森國科650V/6A IGBT的性能特點

森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅(qū)動和精準控制。

在風扇中，IGBT的場截止溝槽技術能夠提供更低的傳導損耗和開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率并減少能耗；

在泵中，IGBT的低損耗特性有助于減少發(fā)熱量，有效簡化散熱設計；

在吸塵器中，650V IGBT的高速開關特性使其適用于吸塵器中的電機控制，能夠快速響應不同的清潔需求，同時保持較低的功耗。因此，在電源管理解決方案，IGBT產(chǎn)品有著不可替代的優(yōu)勢。

性能特點

最大結(jié)溫：TJ=175°C

短路耐受時間超過10 μs

易于并聯(lián)使用

VCE(sat)正溫度系數(shù) 高效電機驅(qū)動 高魯棒性 競爭優(yōu)勢

高頻開關能力

優(yōu)異的熱管理能力 廣泛的應用領域

應用領域

電機驅(qū)動器

家用電器 風扇、泵、真空吸塵器

最大額定數(shù)值

關于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機驅(qū)動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都、蘇州設有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學歷占比50%，來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構(gòu)，囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業(yè)大學等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動、BLDC及FOC電機的驅(qū)動。經(jīng)過5年的發(fā)展，該產(chǎn)品線的團隊在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)?；旌?、電機驅(qū)動算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動芯片，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機驅(qū)動芯片方面，已經(jīng)推出單相BLDC散熱風扇電機系列，即將推出三相BLDC電機驅(qū)動系列。

森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力，成為全球領先的功率半導體公司！