CGH40045F-TB漏級偏置電路采用對稱設(shè)計,主要分析原因在于降低偏置網(wǎng)絡(luò)阻抗,提高視頻帶寬VBW,從而減小功放管的電記憶效應(yīng)。
圖1 CGH40045-TB PCB圖
以下簡單介紹下VBW與電記憶效應(yīng):
低阻抗通路的帶寬被稱為視頻帶寬(VBW),范圍為100KHz~200MHz,個人理解為調(diào)制信號的帶寬,即信道帶寬,跟輸入的調(diào)制信號有關(guān)。
功率管的記憶效應(yīng)分為熱記憶效應(yīng)和電記憶效應(yīng),熱記憶效應(yīng)主要跟晶體管溝道溫度周期有關(guān),電記憶效應(yīng)主要來源于功率放大電路的直流偏置。記憶效應(yīng)的本質(zhì)在于當(dāng)前的時刻不僅跟輸入信號有關(guān),還跟過去的某一時刻有關(guān),體現(xiàn)在增益和相位上。
當(dāng)功放管在數(shù)字預(yù)失真方案中,減小記憶效應(yīng)對功放的影響顯的尤為重要,偏置電路是記憶效應(yīng)的一個重要來源,現(xiàn)實中,功率管的漏極到電源之間的電路阻抗(video impedance)在低頻(VBW 10MHz)時并非為0,該阻抗的存在使得加載到功率管漏極的電壓并非是個恒定值,而是隨著功放輸入信號變化。如果是純阻性的,僅僅引起增益壓縮,如果存在電抗部分,則引起記憶效應(yīng),因此在設(shè)計時,需要該阻抗越小越好。同時工程實驗證明在同樣的輸入信號,同樣的DPD系統(tǒng)中,較大的視頻帶寬(VBW)的ACPR要比較小的視頻帶寬(VBW)的ACPR要好。
圖2 晶體管VBW計算公式
圖2所示,fr表征的是晶體管輸出段低頻諧振頻率,頻率越高,VBW越寬,Ltot指得是供電線跟旁路電容組成的等效電感,Ctot指的是晶體管漏級之間的電容,因此在可操作性上提高VBW的措施是降低Ltot。
具體措施如下:
1.如圖1所示,漏級雙供電方式,并聯(lián)降低阻抗,減小低頻信號的影響。
2.將uF級的電容靠近漏級放置,電容的工作頻率實際大于其SFR,這樣電容呈感性,從而減小Ltot,提高VBW。
3.縮短漏級供電線長度,小于1/4波長,但是這樣會犧牲一部分功率。
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原文標(biāo)題:CREE射頻功放提高視頻帶寬降低記憶效應(yīng)設(shè)計分析
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