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如何對(duì)集成電路模擬輸入和輸出進(jìn)行高壓瞬變保護(hù)

Sq0B_Excelpoint ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2018-04-10 08:45 ? 次閱讀
本文將要解決的兩個(gè)問題
  • 如何依據(jù) IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,對(duì)集成電路模擬輸入和輸出進(jìn)行高壓瞬變保護(hù);

  • 如何設(shè)計(jì)系統(tǒng)輸入輸出保護(hù)電路

EMC 標(biāo)準(zhǔn)

IEC 61000 是有關(guān) EMC 魯棒性的系統(tǒng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)中涉及高壓瞬變的三個(gè)部分為IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5。這些是針對(duì)靜電放電(ESD)、電快速瞬變(EFT)和浪涌的系統(tǒng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)定義了在施加這些瞬變影響的情況下用于評(píng)估電子電氣設(shè)備抗擾度的波形、測(cè)試方法和測(cè)試級(jí)別。

IEC 61000-4-2 測(cè)試的主要目的是確定系統(tǒng)在運(yùn)行過程中對(duì)系統(tǒng)外部的ESD事件的免疫能力——例如,如果系統(tǒng)輸入/輸出接觸到帶電人體、電纜、工具時(shí)。IEC 61000-4-2規(guī)定要使用兩種耦合方法測(cè)試:接觸放電和氣隙放電。

IEC 61000-4-4 EFT測(cè)試涉及將快速的瞬變脈沖群耦合到信號(hào)線上,以表征與外部開關(guān)電路關(guān)聯(lián)的瞬變干擾,這類電路能夠以容性方式耦合至信號(hào)線。這種測(cè)試反映了開關(guān)觸點(diǎn)抖動(dòng),或者因?yàn)楦行曰蛉菪载?fù)載切換而產(chǎn)生的瞬變,而所有這些在工業(yè)環(huán)境中都很常見。

圖1. 面向精密模擬輸入的 IEC系統(tǒng)保護(hù)

浪涌瞬變通常由開關(guān)操作造成的過壓情況或雷擊造成。開關(guān)瞬變的起因可能是電力系統(tǒng)切換、配電系統(tǒng)中的負(fù)載變化或各種系統(tǒng)故障(例如安裝時(shí)與接地系統(tǒng)形成短路和電弧故障)。雷電瞬變的原因可以是附近的雷擊將高電流和電壓注入電路中。

瞬變電壓抑制器

瞬變電壓抑制器(TVS)可以用于抑制電壓浪涌。用于箝位高壓瞬 變,使大電流繞過敏感電路。TVS的基本參數(shù)為:

  • 工作峰值反向電壓:低于該值時(shí)不會(huì)發(fā)生顯著導(dǎo)電現(xiàn)象的電壓

  • 擊穿電壓:等于該值時(shí)會(huì)發(fā)生規(guī)定導(dǎo)電現(xiàn)象的電壓

  • 最大箝位電壓:器件上傳導(dǎo)規(guī)定的最大電流的最大電壓

在系統(tǒng)輸入或輸出上使用TVS器件時(shí)要考慮多個(gè)因素。ESD或EFT事件會(huì)產(chǎn)生超快時(shí)間(1 ns至5 ns)的瞬變波形,在TVS器件箝位擊穿電壓之前,在系統(tǒng)輸入上導(dǎo)致初始過沖電壓。浪涌事件具有不同的瞬變波形,上升時(shí)間緩慢(1.2 μs),脈沖持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)(50 μs);并且在該事件下,將在擊穿電壓下開始箝位電壓,但可能一直增大至TVS最大箝位電壓。另外,TVS必須高于可能由接線錯(cuò)誤、斷電或用戶錯(cuò)誤導(dǎo)致的任何容許直流過壓,以保護(hù)系統(tǒng),使其免受該直流過壓事件的影響。所有三種情況都有可能在下游電路的輸入上導(dǎo)致具有潛在破壞作用的過壓。

