0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)為何會(huì)被光刻機(jī)掐住了脖子?

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-07-29 11:16 ? 次閱讀

眾所周知,航空發(fā)動(dòng)機(jī)和光刻機(jī)分別代表了人類科技發(fā)展的頂級(jí)水平,都可以算得上是工業(yè)皇冠上的奪目的明珠。目前,我國(guó)航空發(fā)動(dòng)機(jī)已經(jīng)有了長(zhǎng)足的進(jìn)步,那么,我國(guó)的光刻機(jī)發(fā)展現(xiàn)狀如何?這種譽(yù)為新時(shí)代“兩彈一星”級(jí)別的“神器”我國(guó)能趕超歐美嗎?特別是最近某科技媒體稱,“是什么卡了我們的脖子—— 這些“細(xì)節(jié)”讓中國(guó)難望頂級(jí)光刻機(jī)項(xiàng)背”,筆者根據(jù)公開(kāi)資料解析我國(guó)光刻機(jī)最新進(jìn)展。所謂光刻機(jī),原理實(shí)際上跟照相機(jī)差不多,不過(guò)它的底片是涂滿光敏膠(也叫光刻膠)的硅片。各種電路圖案經(jīng)激光縮微投影曝光到光刻膠上,光刻膠的曝光部分與硅片進(jìn)行反應(yīng),將其永久的刻在硅片上,這是芯片生產(chǎn)的最關(guān)鍵步驟。 由于光刻機(jī)在芯片最后的封裝,以及平板顯示器件生產(chǎn)都可以用到,所以這里的光刻機(jī)一般特指芯片生產(chǎn)的前道光刻機(jī)。

由于前道光刻機(jī)技術(shù)極端復(fù)雜,經(jīng)過(guò)多年競(jìng)爭(zhēng),目前由原荷蘭飛利浦公司發(fā)展而來(lái)的ASML(阿斯麥)公司一家獨(dú)大,占據(jù)大部分市場(chǎng)份額,日本的兩家光刻機(jī)公司(尼康和佳能)茍延殘喘,基本上已退出光刻機(jī)市場(chǎng) ,就連科技最發(fā)達(dá)的美國(guó)目前也不能獨(dú)自完整生產(chǎn)出前道光刻機(jī) ,只要求掌握最關(guān)鍵技術(shù),和擁有ASML(阿斯麥)公司關(guān)鍵控股權(quán)。一些言論認(rèn)為:“作為集成電路制造過(guò)程中最核心的設(shè)備,光刻機(jī)至關(guān)重要,芯片廠商想要提升工藝制程,沒(méi)有它萬(wàn)萬(wàn)不行,我國(guó)半導(dǎo)體工藝為啥提升不上去,光刻機(jī)被禁售是一個(gè)主要因素”。實(shí)際上,早在1971年,我國(guó)清華大學(xué)精儀系就成功研制出了“激光干涉定位自動(dòng)分步重復(fù)照相機(jī)”,也就是前道步進(jìn)光刻機(jī)原型。那時(shí),現(xiàn)在的光刻機(jī)巨頭ASML還未創(chuàng)立,可以說(shuō)跟歐美光刻技術(shù)處于同一水平,進(jìn)入80年代后,隨著國(guó)家放慢了對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)支持的腳步,面對(duì)飛速發(fā)展的國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè),我國(guó)卻被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在了后面。

