一種新型交叉前饋結(jié)構(gòu)環(huán)形振蕩器電路

針對環(huán)形振蕩器的功耗大、噪聲大、線性度差等問題，基于TSMC 55 nm工藝，提出了一種新型交叉前饋結(jié)構(gòu)環(huán)形振蕩器電路。深入分析了器件自身熱噪聲、閃爍噪聲對環(huán)形振蕩器輸出相噪貢獻(xiàn)百分比，利用電容濾波技術(shù)來降低振蕩器輸出相噪，采用源極負(fù)反饋電路得到線性電流來改善調(diào)頻線性度，并提供了寬調(diào)諧范圍。Spectre RF仿真結(jié)果表明，設(shè)計(jì)的環(huán)形振蕩器頻率覆蓋范圍為0.2 GHz～3.8 GHz，產(chǎn)生8相位，相位噪聲為-91.34 dBc/Hz@1 MHz，在1.2 V電源電壓下消耗電流為4.6 mA ,線性度良好。

0引言

壓控振蕩器（VCO）是一種由電壓控制輸出頻率的振蕩器，是無線通信系統(tǒng)中一個(gè)重要的模塊，也是鎖相環(huán)電路（PLL）的核心，它的相位噪聲、靈敏度等參數(shù)直接影響PLL的最終性能。環(huán)形振蕩器比電感電容諧振壓控振蕩器(LC VCO)有很多顯著的優(yōu)勢：不需電感元件，節(jié)省芯片面積，節(jié)省成本，調(diào)諧范圍寬，并且很容易實(shí)現(xiàn)多相位。不過，環(huán)形振蕩器的相位噪聲性能通常要稍差一些。綜合考慮其功耗低、面積小和集成高等優(yōu)點(diǎn)，環(huán)形振蕩器被廣泛應(yīng)用在通信領(lǐng)域。目前，低功耗、低噪聲、寬調(diào)諧的新型環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu)吸引了眾多學(xué)者投入研究，例如文獻(xiàn)[1]中設(shè)計(jì)了一種頻率范圍為2.05 GHz～3.35 GHz的環(huán)形振蕩器，其相位噪聲為-89.6 dBc/Hz@1 MHz，核心電路的功耗為18.36 mW，不過，其功耗較大，不能滿足在無線通訊系統(tǒng)中的低功耗要求。針對振蕩器存在的功耗大、噪聲大、線性度差等問題，提出了一種新型環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu)，該環(huán)形振蕩器的頻率范圍為0.2 GHz～3.8 GHz，產(chǎn)生8相位，相位噪聲為-91.34 dBc/Hz@1 MHz。

1環(huán)形振蕩器

1.1 環(huán)形振蕩器

環(huán)形振蕩器的核心結(jié)構(gòu)是在一個(gè)振蕩頻率處呈正反饋的環(huán)路，如圖1所示。

圖中，HA(ω)是基本放大器的傳輸函數(shù)，HF(ω)為反饋網(wǎng)絡(luò)的傳輸函數(shù)。反饋系統(tǒng)的閉環(huán)增益為式(1)：

環(huán)形振蕩器的工作原理是環(huán)路傳輸函數(shù)僅在一個(gè)頻率點(diǎn)上滿足Barkhausen判據(jù)，即在某一頻率ω下滿足式(2)就可以產(chǎn)生振蕩。

其中，ω0表示輸入電壓為0的輸出頻率，KVCO為VCO的增益，單位為rad/(s·V)，Vcon為控制電壓。

1.2 電路原理分析與設(shè)計(jì)

