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LCR數(shù)字電橋的選購(gòu)方法_lcr數(shù)字電橋功能介紹

姚小熊27 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2018-03-30 09:51 ? 次閱讀

LCR數(shù)字電橋原理

LCR數(shù)字電橋是屬于線(xiàn)纜電性能檢測(cè)范疇,不同于燃燒試驗(yàn)機(jī)、拉力試驗(yàn)機(jī)等,提到數(shù)字電橋,傳統(tǒng)的說(shuō)法都是能夠測(cè)量電感,電容,電阻,阻抗的儀器,但是隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步,尤其是現(xiàn)代模擬和數(shù)字技術(shù)的發(fā)展,早期的電橋法測(cè)阻抗也已經(jīng)被淘汰,但是,LCR數(shù)字電橋的叫法卻一直沿用至今,但其名字的真正原因是電橋內(nèi)部安裝微處理器,今天,宇諾小編想跟大家分享一下LCR數(shù)字電橋工作原理

L:電感(為了紀(jì)念物理學(xué)家HeinrichLenz),C:電容(Capacitor),R:電阻(Resistance),數(shù)字電橋就是能夠測(cè)量電感,電容,電阻,阻抗的儀器,數(shù)字電橋的測(cè)量對(duì)象為阻抗元件的參數(shù),包括交流電阻R、電感L及其品質(zhì)因數(shù)Q,電容C及其損耗因數(shù)D。因此,又常稱(chēng)數(shù)字電橋?yàn)閿?shù)字式LCR測(cè)量?jī)x。其測(cè)量用頻率自工頻到約100千赫?;緶y(cè)量誤差為0.02%,一般均在0.1%左右。

數(shù)字電橋原理如圖所示。圖中DUT為被測(cè)件,其阻抗用Zx表示,Rr為標(biāo)準(zhǔn)電阻器。切換開(kāi)關(guān)可分別測(cè)出兩者的電壓Ux與Ur,于是有下式:

Zx=Ux/Ix=Rr*Ux/Ur

此式為一相量關(guān)系式。如使用相敏檢波器(PSD)分別測(cè)出Ux和Ur對(duì)應(yīng)于某一參考相量的同相量分量和正交分量,然后經(jīng)模數(shù)轉(zhuǎn)換(A/D)器將其轉(zhuǎn)化為數(shù)字量,再由計(jì)算機(jī)進(jìn)行復(fù)數(shù)運(yùn)算,即可得到組成被測(cè)阻抗Zx的電阻值與電抗值。

LCR數(shù)字電橋的選購(gòu)方法_lcr數(shù)字電橋功能介紹

從圖中的線(xiàn)路及工作原理可見(jiàn),數(shù)字電橋只是繼承了電橋傳統(tǒng)的稱(chēng)呼。實(shí)際上它已失去傳統(tǒng)經(jīng)典交流電橋的組成形式,而是在更高的水平上回到以歐姆定律為基礎(chǔ)的測(cè)量阻抗的電流表、電壓表的線(xiàn)路和原理中。

數(shù)字電橋可用于計(jì)量測(cè)試部門(mén)對(duì)阻抗量具的檢定與傳遞,以及在一般部門(mén)中對(duì)阻抗元件的常規(guī)測(cè)量。很多數(shù)字電橋帶有標(biāo)準(zhǔn)接口,可根據(jù)被測(cè)值的準(zhǔn)確度對(duì)被測(cè)元件進(jìn)行自動(dòng)分檔;也可直接連接到自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),用于元件生產(chǎn)線(xiàn)上對(duì)產(chǎn)品自動(dòng)檢驗(yàn),以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程的質(zhì)量控制。

選擇LCR數(shù)字電橋關(guān)心的主要方面

A)測(cè)量準(zhǔn)確度

測(cè)量準(zhǔn)確度是反映儀器性能的主要指標(biāo)之。確切了解所需儀器的準(zhǔn)確度是準(zhǔn)確評(píng)價(jià)元件優(yōu)劣的關(guān)鍵。一般地,儀器準(zhǔn)確度應(yīng)比測(cè)量元件的技術(shù)指標(biāo)高3—5倍。更為重要的是.通常儀器樣本或其它宣傳資料給出的是在某種條件下的最高準(zhǔn)確度,這是最能產(chǎn)生混淆之處,應(yīng)了解被測(cè)量元件在測(cè)量頻率下呈現(xiàn)的阻抗在對(duì)應(yīng)該測(cè)量條件下的儀器準(zhǔn)確度是否滿(mǎn)足測(cè)量要求。

B)測(cè)試信號(hào)頻率與電平

測(cè)試頻率、電平是元件檢測(cè)需確定的首要參數(shù),也是反映元件要素相關(guān)性的最重要內(nèi)容,對(duì)正確選擇LCR電橋是極為重要的,

C)儀器價(jià)位

購(gòu)買(mǎi)儀器前,應(yīng)確定需要儀器的性能和功能,將購(gòu)買(mǎi)預(yù)算進(jìn)行估算。一般地,儀器定價(jià)是根據(jù)頻率準(zhǔn)確度、性能等要素綜合確定的。經(jīng)過(guò)近幾年的努力,國(guó)產(chǎn)LCR電橋的技術(shù)和工藝水平與國(guó)外先進(jìn)水平的差距已大大縮短。相同檔次的國(guó)產(chǎn)儀器與進(jìn)口相比價(jià)格相差2-6倍。

