IC Insights最新發(fā)布的報告將2018年全球半導(dǎo)體資本支出從8%上調(diào)到14%。
IC Insights最新公布了2018年5月的半導(dǎo)體市場報告。這份報告包含了全球前25位的半導(dǎo)體供應(yīng)商、2018年第一季度IC市場分析,以及對于2018年的半導(dǎo)體資本支出預(yù)測。
總體而言,此次IC Insights公布的半導(dǎo)體資本支出情況比3月份發(fā)布的版本預(yù)測更加樂觀。
在3月發(fā)布的報告中,IC Insights預(yù)測今年全球半導(dǎo)體支出將增長8%。但是,正如圖一中所示,IC Insights將2018年的資本支出提高了六個百分點,為14%。
圖一
如果此次IC Insights的預(yù)測成真,那么2018年全球半導(dǎo)體資本支出會比2016年增長53%,并首次沖破1000億美元大關(guān)。
其中,盡管三星表示目前為止還沒有全年的資本支出預(yù)測,同時三星也表示,2018年的半導(dǎo)體資本支出將會少于2017年的242億美元。
但是,截至2018年第一季度,三星半導(dǎo)體部門的支出已經(jīng)達到了67億2000萬美元,比其前三季度的平均水平略高,也幾乎是2016年第一季度資本支出的四倍。
在過去四個季度,三星的資本支出達到了266億美元,這真的很難讓人相信其2018年的資本支出不會超過242億美元。
IC Insights預(yù)計三星今年的半導(dǎo)體資本支出將會達到200億美元,比去年的242億美元要少。但是,考慮到今年半導(dǎo)體支出的強勁增長,超過這一數(shù)字的可能性非常大。
此外,隨著DRAM和NAND閃存市場發(fā)展迅猛,SK 海力士預(yù)計今年的資本支出為115億美元,比2017年的81億美元,增長了42%。SK 海力士的主要支出,主要用于韓國清州的兩個內(nèi)存工廠,以及位于中國無錫的DRAM工廠的擴產(chǎn)計劃。
據(jù)了解,SK 海力士的韓國清州工廠將會在今年年底開始興建,無錫工廠也會比預(yù)計的2019年年初提前幾個月開始興建。(校對/范蓉)
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原文標題:破1000億美元!2018年半導(dǎo)體資本支出創(chuàng)紀錄
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