進(jìn)入21世紀(jì)后,我國(guó)重新開(kāi)展了前道光刻機(jī)的研發(fā)工作,并成立了專門(mén)的研發(fā)公司——上海微電子裝備有限公司(SMEE)。當(dāng)時(shí)國(guó)外公司傲慢的說(shuō),“即使把圖紙和元器件全部給你們,你們也裝配不出來(lái)”。上海微電子裝備有限公司進(jìn)行集成式創(chuàng)新,終于于2007年研制出了我國(guó)首臺(tái)90納米高端投影光刻機(jī),成為世界上第四家掌握高端光刻機(jī)技術(shù)的公司。據(jù)公開(kāi)資料披露,由于該樣機(jī)大量采用外國(guó)關(guān)鍵元器件進(jìn)行集成,在得知我國(guó)研制出光刻機(jī)后,外國(guó)公司默契的進(jìn)行了關(guān)鍵元器件禁運(yùn),樣機(jī)成了擺設(shè),無(wú)法投入商業(yè)化生產(chǎn)。公司不得不將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)投入到技術(shù)含量較低的后道封裝光刻機(jī)和平板顯示光刻機(jī)上來(lái),并成功的占領(lǐng)了國(guó)內(nèi)封裝光刻機(jī)80%的市場(chǎng),解決了公司生存危機(jī),但我國(guó)芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵難題并沒(méi)有解決。

面對(duì)如此困難的局面,我國(guó)并沒(méi)有泄氣,認(rèn)真梳理了前道光刻機(jī)的關(guān)鍵核心技術(shù),決定開(kāi)展全國(guó)科技大協(xié)作,投巨資和精兵強(qiáng)將攻下這一科研難關(guān)。第一道難關(guān)是光刻機(jī)的曝光光學(xué)系統(tǒng),由數(shù)十塊鍋底大的鏡片串聯(lián)組成,其光學(xué)零件精度控制在幾個(gè)納米以內(nèi),ASML公司的鏡頭組由老牌光學(xué)儀器公司德國(guó)蔡司獨(dú)家生產(chǎn)。該項(xiàng)技術(shù)由生產(chǎn)遙感衛(wèi)星鏡頭的長(zhǎng)春光機(jī)所和國(guó)防科技大學(xué)光學(xué)精密工程創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)等聯(lián)合攻關(guān),已獲得多項(xiàng)突破性成果。成功研制了含有非球面光學(xué)元件的投影光刻曝光光學(xué)系統(tǒng),并在上海微電子90nm光刻機(jī)整機(jī)上獲得了滿足光刻工藝要求的85nm極限曝光分辨率的成果,并全面掌握了浸沒(méi)式28nm光刻機(jī)以及更高水平的光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng),已批量生產(chǎn)110nm節(jié)點(diǎn)KrF曝光光學(xué)系統(tǒng),值得一提的是,更短波長(zhǎng)的極紫外EUV投影光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)也成功突破,獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。

第二道難關(guān)是光刻機(jī)的激光光源,據(jù)非官方消息稱,上海微電子的光刻機(jī)光源就因?yàn)闆](méi)有國(guó)產(chǎn)化,被西方公司卡脖子導(dǎo)致無(wú)法商用。光刻用準(zhǔn)分子激光器光源需要窄線寬、大能量和高脈沖頻率,這些參數(shù)互相矛盾,研制難度極大,目前經(jīng)兼并組合后,全世界只有一家日本公司獨(dú)立生產(chǎn)光源,其余皆被ASML公司收購(gòu)。我科學(xué)院光電研究院等承擔(dān)光刻機(jī)中的ArF準(zhǔn)分子激光光源研發(fā)任務(wù)后,經(jīng)9年努力,已完成國(guó)內(nèi)首臺(tái) “65納米 ArF 步進(jìn)掃描雙工件臺(tái)光刻機(jī)曝光光源”制造任務(wù)和 “45納米以下浸沒(méi)式曝光光源研制與小批量產(chǎn)品生產(chǎn)能力建設(shè)”任務(wù)。以及20-40瓦 90納米光刻機(jī) ArF曝光光源批量化生產(chǎn)任務(wù)。第三道難關(guān)是光刻機(jī)工件臺(tái),為將設(shè)計(jì)圖形制作到硅片上,并能在2~3平方厘米的方寸之地集成數(shù)十億只晶體管, 光刻機(jī)工件臺(tái)在高速運(yùn)動(dòng)下需達(dá)到2nm(相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑的三萬(wàn)分之一)的運(yùn)動(dòng)精度。

