0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一文解析DRAM市場(chǎng)的未來走勢(shì)

電子工程師 ? 作者:工程師a ? 2018-04-21 06:04 ? 次閱讀

***存儲(chǔ)器芯片廠廠商南亞科昨(17)日舉行法說會(huì),公布今年第一季度毛利率沖上51.8%,優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。南亞科總經(jīng)理李培瑛分析上季毛利率沖高,主因DRAM漲價(jià)及20納米產(chǎn)品比重快速拉升,但因當(dāng)季手中握有逾400億元等值美元,隨著新臺(tái)幣上季升值約2.6%,導(dǎo)致出現(xiàn)11.78億元匯損,侵蝕每股純益逾0.3元。

李培瑛表示,第1季DRAM平均報(bào)價(jià)季增6.1%,加上銷售量季增8.4%,20納米銷售比重占比逾六成及研發(fā)費(fèi)用遞延等四大有利因素加持,挹注毛利率沖上51.8%,季增2.1個(gè)百分點(diǎn)。

對(duì)于DRAM市場(chǎng)的未來走勢(shì),李培瑛預(yù)計(jì)到第3季前都將供不應(yīng)求,第4季則要密切觀察主要大廠產(chǎn)能增加狀況,以目前韓國(guó)三星、SK海力士?jī)纱髲S均表態(tài)將視市場(chǎng)需求而增產(chǎn)研判,預(yù)料今年DRAM市況都相當(dāng)健康穩(wěn)健。

同時(shí)南亞科宣布,上修今年全年DRAM位元銷售量,年增率由原訂45%升至48%,本季位元銷售量季增逾15%;20納米產(chǎn)能小幅挪移1,000片轉(zhuǎn)作30納米產(chǎn)品,使月產(chǎn)能由3.8萬片降至3.7萬片;30納米月產(chǎn)能則增至3.1萬片。同時(shí)自行研發(fā)的10納米如既定計(jì)劃進(jìn)行,預(yù)定2020年小量生產(chǎn)。

因應(yīng)新臺(tái)幣波動(dòng),南亞科采取美元與新臺(tái)幣現(xiàn)金各半的動(dòng)態(tài)平衡策略。他預(yù)期本季受匯率因素干擾將可降低,看好本季DRAM平均單價(jià)可望季增個(gè)位數(shù)百分比,加上20納米制程產(chǎn)品貢獻(xiàn)度持續(xù)提升及成本下降,毛利率有機(jī)會(huì)續(xù)改寫新高,并且有機(jī)會(huì)一路走高至第3季。

談及中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響, 李培瑛認(rèn)為,這是中國(guó)與美國(guó)雙方要逼迫對(duì)方上談判桌的手段,若達(dá)成共識(shí),會(huì)使中國(guó)大陸更重視知識(shí)產(chǎn)權(quán),這對(duì)DRAM 產(chǎn)業(yè)應(yīng)會(huì)帶來正面效益。若結(jié)果不如預(yù)期,恐沖擊全球經(jīng)濟(jì),進(jìn)而影響終端需求轉(zhuǎn)弱,不只是DRAM產(chǎn)業(yè),對(duì)所有產(chǎn)業(yè)都不利。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2282

    瀏覽量

    182978
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    DRAM內(nèi)存操作與時(shí)序解析

    在數(shù)字時(shí)代,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)扮演著至關(guān)重要的角色。它們存儲(chǔ)著我們的數(shù)據(jù),也承載著我們的記憶。然而,要正確地操作DRAM并確保其高效運(yùn)行,了解其背后的時(shí)序和操作機(jī)制是必不可少的。
    的頭像 發(fā)表于 07-26 11:39 ?460次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>內(nèi)存操作與時(shí)序<b class='flag-5'>解析</b>

    DRAM在計(jì)算機(jī)中的應(yīng)用

    DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它是種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)和快速訪問數(shù)據(jù),是計(jì)算機(jī)主內(nèi)存的主要組成部分。以下是對(duì)DRAM在計(jì)算機(jī)中的
    的頭像 發(fā)表于 07-24 17:04 ?461次閱讀

    三星積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存,劍指蘋果下代XR設(shè)備市場(chǎng)