模擬輸入保護(hù)電路

為了全面保護(hù)系統(tǒng)輸入/輸出節(jié)點(diǎn),必須對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行直流過壓和高壓瞬變保護(hù)。在系統(tǒng)輸入節(jié)點(diǎn)用一個(gè)魯棒的精密型過壓保護(hù)(OVP)開關(guān),加上TVS,可以保護(hù)靈敏的下游電路(例如,模數(shù)轉(zhuǎn)換器放大器輸入/輸出),因?yàn)檫@樣可以阻斷過壓、抑制未被TVS分流到地的剩余電流。

圖2顯示了一個(gè)典型過壓保護(hù)開關(guān)的功能框圖;注意,該開關(guān)的ESD保護(hù)二極管未以其輸入節(jié)點(diǎn)上的電源電壓為基準(zhǔn)。相反,它有一個(gè)ESD保護(hù)單元,在超過器件最大承受電壓時(shí)激活,使器件能承受并阻斷超過其電源電壓的電壓。

圖2. OVP開關(guān)功能框圖

由于模擬系統(tǒng)通常只要求開關(guān)的外向引腳采用IEC保護(hù),所以,ESD保護(hù)二極管依然保留在內(nèi)向引腳上(標(biāo)志為開關(guān)輸出端或漏極端)。這些二極管能帶來額外的好處,因?yàn)樗鼈兤鸬捷o助保護(hù)器件的作用。在持續(xù)時(shí)間較短、上升時(shí)間快的高壓瞬變(如ESD或EFT)過程中,由于瞬變電壓會(huì)被箝位,所以電壓不會(huì)到達(dá)下游電路。在持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)、上升時(shí)間慢的高壓瞬變(如浪涌)過程中,在開關(guān)過壓保護(hù)功能被激活、開關(guān)斷開、使故障完全與下游電路分離之前,內(nèi)部保護(hù)二極管會(huì)箝位開關(guān)的輸出電壓。

圖3顯示了一個(gè)與外部接口的系統(tǒng)輸入端的工作區(qū)域。最左邊的區(qū)域(綠色)表示正常工作區(qū)間,輸入電壓位于電源電壓范圍以內(nèi)。左起第二個(gè)區(qū)域(藍(lán)色)表示輸入端可能存在持續(xù)直流或長(zhǎng)時(shí)間交流過壓的范圍,原因是斷電、接線錯(cuò)誤或短路。另外,圖中最右側(cè)(紫色)是過壓開關(guān)內(nèi)部ESD保護(hù)二極管的觸發(fā)電壓。選擇的TVS擊穿電壓(橙色)必須小于過壓保護(hù)開關(guān)的最大承受電壓并且大于任何已知的可能持續(xù)直流或長(zhǎng)時(shí)間交流過壓,以免無意中觸發(fā)TVS。

圖3. 系統(tǒng)工作區(qū)域

圖4中的保護(hù)電路可以承受最高8 kV IEC ESD(接觸放電)、16 kV IEC ESD(空氣放電)、4 kV EFT和4 kV浪涌。ADG5412F(來自ADI 的±55 V過壓保護(hù)和檢測(cè)、四通道單刀雙擲開關(guān))可以承受ESD、EFT和浪涌瞬變導(dǎo)致的過壓,過壓保護(hù)電路與漏極上的保護(hù)二極管共同保護(hù)和隔離下游電路。表1展示的是ADG5412F在TVS擊穿電壓與電阻的各種組合下可以承受的高壓瞬變電平。

圖4. 保護(hù)電路

表1. 測(cè)試結(jié)果(未在0 Ω電阻與33 V TVS及45 V TVS組合條件下進(jìn)行IEC空氣放電測(cè)試)

圖4也展示了高壓瞬變事件過程中的各種電流路徑。大部分電流通過TVS器件分流到地(路徑I1)。路徑I2展示的是通過ADG5412F輸出節(jié)點(diǎn)上的內(nèi)部ESD消耗的電流,同時(shí),輸出電壓被箝位于比電源電壓高0.7 V的水平。最后,路徑I3中的電流是下游器件必須承受的剩余電流水平。

