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開關(guān)電源的電磁干擾防制技術(shù)和傳導(dǎo)測(cè)試與輻射測(cè)試詳細(xì)概述

電源研發(fā)精英圈 ? 2018-04-29 11:46 ? 次閱讀

開關(guān)電源的電磁干擾防制技術(shù)——傳導(dǎo)篇前言電源產(chǎn)品在做驗(yàn)證時(shí),經(jīng)常會(huì)遭遇到電磁干擾(EMI)的問題,有時(shí)處理起來需花費(fèi)非常多的時(shí)間,許多工程師在對(duì)策電磁干擾時(shí)也是經(jīng)驗(yàn)重于理論,知道哪個(gè)頻段要對(duì)策那些組件,但對(duì)于理論上的分析卻很欠缺。筆者從事開關(guān)電源設(shè)計(jì)多年,希望能藉由之前對(duì)策的經(jīng)驗(yàn)與相關(guān)理論基礎(chǔ)做個(gè)整理,讓目前正從事或未來想從事開關(guān)電源設(shè)計(jì)的人員對(duì)電磁干擾防制技術(shù)能有初步的認(rèn)識(shí)。

開關(guān)電源的電磁干擾測(cè)試可分為傳導(dǎo)測(cè)試與輻射測(cè)試,一般開關(guān)電源的傳導(dǎo)測(cè)試頻段是指150K~30MHz之間,而輻射干擾的頻段是指30M~300MHz,300MHz之后的頻段一般皆不是電源所產(chǎn)生,因此大都可以給予忽略。

下面內(nèi)容章節(jié)包括開關(guān)電源的傳導(dǎo)測(cè)試法規(guī),測(cè)試與量測(cè)方式,基本概念,抑制傳導(dǎo)干擾的濾波器設(shè)計(jì),布線與變壓器設(shè)計(jì)等章節(jié)。

2傳導(dǎo)測(cè)試的法規(guī)傳導(dǎo)的法規(guī)因產(chǎn)品別的不同,其所適用之條文亦不同,一般是使用歐洲的EN-55022或是美國(guó)的FCC part15來定義其限制線,又可以區(qū)分為CLASS A與CLASS B兩種標(biāo)準(zhǔn),CLASS A為產(chǎn)品在商業(yè)與工業(yè)區(qū)域使用,CLASS B為產(chǎn)品在住宅及家庭區(qū)域使用,筆者所設(shè)計(jì)的產(chǎn)品為3C的家用電源,傳導(dǎo)測(cè)試頻段為150K~30MHz,在產(chǎn)品測(cè)試前請(qǐng)先確認(rèn)申請(qǐng)的安規(guī)為何,不同的安規(guī)與等級(jí)會(huì)有不同的標(biāo)準(zhǔn)線。

圖1舉例為EN-55022CLASS B的限制線圖,紅色線為準(zhǔn)峰值(QP, Quasi-peak)的限制線,粉紅色為平均值(AV, Average)的限制線,傳導(dǎo)測(cè)試最終的目地,就是測(cè)試的機(jī)臺(tái)可以完全的低于其限制線,不論是QP值或AV值;一般在申請(qǐng)安規(guī)時(shí),雖然只有在限制線下方即可申請(qǐng),但多數(shù)都會(huì)做到低于2dB的誤差以預(yù)防測(cè)試場(chǎng)地不同所導(dǎo)致的差異,而客戶端有時(shí)會(huì)要求必需低于4~6dB來預(yù)防產(chǎn)品大量生產(chǎn)后所產(chǎn)生的誤差。

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圖2為一量測(cè)后的例子,一般量測(cè)時(shí)都會(huì)先用峰值量測(cè),因峰值量測(cè)是最簡(jiǎn)單且快速的方法,量測(cè)儀器以9KHz為一單位,在150K~30MHz之間用保持最大值(maximum hold)的方式來得到傳導(dǎo)的峰值讀值,用此來確認(rèn)電源的最大峰值然后再依此去抓最高峰值的實(shí)際QP,AV值來減少掃描時(shí)間,圖2的藍(lán)色曲線為準(zhǔn)峰值的峰值量測(cè)結(jié)果,一般在峰值量測(cè)完后會(huì)再對(duì)較高的6個(gè)頻率點(diǎn)做準(zhǔn)峰值(QP)與平均值(AV)的量測(cè),就如同圖2所標(biāo)示。

峰值與準(zhǔn)峰值的差別在于:峰值量測(cè)是不論時(shí)常出現(xiàn)或是偶爾出現(xiàn)的信號(hào)皆被以最大值的方式置在接收器的讀值中,而準(zhǔn)峰值量測(cè)是指在一時(shí)間內(nèi)取數(shù)次此頻段的脈沖信號(hào),若某頻率的信號(hào)在一段時(shí)間內(nèi)重復(fù)出現(xiàn)率較高,才會(huì)得到較高之量測(cè)值;平均值則是對(duì)此頻段的振幅取平均值,典型的頻譜分析儀可將帶寬設(shè)定在30Hz左右來得到最真實(shí)的平均信號(hào)。

QP與AV相較于峰值,其偵測(cè)值必然較低,若一開始的峰值量測(cè)已有足夠的余度則不用再做單點(diǎn)的QP和AV量測(cè)。

現(xiàn)在的IC為了EMI傳導(dǎo)的防制,在操作頻率上都會(huì)做抖頻的功能,像是IC主頻為65KHz,但在操作時(shí)會(huì)以65KHz正負(fù)6K做變化,藉此來將差模倍頻的信號(hào)打散,不會(huì)集中在單一根頻率上,如果沒有抖頻功能,差模干擾在主頻的倍頻時(shí)會(huì)呈現(xiàn)單根很扎實(shí)的QP與AV,如同圖2的157KHz,儀器看到的峰值滿高的,但讀起來還仍有9dB以上的余度。