日本尼康株式會(huì)社的社長(zhǎng)來(lái)我國(guó)訪問(wèn)時(shí)曾說(shuō)過(guò)這么一句話:“光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)雖然很難,我相信你們能夠研制出來(lái),但(雙)工件臺(tái)恐怕就拿不下來(lái)了,因?yàn)檫@個(gè)系統(tǒng)太復(fù)雜了?!蔽覈?guó)的清華大學(xué)等單位經(jīng)努力攻關(guān),不僅做出了滿足90納米光刻需要的工件臺(tái),針對(duì)28至65納米光刻配套的雙工件臺(tái)也已研制成功,使我國(guó)成為世界上第二個(gè)研制出光刻機(jī)雙工件臺(tái)的國(guó)家。第四道難關(guān)是光刻機(jī)浸液系統(tǒng),進(jìn)入65納米以下制程后,曝光光學(xué)系統(tǒng)已不能滿足需要,急需新的技術(shù)。臺(tái)積電技術(shù)人員經(jīng)研究,提出采用以水為透鏡,激光光束透過(guò)“水”為中介,縮短成更短波長(zhǎng),并與ASML公司合作,研制出45納米浸沒(méi)式光刻機(jī)。就是這項(xiàng)發(fā)明使原有193納米波長(zhǎng)光刻機(jī)不斷延續(xù),芯片制程最低可達(dá)7到14納米,臺(tái)積電和ASML公司分別成為各自領(lǐng)域龍頭企業(yè)。

我國(guó)浙江大學(xué)經(jīng)多年研究,研制出浸液控制系統(tǒng)樣機(jī),為我國(guó)浸沒(méi)光刻機(jī)的研制提供技術(shù)支撐。該項(xiàng)目研發(fā)成功后將推動(dòng)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)一舉超越Nikon和Canon的光刻機(jī),成為全球光刻機(jī)生產(chǎn)企業(yè)第二名。隨著上述四大關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)成功,ASML公司不得不與上海微電子重新建立合作伙伴關(guān)系,并聲稱,從來(lái)沒(méi)有對(duì)中國(guó)出售最先進(jìn)光刻機(jī)進(jìn)行所謂的“禁運(yùn)”,愿意隨時(shí)給我國(guó)出口最高級(jí)的光刻機(jī),筆者認(rèn)為,再給我國(guó)5至8年時(shí)間,我國(guó)光科技技術(shù)將站上世界領(lǐng)先地位,那時(shí),我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)一片曙光。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    452

    文章

    50224

    瀏覽量

    420983
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1142

    瀏覽量

    47179
  • ASML
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    715

    瀏覽量

    41137
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    光刻機(jī)巨頭ASML業(yè)績(jī)暴雷,芯片迎來(lái)新一輪“寒流”?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)作為芯片制造過(guò)程中的核心設(shè)備,光刻機(jī)決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機(jī)已經(jīng)成為高端芯片(7nm及以下)
    的頭像 發(fā)表于 10-17 00:13 ?2614次閱讀

    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)速:Hyper-NA EUV光刻機(jī)挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    。在這場(chǎng)技術(shù)競(jìng)賽中,光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備,其重要性不言而喻,而荷蘭巨頭阿斯麥(ASML)無(wú)疑是這一領(lǐng)域的領(lǐng)航者。
    的頭像 發(fā)表于 07-03 14:46 ?2323次閱讀

    俄羅斯首臺(tái)光刻機(jī)問(wèn)世

    的一部分,目前正在對(duì)其進(jìn)行測(cè)試,該設(shè)備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。什帕克還指出,到2026年將獲得130nm的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī),下一步將是開(kāi)發(fā)90nm光刻機(jī),并繼續(xù)向下邁進(jìn)。 此前,俄羅斯曾表示,計(jì)劃到2026年實(shí)現(xiàn)65nm的
    的頭像 發(fā)表于 05-28 15:47 ?693次閱讀

    后門(mén)!ASML可遠(yuǎn)程鎖光刻機(jī)!

