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說一說光刻機的那些事兒

中科院長春光機所 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-05-03 15:06 ? 次閱讀

面對四月份美國對中興芯片禁運事件,我們體會到被別人拿住軟肋、受制于人的痛楚,而生產(chǎn)高性能芯片必須的關(guān)鍵設(shè)備就是光刻機,今天我們就來說一說光刻機的那些事兒。

光刻機(MaskAligner),又名掩模對準(zhǔn)曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等,其中掩模對準(zhǔn)光刻法是比較常用的光刻機,本文搜集整理的資料和例證主要以掩模對準(zhǔn)光刻機為主。

光刻機的分類

高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種,分辨率通常在十幾納米至幾微米之間,高端光刻機號稱是世界上最精密的儀器,高端光刻機堪稱現(xiàn)代光學(xué)工業(yè)之花,其制造難度大,目前全球只有少數(shù)幾家公司能夠制造。

國外品牌的光刻機主要以荷蘭ASML(光刻機鏡頭來自德國)、日本Nikon和日本Canon三大品牌為主。國內(nèi)的光刻機主要是上海微電子裝備股份有限公司SMEE研制的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的投影式中端光刻機,目前該公司的光刻機已經(jīng)初步形成產(chǎn)品系列,開始在海內(nèi)外銷售。

生產(chǎn)和研發(fā)用的低端光刻機為接近、接觸式光刻機,分辨率通常在數(shù)微米以上,主要是德國、美國和中國的產(chǎn)品品牌。

光刻機性能指標(biāo)

光刻機的主要性能指標(biāo)是支持基片的尺寸范圍、分辨率、對準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等“硬性”指標(biāo)。

1)分辨率是指光刻加工工藝可以達到的最細線條精度。光刻的分辨率主要受到光源衍射極限的限制,也就是說受我們所說的阿貝極限(光學(xué)顯微鏡的分辨率極限約是可見光波長的一半)的限制。推而廣之,光刻機的分辨率也就受到光刻光學(xué)系統(tǒng)、光刻膠和光刻工藝等方面的限制。

2)對準(zhǔn)精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

掩膜對準(zhǔn)光刻機光刻流程

一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。最初的工序是用光來制作一個掩模版,然后在硅片表面均勻涂抹光刻膠,將掩模版上的圖形或者電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移復(fù)制到硅片上,然后通過光學(xué)刻蝕的方法在硅片上刻蝕出已經(jīng)“復(fù)制”到硅片上的內(nèi)容。

曝光系統(tǒng)

曝光系統(tǒng)是光刻機的核心部件之一,為了盡量減小衍射極限的限制,曝光系統(tǒng)大量采用紫外、深紫外和極紫外光做光源,比如汞燈、準(zhǔn)分子激光器。曝光系統(tǒng)主要實現(xiàn)平滑衍射效應(yīng)、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調(diào)節(jié)等功能。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。但總體來說,曝光系統(tǒng)所采用的光源必須滿足如下的要求:

1)適當(dāng)?shù)牟ㄩL

波長越短,光刻的刀鋒越鋒利,可以用于刻蝕的特征尺寸就越小,刻蝕過程對精度的控制更好。

2)有足夠的能量

能量越大,每一次刻蝕中所花費的曝光時間就越短。

3)能量必須均勻地分布在曝光區(qū)

曝光區(qū)域的光的均勻度或者平行度越高,硅片上的刻蝕痕跡的深度和寬度更加趨于一致,刻蝕精度更高、更易于控制。

對準(zhǔn)系統(tǒng)

對準(zhǔn)系統(tǒng)是光刻機另一個核心的部件,制造高精度的對準(zhǔn)系統(tǒng)需要具有近乎完美的精密機械工藝,這也是全球的光刻機技術(shù)難點,許多美國品牌和德國品牌的光刻機具有特殊專利的機械工藝設(shè)計,比如可以有效避免軸承機械摩擦誤差的全氣動軸承設(shè)計專利技術(shù)。

當(dāng)然,顯微光學(xué)系統(tǒng)和CCD探測器是光刻機對準(zhǔn)系統(tǒng)的另一個難題。根據(jù)操作的簡便性和精度的高低,光刻機的對準(zhǔn)方式可以分為手動、半自動、全自動三種。

篳路藍縷以啟山林

“一萬年太久,只爭朝夕”,為了縮短我國與國際先進光刻技術(shù)的差距,打破國際高端光刻機市場的壟斷和限制,我國的 “02專項”(《極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝》項目)的規(guī)劃中就已經(jīng)確定了研制高端光刻機的戰(zhàn)略目標(biāo),將極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)列入“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”的重要攻關(guān)任務(wù),長春光機所、成都光電所、上海光機所、微電子所、北京理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)等研究單位一起進行攻關(guān)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:光刻機:精密儀器的典范

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