存儲器及集成電路將成中美貿(mào)易戰(zhàn)關(guān)鍵

目前來看，中美貿(mào)易摩擦有所緩和。不過，雙方尚未進入貿(mào)易談判階段，最終事情會如何發(fā)展，尚難判斷。未來存儲器芯片可能會受到一定程度的影響，因為中國是全球存儲器最大的買家。

如果真的打起貿(mào)易戰(zhàn)，那么美系記憶體大廠美光科技（Micron）將因其和英特爾（INTC）共同成立的IMFlashTechnologies（IM閃存技術(shù)合資企業(yè)）一起受到影響，另外WesternDigital（西部數(shù)據(jù)，全球第二大硬盤生產(chǎn)商）也或?qū)⑹艿讲啊＿@三家公司總部都在美國，因此都屬于中美貿(mào)易摩擦的范圍之內(nèi)。

盡管中國對特朗普最初關(guān)稅清單的回應(yīng)側(cè)重于進口到中國的農(nóng)產(chǎn)品，但該清單上升至106項，其中就包括使用內(nèi)存芯片的產(chǎn)品。相反，美國政府列出的1300種中國產(chǎn)品中，包括大量含有DRAMs（動態(tài)內(nèi)存）和NAND閃存（非易失性存儲技術(shù)）芯片的高科技產(chǎn)品。

但從圖表1中可以清楚看到，中國在IC（集成電路）生產(chǎn)方面遠(yuǎn)沒有達到自給自足的程度。中國需要這些半導(dǎo)體，而這一場限制零部件供應(yīng)鏈的貿(mào)易戰(zhàn)，將對中國制造的消費類高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)計劃產(chǎn)生負(fù)面影響。

InformaticaNetwork一篇題為《中國大陸的半導(dǎo)體設(shè)備市場：對技術(shù)、經(jīng)濟和政治問題的完整分析》的報告稱，中國的大規(guī)模投資終于顯示出優(yōu)勢，因為中國制造的集成電路與進口到中國的比例從2016年的29．1％上升到2017年的32．2％?！爸袊?017年的IC產(chǎn)量為1739億，高于2016年的1303億。2017年，中國進口IC數(shù)量為3661億，高于2016年的3177億?！?/p>

換句話說，中國消費了超過5000億個ICs用于制造智能手機和其他消費類產(chǎn)品，然后銷往全球各地。

然而中國的產(chǎn)量不足2000億。366億的缺口只能靠進口，包括從上述提到的美國公司，以及韓國三星電子、半導(dǎo)體大廠海力士（SKHynix）和日本東芝處進口的DRAN和NAND存儲芯片。存儲芯片約占進口芯片的25％左右。

中國存儲芯片市場

中國需要進口的存儲芯片，美光科技2017年度向美國境外客戶的銷售額總計175．6億美元，其中包括對中國內(nèi)地的103．9億美元銷售額，中國***為25．4億美元，歐洲為13．6億美元，日本為10．3億美元以及其他亞太地區(qū)為18．1億美元，即對中國的銷售額占到海外銷售額的59．2％。而在203．2億美元的總銷售額中，中國也占到了51．1％。顯然，任何關(guān)稅或貿(mào)易戰(zhàn)都會對美光科技的收入產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。

此外，2017財年，西部數(shù)據(jù)在華收入占其總收入190．9億美元的22．37％，是所有地區(qū)中最高的，主要來自于NAND存儲器和硬盤驅(qū)動器。雖然對中國的敞口僅為美光科技的一半，但仍相當(dāng)可觀。

顯然，中國是這些公司的重要市場。但另一方面，由于中國芯片制造商還沒有制造這些器件，所以每年都有大量的存儲芯片進口到中國。事實上，2017年中國存儲芯片消費約占總量的30％，其中DRAM需求占22％，NAND需求占29％。而這正是美國覺得在貿(mào)易談判中能有底氣的地方。

另一方面，如果貿(mào)易戰(zhàn)升級，可能會對電子產(chǎn)品中無處不在的存儲器產(chǎn)生不利影響，而這正是美光等公司增長的驅(qū)動力。中國有幾家公司涉足了專業(yè)的存儲器領(lǐng)域，因規(guī)模太小而未能成為全球存儲器公司巨頭，但有可能在該行業(yè)過度調(diào)整的情況下崛起。

中國公司兆易創(chuàng)新歷來是NORflash的供應(yīng)商。最近，該公司并購了ISSI，現(xiàn)在也供應(yīng)專業(yè)的DRAM和NAND。但考慮到這整個市場基本被三星、海力士以及美光三大廠商壟斷，未來一段時間內(nèi)，兆易創(chuàng)新想要進入DRAM和NANDFlash全球市場第一梯隊十分困難。該公司又從東芝購買了SLCNAND（SLC為NAND閃存架構(gòu)），并與博通、漫威、高通和英特爾公司之間有合作。圖2名單包含了有／沒有晶圓廠的中國公司。

如圖3所示，瑞士信貸（CreditSuisse）正跟蹤中國計劃在未來3年新建或升級的19個晶圓廠項目，其中2個DRAM晶圓廠和一個NAND晶圓廠計劃在2018年與英特爾一同擴張。

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