Qorvo推出業(yè)內最強大的GaN－on－SiC晶體管

關鍵型IFF和航空電子應用的信號完整性和范圍得到大幅提升

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN－on－SiC）RF晶體管－－－QPD1025。QPD1025在65 V下運行1.8KW，提供出色的信號完整性和更大的范圍，這對L頻段航空電子應用來說至關重要。

Strategy Analytics公司的戰(zhàn)略技術實踐執(zhí)行總監(jiān)Asif Anwar表示，“Qorvo的QPD1025晶體管對市場來說是真正顛覆性的產(chǎn)品。提供與硅基LDMOS和硅雙極器件相比，它不僅具備相同的脈沖功率和占空比性能，在效率上還有了顯著提升。Qorvo推出的這款高功率和高效率解決方案，在熱管理工藝流程中無需采用金剛石等耐高溫材料，具備極高的高性價比?！?br />
Qorvo高功率解決方案部總經(jīng)理Roger Hall表示，“這款新型高功率晶體管無需結合放大器的復雜操作便可實現(xiàn)數(shù)千瓦的解決方案，能夠大幅節(jié)省客戶的時間和成本。與LDMOS相比，QPD1025的漏極效率有了顯著提升，效率高出近15個百分點，這對IFF和航空電子應用來說都非常重要。”

Qorvo提供業(yè)內種類最多、最具創(chuàng)意的GaN－on－SiC產(chǎn)品組合。Qorvo產(chǎn)品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工藝成熟的特點，早在2000年就開始批量生產(chǎn)。

QPD1025的工程樣品現(xiàn)已上市。

QPD1025 1800 W、65 V、GaN RF輸入匹配晶體管

頻率范圍：1.0至1.1 GHz

線性增益：22.5 dB（1.0 GHz負載牽引時）

PAE3dB典型值：77.2%（1.0 GHz負載牽引時）

支持CW和脈沖模式

封裝：4引腳NI－1230（無耳式）