環(huán)形振蕩器的相位噪聲主要來自于散粒噪聲、熱噪聲和環(huán)境噪聲。熱噪聲是溫度、帶寬和電阻作用的結(jié)果；散粒噪聲是直流偏置電流引起的；而環(huán)境噪聲主要來自VCO外部電源的噪聲和襯底的噪聲。延遲單元可以采用單端結(jié)構(gòu)和差分結(jié)構(gòu)，以差分結(jié)構(gòu)為基本延遲單元構(gòu)成的差分環(huán)形振蕩器具有很好的對稱性，在克服環(huán)境噪聲方面具有很大的優(yōu)勢，但是由于電路復(fù)雜，不僅增大了芯片的面積，而且?guī)磔^多的熱噪聲，因此選用結(jié)構(gòu)簡單、器件少的單端結(jié)構(gòu)，可以有效地減少由器件本身帶來的熱噪聲。一個(gè)N級的環(huán)形振蕩器，每級的延時(shí)為td，則其頻率為:

其中，Icharge為充電電流，Cpar為延時(shí)單元輸出節(jié)點(diǎn)的總寄生電容，Vdd為供電電壓。

考慮到芯片面積，設(shè)計(jì)的環(huán)形壓控振蕩主要由24個(gè)反相器組成，如圖2所示，其中D0～D8依次首尾相連構(gòu)成主環(huán)形結(jié)構(gòu)。輸入端用 Vcon表示，VCO的振蕩頻率隨著輸入端電壓的變化而變化。

由圖3可知，該VCO主要包含三種環(huán)路，第一種是由D0～D8八個(gè)延遲單元組成的最慢主環(huán)路，第二種是包含兩個(gè)四級反向延遲單元組成的閉環(huán)環(huán)路，分別為D9—D11—D13—D15、D8—D10—D12—D14，另外還有一種包含四個(gè)閉環(huán)環(huán)路，分別為D16—D20，D17—D21，D18—D22，D23—D19分別組成的環(huán)路，主環(huán)路與各個(gè)子環(huán)路之間保持一個(gè)完美的對稱關(guān)系。

通過改變MN1的電流來改變負(fù)阻大小，那么MP0、MP1漏極等效電阻也隨之改變，進(jìn)而調(diào)節(jié)振蕩頻率，由于是低電源供電,MP0、MP1采用電流鏡結(jié)構(gòu)。MP0、MP1漏極等效阻值的變化會(huì)導(dǎo)致不同頻率信號(hào)的輸出擺幅不同，會(huì)影響VCO的噪聲性能，為滿足通信系統(tǒng)的需要，需要調(diào)整電流鏡的寬長比進(jìn)而優(yōu)化壓控振蕩器相位噪聲。

根據(jù)環(huán)形振蕩器的振蕩原理，這個(gè)以八級反相延遲單元為主環(huán)形鏈的VCO構(gòu)成的壓控振蕩器可以實(shí)現(xiàn)正交相位的頻率信號(hào)輸出，可以有效抑制環(huán)境噪聲，在時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路中有著重要的應(yīng)用[5]。

1.3 緩沖器設(shè)計(jì)

為了使環(huán)形振蕩器有良好的輸出匹配，在電路中引入如圖4所示的緩沖級，它主要由差分對、單端反相器以及l(fā)atch組成，差分對的輸出作為反相器的輸入，從而確保了電路的對稱性。該緩沖級可以將環(huán)形振蕩器的輸出波形變?yōu)檎伎毡?0%的時(shí)鐘信號(hào)，并且可以提高驅(qū)動(dòng)能力。

1.4 版圖設(shè)計(jì)

版圖設(shè)計(jì)是集成電路工藝的重要部分，版圖設(shè)計(jì)的好壞直接影響芯片的功能。本文設(shè)計(jì)的環(huán)形振蕩器基于TSMC 55 nm工藝，著重分析了VCO匹配和降噪等問題，根據(jù)版圖設(shè)計(jì)的基本規(guī)則利用virtuoso Layout Editor工具進(jìn)行布局布線，并通過了DRC和LVS驗(yàn)證。設(shè)計(jì)的環(huán)形振蕩器版圖如圖5所示，核心版圖面積為70 μm×81 μm。

