位,聯(lián)發(fā)科與新思科技擴(kuò)大了協(xié)作范圍,共同利用臺(tái)積電最先進(jìn)的制程與3DFabric技術(shù),提供先進(jìn)的EDA與IP解決方案,為AI與多晶粒設(shè)計(jì)加速創(chuàng)新。

新思科技近日宣布,他們將繼續(xù)與臺(tái)積電密切合作,為聯(lián)發(fā)科等合作伙伴提供強(qiáng)大的技術(shù)支持。通過(guò)這一合作,聯(lián)發(fā)科的設(shè)計(jì)人員可以在臺(tái)積電2nm制程上開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足高性能模擬設(shè)計(jì)硅芯片需求的產(chǎn)品,從而進(jìn)一步提升其在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

業(yè)界分析認(rèn)為,聯(lián)發(fā)科此次攜手臺(tái)積電和新思科技,將為其在2nm芯片領(lǐng)域的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展,聯(lián)發(fā)科將繼續(xù)加大在AI相關(guān)領(lǐng)域的投入,推動(dòng)芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新與發(fā)展。

可以預(yù)見(jiàn),未來(lái)聯(lián)發(fā)科將在2nm芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力,為全球消費(fèi)者帶來(lái)更加先進(jìn)的芯片產(chǎn)品和解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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