導(dǎo) 讀
最近,中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所史迅研究員、陳立東研究員與德國馬普所的Yuri Grin教授等合作,發(fā)現(xiàn)了一種室溫具有和金屬一樣延展性的半導(dǎo)體材料。研究發(fā)現(xiàn),α-Ag2S是一種典型的半導(dǎo)體,但卻具有非常反常的和金屬類似的力學(xué)性能,特別是它擁有良好的延展性和可彎曲性,有望在柔性電子中獲得廣泛應(yīng)用。
金屬和陶瓷/半導(dǎo)體具有迥然不同的力學(xué)性能,如金屬具有良好的延展性、塑性、易加工等,而陶瓷和半導(dǎo)體則表現(xiàn)為脆性、塑性差、不易加工等特性。人類的生存和發(fā)展離不開這些基礎(chǔ)材料的研究,目前金屬和陶瓷/半導(dǎo)體已走進(jìn)了人們生產(chǎn)和生活的方方面面,但它們力學(xué)性能的差異導(dǎo)致了兩者幾乎孑然相反的應(yīng)用領(lǐng)域。特別由于延展性的差別,金屬和陶瓷/半導(dǎo)體的制備科學(xué)和加工技術(shù)完全不同,如金屬一般采用熔煉結(jié)合機(jī)械加工、沖壓、精密鑄造成型等,而陶瓷/半導(dǎo)體則由于其脆性,一般采用粉末燒結(jié)等方法獲得塊體材料。在一些要求具有特殊形狀或外形、以及變形能力的應(yīng)用場合,目前唯有金屬和有機(jī)材料適合使用,而陶瓷/半導(dǎo)體因其脆性無法滿足此類需求。
近年來,柔性電子引起全世界的廣泛關(guān)注并得到了迅速發(fā)展,并被認(rèn)為有可能帶來一場電子技術(shù)革命。它是將有機(jī)/無機(jī)材料電子器件制作在柔性襯底上的新興電子技術(shù),以其獨(dú)特的可變形性以及高效、低成本制造工藝,在信息、能源、醫(yī)療、國防等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。然而,目前的無機(jī)材料尤其是半導(dǎo)體均為脆性材料,在大彎曲和大變形下、或者拉伸狀況下極易發(fā)生斷裂進(jìn)而導(dǎo)致器件失效;此外,有機(jī)半導(dǎo)體相對無機(jī)半導(dǎo)體遷移率較低,且電學(xué)性能可調(diào)范圍較小,無法滿足半導(dǎo)體工業(yè)的蓬勃發(fā)展需求。因此,開發(fā)具有良好延展性和彎曲性的無機(jī)半導(dǎo)體材料,實(shí)現(xiàn)柔性電子技術(shù)的集成裝備和制造工藝的突破,是柔性電子發(fā)展的迫切需求。
最近,中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所史迅研究員、陳立東研究員與德國馬普所的Yuri Grin教授等合作,發(fā)現(xiàn)了一種室溫具有和金屬一樣延展性的半導(dǎo)體材料(圖1左圖)。研究發(fā)現(xiàn),α-Ag2S是一種典型的半導(dǎo)體,但卻具有非常反常的和金屬類似的力學(xué)性能,特別是它擁有良好的延展性和可彎曲性,有望在柔性電子中獲得廣泛應(yīng)用。
圖1. α-Ag2S半導(dǎo)體材料的拉伸性能(左圖)和晶體結(jié)構(gòu)(右圖)。
室溫α-Ag2S具有鋸齒形(zig - zag)的褶皺層狀單斜結(jié)構(gòu)(圖1右圖)。4個(gè)S和4個(gè)Ag原子構(gòu)成一個(gè)8原子的圓環(huán),圓環(huán)和圓環(huán)之間通過S原子連接。α-Ag2S是一種典型的半導(dǎo)體,能帶禁帶寬度在1eV左右;未摻雜的α-Ag2S主要是電子導(dǎo)電,其電子濃度較低,電導(dǎo)率比較小,在0.01Sm-1左右,電子遷移率較大,在100 cm2V-1s-1左右。α-Ag2S的電子濃度和電導(dǎo)率可通過元素?fù)诫s提高幾個(gè)量級,其電性能在半導(dǎo)體區(qū)間可自由調(diào)控。
相對于其他的半導(dǎo)體或者陶瓷,α-Ag2S具有非常奇異和獨(dú)特的力學(xué)性能。它具有和金屬一樣的延展性和變形能力,在外力和大應(yīng)變下不發(fā)生材料的破壞和破碎(圖2a),它的材料加工碎片也和金屬類似為一片片細(xì)長的纏繞絲狀物,而一般陶瓷和半導(dǎo)體的加工碎片則為細(xì)小顆?;蚍勰?。進(jìn)一步表征它的力學(xué)性能發(fā)現(xiàn)(圖2),α-Ag2S的壓縮變形最大可以達(dá)到50%以上,三點(diǎn)彎曲測試表明它的彎曲最大形變超過20%,拉伸測試則顯示α-Ag2S的拉伸形變可達(dá)4.2%。所有這些數(shù)值均遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過已知的陶瓷和半導(dǎo)體材料,而和一些金屬的力學(xué)性能相似。
圖2. α-Ag2S半導(dǎo)體材料的力學(xué)性能。
a圖,α-Ag2S的壓縮實(shí)物照片;b圖,壓縮性能;c圖,彎曲性能;d圖,拉伸性能。