LCR數(shù)字電橋的選購(gòu)方法

a)LCR數(shù)字電橋可以使用兩種等效電路模式來(lái)測(cè)量L、C或R:并聯(lián)和串聯(lián),如下表:

LCR數(shù)字電橋的選購(gòu)方法_lcr數(shù)字電橋功能介紹

b)電容的電路模式的選擇

小電容::小電容可產(chǎn)生大電抗,這意味著相比之下并聯(lián)電阻(Rp)的影響明顯大于串聯(lián)電阻(Rs)的影響。與容抗相比,Rs表示的電阻值的影響可忽略不計(jì),所以應(yīng)使用并聯(lián)電路模式(Cp-D或Cp-G)。

大電容:測(cè)量涉及大電容值(低阻抗),則Rs比Rp更重要,所以應(yīng)使用串聯(lián)電路模式(Cs-D或Cs-Q)。

c)電感的電路模式的選擇

大電感:給定頻率下的電抗相對(duì)較大(與小電感的電抗相比),所以并聯(lián)電阻比串聯(lián)電阻更重要。因此,并聯(lián)等效電路模式(Lp-D、Lp-Q或Lp-G)更為適用。

小電感:對(duì)于小的電感值,電抗變得相對(duì)較?。ㄅc大電感的電抗相比),所以串聯(lián)電阻分量更重要。因此,串聯(lián)等效電路模式(Ls-D或Ls-Q)更適用。

d)以下經(jīng)驗(yàn)法則可用于根據(jù)電容或電感阻抗大小來(lái)選擇電路模式:

阻抗大于約10kΩ使用并聯(lián)電路模式。

阻抗小于約10Ω使用串聯(lián)電路模式。

阻抗在兩值之間根據(jù)電容器電感器制造商的建議進(jìn)行選擇。

LCR數(shù)字電橋選型表

LCR數(shù)字電橋的選購(gòu)方法

LCR數(shù)字電橋有哪些功能

使用了微處理器的LCR電橋則叫LCR數(shù)字電橋。一般用戶(hù)又稱(chēng)這些為:LCR測(cè)試儀、LCR電橋、LCR表、LCRMeter等等??梢跃_測(cè)量大量電子元件:廣泛的測(cè)量對(duì)象半導(dǎo)體元件:電容器、電感器、磁芯、電阻器、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)測(cè)量。其它元件:印制電路板、繼電器、開(kāi)關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估。

介質(zhì)材料:塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)的損耗角評(píng)估。

磁性材料:鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估。半導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù),導(dǎo)電率和C-V特性。

液晶材料:液晶單元的介電子常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性。多種元件、材料特性測(cè)量能力多參數(shù)混合顯示功能多參數(shù)同時(shí)顯示可滿(mǎn)足復(fù)雜元件各種分布參數(shù)的全面觀(guān)察與評(píng)估要求,而不必反復(fù)切換測(cè)量參數(shù)。電感L和其直流電阻DCR可以同時(shí)測(cè)量顯示,顯著提高電感測(cè)量效率。揭示電感器件的多種特性使用內(nèi)部/外部直流偏置,結(jié)合各種掃描測(cè)試功能,可以精確地分析磁性材料、電感器件的性能。通過(guò)偏置電流疊加測(cè)試功能,可以精確測(cè)量高頻電感器件、通訊變壓器,濾波器的小電流疊加性能。使用外部電流疊加裝置,可使偏置電流達(dá)40A以精確分析高功率、大電流電感器件。精確的陶瓷電容測(cè)量1kHz和1MHz是陶瓷材料和電容器的主要測(cè)試頻率。

陶瓷電容器具有低損耗值的特征,同時(shí)其容量、損耗施加之交流信號(hào)會(huì)產(chǎn)生明顯的變化。儀器具有寬頻測(cè)試能力并可提供良好的準(zhǔn)確度,六位分辨率和自動(dòng)電平控制(ALC)功能等,中以滿(mǎn)足陶瓷材料和電容器可靠、準(zhǔn)確的測(cè)試需要。液晶單元的電容特性測(cè)量電容-電壓(C-Vac)特性是評(píng)價(jià)液晶材料性能的主要方法,常規(guī)儀器測(cè)量液晶單元的C-Vac特性遇到一個(gè)問(wèn)題是最大測(cè)試電壓不夠。使用擴(kuò)展測(cè)量選件可提供分辨率為1%及最高達(dá)20Vms的可編程測(cè)試信號(hào)電平,使它能在最佳條件下進(jìn)行液晶材料的電容特性測(cè)量。半導(dǎo)體材料和元件的測(cè)量進(jìn)行MOS型半導(dǎo)體制造工藝評(píng)價(jià)時(shí),需要氧化層電容和襯底雜質(zhì)密度這些參數(shù),這些可從C-Vdc特性的測(cè)量結(jié)果推導(dǎo)出來(lái)。通過(guò)提供的直流源,結(jié)合各種掃描功能,可以方便地完成C-VDC特性的測(cè)量。為了測(cè)試晶圓上的半導(dǎo)體器件,需要延伸電纜和探頭,儀器的1m/2m/4m延伸電纜選件可將電纜延伸的誤差降至最小。各種二極管、三極管、MOS管的分布電容也是本儀器的測(cè)試內(nèi)容。


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