    近日,韓媒ZDNet Korea報(bào)道,三星電子正全力投入到低延遲寬I/O(LLW DRAM)內(nèi)存的研發(fā)中,旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下代頭戴式顯示器(XR設(shè)備)訂單做好充分準(zhǔn)備。這
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:19 ?473次閱讀

    解析DARM工藝流程

    DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的工藝流程包括多個(gè)關(guān)鍵步驟。
    發(fā)表于 04-05 04:50 ?3482次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b><b class='flag-5'>文</b><b class='flag-5'>解析</b>DARM工藝流程

    DRAM市場(chǎng)面臨雙重壓力:庫(kù)存調(diào)整與需求疲軟影響價(jià)格走勢(shì)

    今年市場(chǎng)對(duì)DRAM的整體需求并不樂觀。尤其去年第四季度供應(yīng)商的大幅漲價(jià),已經(jīng)讓市場(chǎng)開始擔(dān)憂庫(kù)存回補(bǔ)的動(dòng)能會(huì)減弱。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 15:01 ?638次閱讀

    DRAM市場(chǎng)風(fēng)云再起 庫(kù)存調(diào)整價(jià)格走勢(shì)成焦點(diǎn)

    第二季度DRAM合約價(jià)格的環(huán)比漲幅將受到嚴(yán)格限制,預(yù)計(jì)漲幅在3%至8%之間。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:06 ?535次閱讀

    大漲221%!全球DRAM市場(chǎng)六大廠商全面實(shí)現(xiàn)營(yíng)收正增長(zhǎng)

    內(nèi)存(DRAM市場(chǎng)正在迎來波上漲潮。
    的頭像 發(fā)表于 03-08 14:18 ?880次閱讀
    大漲221%!全球<b class='flag-5'>DRAM</b><b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>六大廠商全面實(shí)現(xiàn)營(yíng)收正增長(zhǎng)

    2024年鋰電四大材料走勢(shì)“劃重點(diǎn)”

    GGII2023年中國(guó)鋰電四大關(guān)鍵材料出貨量數(shù)據(jù)及2024年市場(chǎng)走勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:19 ?1629次閱讀
    2024年鋰電四大材料<b class='flag-5'>走勢(shì)</b>“劃重點(diǎn)”

    存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)預(yù)測(cè):2024年回升

    據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析,即便上半年市場(chǎng)終端需求有所下滑,原廠對(duì)DRAM和NAND Flash的價(jià)格調(diào)整仍保持溫和態(tài)勢(shì),以便應(yīng)對(duì)傳統(tǒng)旺季時(shí)供應(yīng)更加緊張的情況。他們預(yù)測(cè)第二季度可能會(huì)再次出現(xiàn)補(bǔ)貨漲價(jià)的現(xiàn)象,這也意味著第二季度的價(jià)格變動(dòng)將主導(dǎo)整個(gè)下半年的行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 02-20 16:34 ?939次閱讀

    DRAM合約價(jià)季度漲幅預(yù)計(jì)13~18%,移動(dòng)設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場(chǎng)

    據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不
    的頭像 發(fā)表于 01-08 14:27 ?399次閱讀

    存儲(chǔ)市場(chǎng)動(dòng)態(tài):DRAM價(jià)格大幅上漲在即

    隨著上游原廠醞釀提價(jià),多家存儲(chǔ)器模塊業(yè)者已經(jīng)開始備貨,以應(yīng)對(duì)潛在的市場(chǎng)變化。預(yù)計(jì)供應(yīng)給OEM廠商的合約價(jià)將在二季度起全面反映DRAM的漲價(jià)趨勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 01-03 15:34 ?982次閱讀

    傳三星與美光第DRAM價(jià)格漲幅15%~20%

    近期,全球DRAM市場(chǎng)風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能,這舉動(dòng)無疑將對(duì)整個(gè)市場(chǎng)帶來深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在,最新消息表明,D
    的頭像 發(fā)表于 01-03 14:35 ?804次閱讀

    dram和nand的區(qū)別

    dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而NAND(Not AN
    的頭像 發(fā)表于 12-08 10:32 ?6364次閱讀

    未來四年HBM市場(chǎng)將飆升52%

    DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺,未來DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 15:08 ?729次閱讀

    解析HBM技術(shù)原理及優(yōu)勢(shì)

    HBM技術(shù)是種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
    發(fā)表于 11-09 12:32 ?1.3w次閱讀