進(jìn)一步研究了α-Ag2S這些反常力學(xué)性能的機(jī)制和機(jī)理。對于一個(gè)具有良好滑移能力和延展性的材料,必需滿足兩個(gè)基本條件:一是存在能量勢壘較小的滑移面,能夠在外力的作用下發(fā)生滑動;二是在滑移過程中不發(fā)生分解,仍然維持材料的整體性完整性。我們采用第一性原理計(jì)算模擬了一系列材料包括α-Ag2S、NaCl、石墨、金剛石、金屬M(fèi)g和Ti的滑移過程,發(fā)現(xiàn)α-Ag2S、NaCl、石墨、金屬M(fèi)g和Ti均存在能量勢壘較小的滑移面,其中α-Ag2S的滑移面是(100)面;而金剛石在滑移過程中勢壘太大,不存在滑移面。同時(shí)還發(fā)現(xiàn)α-Ag2S、金屬M(fèi)g和Ti的滑移面之間的相互作用力比較大,在材料滑移過程中很難產(chǎn)生裂紋和解離,維持了材料的整體性和完整性;而NaCl、石墨和金剛石的滑移面之間的作用力太小,材料在滑移過程中很容易產(chǎn)生裂紋從而解離。還采用量子化學(xué)計(jì)算揭示了α-Ag2S滑移面之間作用力的根源和作用方式,發(fā)現(xiàn)在一個(gè)晶體周期內(nèi),除了分子間作用力外,(100)滑移面之間(圖1b)只存在2個(gè)黃色S原子和6個(gè)灰色Ag原子之間的成鍵作用。在滑移過程中,2個(gè)S原子沿著6個(gè)Ag原子構(gòu)成的滑軌移動,此時(shí)不斷有舊的Ag-S鍵減弱甚至斷裂,而又有新的Ag-S鍵加強(qiáng)甚至生成。因此,(100)滑移面之間的作用力一直維持在Ag-S的成鍵狀態(tài),其在滑移過程中能量波動較小,導(dǎo)致了小的滑移能量勢壘;同時(shí)該成鍵狀態(tài)保證了這些滑移面之間較強(qiáng)的作用力,避免了在滑移過程中裂紋的產(chǎn)生甚至材料的解離。
針對柔性電子的應(yīng)用,該團(tuán)隊(duì)還制備了α-Ag2S薄膜,發(fā)現(xiàn)它具有比塊體材料更大的變形能力。同時(shí)還表征了α-Ag2S形變后的電學(xué)性能,發(fā)現(xiàn)數(shù)十、上百次重復(fù)彎曲變形后,它的電性能基本維持不變或變化很小。
圖3. α-Ag2S半導(dǎo)體彎曲過程中的電阻變化。
不同于已知脆性的陶瓷和半導(dǎo)體材料,α-Ag2S半導(dǎo)體具有類似金屬的力學(xué)性能,在彎曲和變形下能維持材料的整體性和電學(xué)性能。它寬范圍內(nèi)可調(diào)的電性能、合適的帶寬、大的遷移率使其有望廣泛應(yīng)用于柔性電子領(lǐng)域。同時(shí),本工作也將開啟尋找和發(fā)現(xiàn)其他具有類似金屬力學(xué)性能的半導(dǎo)體材料的研究。
相關(guān)研究發(fā)表于《自然材料學(xué)》雜志(Nature Materials)
研究工作得到了國家自然科學(xué)基金(51625205 and 51632010)、中國科學(xué)院重點(diǎn)部署項(xiàng)目(KFZD-SW-421)、上海市基礎(chǔ)重大項(xiàng)目(15JC1400301)和學(xué)科帶頭人(16XD1403900)等項(xiàng)目的資助和支持。
清華大學(xué) · 馮雪教授點(diǎn)評
史迅研究員、陳立東研究員與馬普所Yuri Grin教授等合作發(fā)現(xiàn)了室溫下具有類金屬延展性的無機(jī)半導(dǎo)體材料,他們從材料可延展機(jī)理、材料性能以及應(yīng)用多層次全方位地對該新型無機(jī)可延展半導(dǎo)體材料進(jìn)行研究和報(bào)道。
室溫下可延展無機(jī)半導(dǎo)體材料不僅是材料科學(xué)的一項(xiàng)重大發(fā)現(xiàn),對于柔性電子技術(shù)而言更可能是一項(xiàng)具有革命意義的發(fā)現(xiàn)。放眼當(dāng)前柔性電子技術(shù),它們主要基于兩種技術(shù)路線。一種是基于有機(jī)材料(包括有機(jī)半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體等),它的特點(diǎn)是材料本身具有一定的可延展性,但載流子遷移率較低,電學(xué)性能尚不足與傳統(tǒng)電子材料相比。另一種是基于無機(jī)材料的技術(shù)策略,主要依靠精巧的力學(xué)原理設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)無機(jī)功能部分與柔性可延展基底的集成,同時(shí)集成器件整體具有一定的柔性與可延展性。它的特點(diǎn)是器件性能繼承了傳統(tǒng)無機(jī)電子材料的高速與可靠性,但尚無標(biāo)準(zhǔn)、統(tǒng)一的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法和制備工藝??裳诱沟臒o機(jī)半導(dǎo)體材料兼具以上兩種技術(shù)策略的優(yōu)點(diǎn):材料本身可延展、無機(jī)材料高性能,同時(shí)規(guī)避了相應(yīng)的不足。因此,它的發(fā)現(xiàn)將為柔性電子技術(shù)提供第三種技術(shù)途徑,且有望推進(jìn)柔性電子技術(shù)更快走向成熟產(chǎn)業(yè)化和大規(guī)模應(yīng)用。
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原文標(biāo)題:今日Nature材料:上硅所發(fā)現(xiàn)具有反常金屬延展性的半導(dǎo)體
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