3傳導(dǎo)的測(cè)試與量測(cè)方式

圖3為測(cè)試傳導(dǎo)的參考圖示,此為通嘉內(nèi)部的傳導(dǎo)設(shè)備圖示,待測(cè)物接仿真負(fù)載后放于桌面上,經(jīng)由一輸入線材(AC cable)連接LISN(線性阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò))與待測(cè)物,再將LISN的信號(hào)接至接收器,輸入線材不得與地面接觸,而待測(cè)物的負(fù)載需與待測(cè)物距離10公分,若周邊需接電源時(shí),其電源需接獨(dú)立電源,不得與待測(cè)物使用相同電源,若電源為2PIN輸入,則輸出負(fù)載需接地以仿真系統(tǒng)下地。

LISN(線性阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò))內(nèi)部線路如圖4所示,輸入電源來源由左邊進(jìn)入LISN后,經(jīng)由LF與CF來濾除電源的低頻噪聲,并由耦合電容CC與偵測(cè)電阻RSL/RSN來取得高頻信號(hào)Vsn,再將此信號(hào)經(jīng)接受器或頻譜分析儀來得到其振幅的大小(dBuV)。

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請(qǐng)記得輸入線材不得與地面接觸,筆者曾有過輸入線材與地面接觸與否,讀值差了10dB左右的經(jīng)驗(yàn);另外,周邊儀器的電源需使用干凈且與主電源隔離的電源,否則很容易因共地而產(chǎn)生共模干擾,許多測(cè)試場(chǎng)地會(huì)直接拿一個(gè)延長(zhǎng)線去使用外接電源給予周邊,但此種方式仍有可能因共地而被干擾,若能使其接至另一個(gè)LISN是個(gè)較好的方式,因LISN內(nèi)有LF與CF可作信號(hào)隔離。

4對(duì)策EMI傳導(dǎo)的基本概念

4.1 差模(Differential mode)信號(hào)與共模(Common mode)信號(hào)

傳導(dǎo)量測(cè)接法如圖5、圖6所示,是由接收器量測(cè)L/N/GND之間的頻率與振幅大小而成,而信號(hào)存在于L與N之間的叫差模信號(hào),如圖5所示;而信號(hào)存在于L與FG或N與FG之間的叫共模信號(hào),如圖6所示,也可以說與FG形成回路的就叫共模信號(hào)。

一般電源的輸入來源皆是取自L與N,因此在電源的電磁干擾設(shè)計(jì)中,差模成份的抑制極為重要,尤其是前頻段150K~1MHz大多是由開關(guān)電源的主頻與倍頻出來的差模干擾。

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圖7為一未對(duì)策前的傳導(dǎo)測(cè)試結(jié)果,前端為IC的操作頻率所引起的倍頻差模干擾加上本體的共模干擾所形成,由圖形可看出每根峰值之間的頻率為100KHz,可判斷此IC的操作頻率為100KHz,而測(cè)量的讀值是呈現(xiàn)由IC 100KHz的倍頻做線性衰減,因此每100KHz就有一根因IC操作頻率所造成的差模干擾信號(hào),也可以說在前頻段時(shí),共模信號(hào)呈線性平面下降,而差模信號(hào)則迭加在共模的上方。

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圖8為相同的機(jī)臺(tái)在對(duì)策后測(cè)試結(jié)果,在對(duì)策后最差都還有6dB以上的余度,已可符合多數(shù)的客戶要求。

一般在測(cè)試時(shí),必需測(cè)試L與N兩項(xiàng),一般L與N的讀值不會(huì)差異太大,若差異很大一般都是某項(xiàng)的共模能量較強(qiáng)所致。

測(cè)試的輸入電壓則是看申請(qǐng)的安規(guī)來決定,一般是用110V與230V來做高低壓量測(cè);另外,產(chǎn)品在確認(rèn)傳導(dǎo)測(cè)試時(shí)皆需要做長(zhǎng)時(shí)間的燒機(jī),有時(shí)會(huì)因燒機(jī)后磁性組件過熱導(dǎo)致感量異常而讓EMI變差。

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4.2 電磁干擾,電場(chǎng)干擾與磁場(chǎng)干擾

電磁干擾(EMI, Electrical Magnetic Interference)可分為電場(chǎng)干擾與磁場(chǎng)干擾兩種,電場(chǎng)與磁場(chǎng)是兩種不同的性質(zhì),但兩者之間的能量是會(huì)互相影響的,隨時(shí)間變化的電場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng),而隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)也會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng),這些不斷同相振蕩的電場(chǎng)和磁場(chǎng)共同的形成了電磁干擾(電磁波)。

一般對(duì)于電場(chǎng),我們可以用下面的電荷公式與電容公式來作解釋,

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當(dāng)電容二端的電位在時(shí)間之內(nèi)存在一電壓差時(shí),則會(huì)根據(jù)電荷公式(電壓/時(shí)間的變化,如圖12)而產(chǎn)生一電流,如圖11紅色箭頭所示,而任何產(chǎn)生的電流必需經(jīng)由另一路徑回到自己出發(fā)時(shí)的位置而形成一電流回路,如棕色虛線箭頭所示,此因電壓變動(dòng)造成的電流回路就會(huì)引起電場(chǎng)干擾。

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因此,改善電場(chǎng)干擾的方式,就是減少其回路電流的方法,根據(jù)上面兩個(gè)公式,我們可以藉由將耦合電容減小,像是減少兩個(gè)導(dǎo)體之間接觸的面積/增加其距離/變更中間的介質(zhì)等方式來減少電容效應(yīng),或是減小電壓差或時(shí)間變化率來減少電場(chǎng)感應(yīng)。

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