IEC ESD保護(hù)

圖6和圖7所示為在8 kV接觸放電和16 kV空氣放電IEC ESD事件在圖5所示測(cè)試電路上的測(cè)試結(jié)果。如前所述,在TVS器件將電壓箝位至54 V左右之前,源引腳上有一個(gè)初始過壓。在此過壓過程中,開關(guān)漏極上的電壓被箝位于比電源電壓高0.7 V的水平。漏極電流測(cè)量結(jié)果展示的是流入下游器件二極管中的電流。脈沖峰值電流約為680 mA,電流持續(xù)時(shí)間約為60 ns。相比之下,1 kV HBM ESD電擊的峰值電流為660 mA,持續(xù)時(shí)間為500 ns。我們因此可以得出結(jié)論認(rèn)為,在采用這種保護(hù)電路的條件下,HBM ESD額定值為1 kV的下游器件應(yīng)該能承受8 kV接觸放電和16 kV空氣放電IEC ESD事件。

圖5. 測(cè)試電路

圖6. 8 kV事件期間的漏極電壓和漏極輸出電流

圖7. 16 kV空氣放電事件期間的漏極電壓和漏極輸出電流

EFT 保護(hù)

圖8是在4 kV EFT事件的一個(gè)脈沖的測(cè)量結(jié)果。與ESD瞬變過程中發(fā)生的情況類似,在TVS器件將電壓箝位至54 V左右之前,源引腳上有一個(gè)初始過壓。在此過壓過程中,開關(guān)漏極上的電壓再次被箝位于比電源電壓高0.7 V的水平。在這種情況下,流入下游器件中的脈沖峰值電流僅為420 mA,電流持續(xù)時(shí)間僅約為90 ns。同樣與HBM ESD事件相比,750 kV HBM ESD的電壓的峰值電流為500 mA,持續(xù)時(shí)間為500 ns。因此,在4 kV EFT事件期間,能量被傳輸至下游器件的引腳上,該能量少于750 kV HBM ESD事件下的能量。

圖8. 單次脈沖的EFT電流

浪涌保護(hù)

圖9中是將4 kV浪涌瞬變施加到保護(hù)電路輸入節(jié)點(diǎn)上時(shí)的測(cè)量結(jié)果。如前所述,源電壓可能增大并超過TVS擊穿電壓,一直達(dá)到最大箝位電壓。該電路中的過壓保護(hù)開關(guān)的反應(yīng)時(shí)間約為500 ns,并且在這前500 ns的時(shí)間內(nèi),器件漏極上的電壓被箝位于比電源電壓高0.7 V的水平。在此期間以及約500 ns后,流至下游器件的峰值電流僅為608 mA,開關(guān)關(guān)閉并使下游電路與故障隔離。同樣,這里的能量少于1 kV HBM ESD事件期間傳輸?shù)哪芰俊?/span>

圖9. 浪涌事件期間OVP工作原理

總結(jié)

根據(jù)本文的建議,不但可以解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問題,同時(shí)還會(huì)為您帶來如下好處:

  • 簡(jiǎn)化保護(hù)設(shè)計(jì)

  • 加速產(chǎn)品上市

  • 提高保護(hù)電路性能,減少分立元件數(shù)量

  • 減小信號(hào)路徑中的串聯(lián)電阻阻值

  • 由于TVS設(shè)計(jì)窗口很寬,TVS選擇更方便

  • 達(dá)到下列標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)-級(jí)保護(hù)

    • IEC 61000-4-2 16 kV空氣放電

    • IEC 61000-4-2 8 kV接觸放電

    • IEC 61000-4-4 4 kV

    • IEC 61000-4-5 4 kV

  • 交流和持續(xù)直流過壓保護(hù)高達(dá)±55 V

  • 掉電保護(hù)可達(dá)±55V

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原文標(biāo)題:【世說設(shè)計(jì)】ADI 設(shè)計(jì)攻略丨系統(tǒng)輸入輸出保護(hù)電路,你可以這樣實(shí)現(xiàn)

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