0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSFET的每個特性參數(shù)詳解

貿(mào)澤電子設(shè)計圈 ? 來源:未知 ? 作者:鄧佳佳 ? 2018-03-01 09:14 ? 次閱讀

1.絕對最大額定值

2、電參數(shù)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

原文標題:分析MOSFET的每個特性參數(shù),講的非常詳細!

文章出處:【微信號:Mouser-Community,微信公眾號:貿(mào)澤電子設(shè)計圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    電力場效應(yīng)管的動態(tài)特性和主要參數(shù)

    MOSFET的動態(tài)特性及其相關(guān)參數(shù)對于理解其在電路中的行為和優(yōu)化系統(tǒng)性能至關(guān)重要。以下是對電力MOSFET動態(tài)特性和主要
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:21 ?331次閱讀

    電力場效應(yīng)管的靜態(tài)特性和主要參數(shù)

    電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力電子領(lǐng)域具有重要地位。它們的靜態(tài)特性和主要參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:20 ?147次閱讀

    MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥?

    我將分享關(guān)于MOSFET中幾個關(guān)鍵溫度參數(shù)的計算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。1.MOSFET溫度參數(shù)的重要性在電力電子應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 08-30 11:51 ?347次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>器件<b class='flag-5'>參數(shù)</b>:TJ、TA、TC到底講啥?

    MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥

    在本文中,我將分享關(guān)于MOSFET中幾個關(guān)鍵溫度參數(shù)的計算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。 1. MOSFET溫度參數(shù)的重要性 在電力電子應(yīng)用中,溫度是影響
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:00 ?1545次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>器件<b class='flag-5'>參數(shù)</b>:TJ、TA、TC到底講啥

    MOSFET參數(shù)與工藝

    MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的核心元件之一,其參數(shù)與工藝對于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOSFET的主要參數(shù)、不同工藝類型及
    的頭像 發(fā)表于 07-24 16:31 ?394次閱讀

    功率 MOSFET、其電氣特性定義

    應(yīng)用圖 4 顯示了使用功率 MOSFET 應(yīng)用的工作條件,其中負載電感和工作頻率為參數(shù)。市場要求是(1)提高節(jié)能性,(2)降低噪音(環(huán)境考慮),(3)更小、更薄的設(shè)計。對于功率MOSFET所要求的
    發(fā)表于 06-11 15:19

    MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作特性

    集成電路、功率電子、模擬電路等領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。本文將詳細闡述MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作特性,并通過數(shù)字和信息進行具體說明。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:35 ?607次閱讀

    如何使用MosFET開啟特性來抑制浪涌電流?

    是否有白皮書明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流? 設(shè)計類似于 TLE9853 評估板,H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通過模擬感性負載,我們 CAN 控制電流
    發(fā)表于 01-29 07:41

    【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要

    【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:15 ?297次閱讀
    【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>特性</b>摘要

    MOSFET漏極導通特性與開關(guān)過程簡析

    本文就MOSFET的開關(guān)過程進行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學習工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程,然后從漏極導通特性、也就是放
    的頭像 發(fā)表于 12-04 16:00 ?1079次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>漏極導通<b class='flag-5'>特性</b>與開關(guān)過程簡析

    功率MOSFET雪崩特性分析

    功率MOSFET雪崩特性分析
    的頭像 發(fā)表于 12-04 14:12 ?695次閱讀
    功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>雪崩<b class='flag-5'>特性</b>分析

    逆變器輸出特性與非線性負載——看似簡單的整流電路詳解(六)

    逆變器輸出特性與非線性負載——看似簡單的整流電路詳解(六)
    的頭像 發(fā)表于 12-01 16:44 ?960次閱讀
    逆變器輸出<b class='flag-5'>特性</b>與非線性負載——看似簡單的整流電路<b class='flag-5'>詳解</b>(六)

    【科普小貼士】MOSFET的性能:電容的特性

    【科普小貼士】MOSFET的性能:電容的特性
    的頭像 發(fā)表于 11-23 09:09 ?1113次閱讀
    【科普小貼士】<b class='flag-5'>MOSFET</b>的性能:電容的<b class='flag-5'>特性</b>

    一文詳解MOSFET的非理想特性

    MOSFET的非理想特性對模擬集成電路設(shè)計具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個方面,包括電容、體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制、亞閾值導通、遷移率下降以及飽和速度和壓敏降閾。同時,工藝、電壓和溫度變化也對晶體管性能產(chǎn)生影響。因此,在模擬
    的頭像 發(fā)表于 11-16 16:15 ?1589次閱讀
    一文<b class='flag-5'>詳解</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的非理想<b class='flag-5'>特性</b>

    功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

    眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率,且開關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
    發(fā)表于 10-18 09:11 ?2011次閱讀
    功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>結(jié)構(gòu)和<b class='flag-5'>參數(shù)</b>解讀