1仿真結(jié)果

2.1 前仿結(jié)果

利用Cadence公司Spectre RF仿真工具進(jìn)行瞬態(tài)仿真，結(jié)果如圖6所示。從圖中可以看出，當(dāng)Vdd=0.6 V時(shí)，環(huán)形振蕩器的起振時(shí)間約為1.4 ns，振蕩幅度約為0.74 V。該結(jié)果說明振蕩器的起振情況良好，且起振時(shí)間比較短。

VCO的頻率調(diào)諧圖如圖7所示，從圖7可以看出，當(dāng)控制電壓在0~0.9 V之間變化時(shí)，VCO頻率調(diào)諧范圍為0.2 GHz~3.8 GHz，且調(diào)諧曲線在0.4~0.8 V具有較好的線性度。

相位噪聲是壓控振蕩器的重要參數(shù)和性能指標(biāo)。壓控振蕩器的相位噪聲性能通過PSS和PNOISE共同仿真得到，頻偏范圍設(shè)置為1 kHz到1 GHz。當(dāng)調(diào)諧電壓為0.6 V，輸出中心頻率為2.4 GHz時(shí)的整體電路相位噪聲曲線如圖8所示，可見在頻偏1 MHz處，相位噪聲為-91.34 dBc/Hz。

抖動(dòng)（Jitter）和相位噪聲均是衡量環(huán)形振蕩器噪聲性能的參數(shù)，抖動(dòng)是在時(shí)域來衡量振蕩器振蕩信號(hào)過零點(diǎn)時(shí)間的不確定性；相位噪聲是在頻域來衡量振蕩器的頻譜純度，它們在本質(zhì)上是一樣的，只是運(yùn)用不同的表述方法來闡述同一種現(xiàn)象[6]。根據(jù)相位噪聲計(jì)算抖動(dòng)如圖9所示，設(shè)A=面積=綜合相位噪聲功率（dBc），則：

在圖8所示的相位噪聲圖中讀取圖9中各個(gè)頻率偏移所對應(yīng)的相位噪聲。經(jīng)計(jì)算得：

由于低頻VCO通常抖動(dòng)比較大，一般用PLL環(huán)可以有效過濾低頻噪聲。

2.2 后仿真結(jié)果

經(jīng)過對版圖的修改與優(yōu)化，通過DRC及LVS驗(yàn)證，運(yùn)用版圖參數(shù)提取工具PEX對版圖進(jìn)行了寄生電阻、寄生電容等參數(shù)的提取。圖10給出了后仿真的電路原理圖。

版圖寄生參數(shù)提取后，搭建同樣的仿真環(huán)境，運(yùn)用仿真工具分別對VCO穩(wěn)定振蕩時(shí)的瞬態(tài)輸出信號(hào)波形、調(diào)頻特性和相位噪聲性能進(jìn)行了后仿真，后仿真結(jié)果分別如圖11～圖13所示。由圖可知，后仿結(jié)果與前仿結(jié)果基本一致，可見版圖設(shè)計(jì)滿足振蕩器的頻率調(diào)節(jié)范圍在0.2 GHz~3.8 GHz之間，中心頻率處的相位噪聲為-91.34 dBc/Hz@1 MHz，功耗為4.6 mW，線性度良好。

表1總結(jié)了設(shè)計(jì)的環(huán)形壓控振蕩器的性能參數(shù)，并與工藝條件相近的振蕩器進(jìn)行對比?？梢钥闯觯O(shè)計(jì)的環(huán)形振蕩器在低功耗的條件具有較高的頻率，并且相位噪聲較好。

3結(jié)論

基于TSMC 55 nm工藝，采用交叉前饋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一個(gè)2.4 GHz的低功耗環(huán)形振蕩器，在1.2 V電源電壓下整個(gè)環(huán)形振蕩器的最大功耗為5.6 mW，相位噪聲為-91.34 dBc/Hz，該VCO具有低功耗、低相噪、可調(diào)節(jié)范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，可應(yīng)用于鎖相環(huán)、頻率發(fā)生器及時(shí)鐘恢復(fù)等電路。