    與ASML進(jìn)行光刻機(jī)問(wèn)題溝通時(shí),負(fù)責(zé)人做出了保證,他們有能力遠(yuǎn)程鎖控芯片制造設(shè)備。 這就意味著ASML傳承了歐美企業(yè)留有“后門(mén)”的習(xí)慣,而伴隨著這樣一則信息的揭露,或許很有可能會(huì)被美國(guó)所利用,徹底走向不可控的局面,而ASML絲毫
    的頭像 發(fā)表于 05-24 09:35 ?492次閱讀

    荷蘭阿斯麥稱可遠(yuǎn)程癱瘓臺(tái)積電光刻機(jī)

    disable)臺(tái)積電相應(yīng)機(jī)器,而且還可以包括最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)(EUV)。 這就意味著阿斯麥(ASML)留了后門(mén),隨時(shí)有能力去遠(yuǎn)程癱瘓制造芯片光刻機(jī)。 要知道我國(guó)大陸市場(chǎng)已經(jīng)連
    的頭像 發(fā)表于 05-22 11:29 ?5710次閱讀

    臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī),2026年下半年量產(chǎn)

    據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機(jī),而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下,英特爾和三星則計(jì)劃在此階段使用最新的High-NA EUV光刻機(jī)。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 17:21 ?870次閱讀

    光刻機(jī)的常見(jiàn)類型解析

    光刻機(jī)有很多種類型,但有時(shí)也很難用類型進(jìn)行分類來(lái)區(qū)別設(shè)備,因?yàn)橛行┓诸悆H是在某一分類下的分類。
    發(fā)表于 04-10 15:02 ?1615次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>的常見(jiàn)類型解析

    光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程

    光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展,每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒(méi)步進(jìn)式投影
    發(fā)表于 03-21 11:31 ?5618次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>的發(fā)展歷程及工藝流程

    光刻機(jī)巨頭ASML要搬離荷蘭?

    據(jù)荷蘭《電訊報(bào)》3月6日?qǐng)?bào)道,因荷蘭政府的反移民政策傾向,光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)正計(jì)劃搬離荷蘭。
    的頭像 發(fā)表于 03-08 14:02 ?1103次閱讀

    淺談不同階段光刻機(jī)工作方式

    在曝光過(guò)程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1,分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離,隨著曝光次數(shù)的增加,會(huì)引起掩模版和光刻膠膜層
    發(fā)表于 03-08 10:42 ?1116次閱讀
    淺談不同階段<b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>工作方式

    ASML光刻機(jī)技術(shù)的領(lǐng)航者,挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    ASML在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中扮演著舉足輕重的角色,其光刻機(jī)技術(shù)和市場(chǎng)地位對(duì)于全球半導(dǎo)體制造廠商來(lái)說(shuō)都具有重要意義。
    發(fā)表于 03-05 11:26 ?1089次閱讀

    光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

    光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:19 ?4186次閱讀

    光刻機(jī)結(jié)構(gòu)及IC制造工藝工作原理

    光刻機(jī)是微電子制造的關(guān)鍵設(shè)備,廣泛應(yīng)用于集成電路、平面顯示器、LED、MEMS等領(lǐng)域。在集成電路制造中,光刻機(jī)被用于制造芯片上的電路圖案。
    發(fā)表于 01-29 09:37 ?2508次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>結(jié)構(gòu)及IC制造工藝工作原理

    狂加工一年!ASML把欠中國(guó)的600億光刻機(jī),成功交付了

    關(guān)于光刻機(jī),大家還記得美國(guó)荷蘭日本的三方協(xié)議嗎?來(lái)回憶一下。 隨著芯片在各個(gè)領(lǐng)域的重要性不斷提升,人們對(duì)芯片制造的關(guān)注也日益增加。 但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈非常復(fù)雜,不僅僅涉及到底層的架構(gòu)設(shè)計(jì),
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:56 ?633次閱讀

    英特爾搶下6種ASML HIGH NA光刻機(jī)

    如果我們假設(shè)光刻機(jī)成本為 3.5 億至 4 億美元,并且 2024 年 10 個(gè)光刻機(jī)的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。
    的頭像 發(fā)表于 12-28 11:31 ?816次閱讀