0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

簡(jiǎn)談SDR、DDR、QDR存儲(chǔ)器的比較

FPGA學(xué)習(xí)交流 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2018-05-30 13:53 ? 次閱讀

大家好,又到了每日學(xué)習(xí)的時(shí)間了,今天咱們來聊一聊SDR、DDR、QDR存儲(chǔ)器。

首先先簡(jiǎn)單的了解一下,然后在做一下比較。

SDR:Single Data Rate, 單倍速率
DDR:Dual Data Rate, 雙倍速率
QDR:Quad Data Rate, 四倍速率

DRAM:Dynamic RAM, 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器, 每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)才能夠保存數(shù)據(jù)
SRAM:Static RAM, 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器, 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,不需要刷新電路,數(shù)據(jù)不會(huì)丟失
SDRAM: Synchronous DRAM, 同步狀態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來同步

下面來做個(gè)比較:
1、 SRAM和DRAM、SDRAM而言,都有DDR和QDR的一說。QDR,DDR只是說速率,和DRAM/SRAM的區(qū)分無關(guān)。而且由于實(shí)現(xiàn)工藝的原因,DRAM和SDRAM容量比SRAM大,但是讀寫速度不如SRAM。此外它們一般都是應(yīng)用于RAM類型的存儲(chǔ)器的速率。

2 、SDR只在時(shí)鐘的上升沿傳輸數(shù)據(jù),讀寫是在同一條數(shù)據(jù)總線進(jìn)行,讀寫不能同時(shí)進(jìn)行,而DDR 是在SDR的基礎(chǔ)上改進(jìn),它可以在時(shí)鐘的上升,下升沿時(shí)同時(shí)傳遞一次數(shù)據(jù),也就是相當(dāng)于SDR的兩倍,但讀寫還是不能同步進(jìn)行,而QDR,集讀寫上下傳輸于一身,成為具有一進(jìn),一出相當(dāng)于兩個(gè)DDR的數(shù)據(jù)接口,四個(gè)SDR 所能達(dá)到的效果。

3、SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲(chǔ)器,它的用途廣泛。SRAM的速度非常快,在快速讀取和刷新時(shí)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱?,才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存(cache)以及內(nèi)置的二級(jí)緩存,僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。

4、一般嵌入式產(chǎn)品里面的內(nèi)存都是用的SDRAM,電腦的內(nèi)存用的也是SDRAM,叫DDR SDRAM,其集成度非常高,因?yàn)槭莿?dòng)態(tài)的,所以必須有刷新電路,每隔一段時(shí)間必須得刷新數(shù)據(jù)。

今天就聊到這里,各位,加油。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    38

    文章

    7366

    瀏覽量

    163092
  • SDR
    SDR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    232

    瀏覽量

    50309
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

    在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的工作模式中,以數(shù)據(jù)讀取速率來分類,有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
    發(fā)表于 11-20 10:58 ?897次閱讀
    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>

    詳解:SDR/DDR/DDR2/SDRAM的功能及異同

    下降的缺陷(甚至于DDR/DDR2又有著不支持單一地址訪問的限制,分別至少2/4個(gè)地址同時(shí)訪問)。但是,速度是王道,容量也是它的優(yōu)勢(shì),這些特點(diǎn)是其它任何易失存儲(chǔ)器無法媲美的,也是它存在的唯一理由
    發(fā)表于 12-30 15:22

    SRAM存儲(chǔ)器如何在網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)系統(tǒng)的應(yīng)用

    采取包緩沖來提高處理能力,除了上面提及到的以外,隨著系統(tǒng)中存儲(chǔ)器資源的增加,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)分配也是必需的,路由或者交換機(jī)的這些附加功能正在重新定義這網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 具有更多新功能的網(wǎng)絡(luò)
    發(fā)表于 06-02 10:45

    Cyclone IV 器件中的外部存儲(chǔ)器接口

    DDR2 SDRAM、DDR SDRAM 和 QDR II SRAM。外部存儲(chǔ)器件是各種圖像處理、存儲(chǔ)、通信以及通用嵌入式應(yīng)用的一個(gè)重要的
    發(fā)表于 11-14 10:12

    用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端的低輸入電壓DC/DC控制

    LTC3718的典型應(yīng)用是用于DDRQDR存儲(chǔ)器終端的高電流,高效率同步開關(guān)穩(wěn)壓控制
    發(fā)表于 05-31 08:11

    哪種類型的同步SRAM用于外部存儲(chǔ)器?

    ,ADSC引腳做什么。所有同步SRAM存儲(chǔ)器將具有這些引腳。從數(shù)據(jù)表中,我知道,例如,直接訪問與處理或DMA控制的使用。除了QDR、DDR
    發(fā)表于 08-15 07:02

    相變存儲(chǔ)器(PCM)與存儲(chǔ)器技術(shù)的比較

      相變存儲(chǔ)器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
    發(fā)表于 11-11 18:09 ?2118次閱讀

    業(yè)界最快QDR SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

    QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許
    發(fā)表于 04-27 10:20 ?2025次閱讀

    PCB的常用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的詳細(xì)資料說明

    本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PCB的常用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的詳細(xì)資料說明包括了:? SDRAM ? FLASH ? SRAM ? DDR ? DDR2 ? DDR3 ?
    發(fā)表于 07-29 08:00 ?0次下載
    PCB的常用<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>設(shè)計(jì)的詳細(xì)資料說明

    LTC3776演示電路-2相,550 KHz,用于DDR/QDR存儲(chǔ)器的同步轉(zhuǎn)換(3.3V至2.5V@3A和1.25V@3A)

    LTC3776演示電路-2相,550 KHz,用于DDR/QDR存儲(chǔ)器的同步轉(zhuǎn)換(3.3V至2.5V@3A和1.25V@3A)
    發(fā)表于 04-13 16:39 ?0次下載
    LTC3776演示電路-2相,550 KHz,用于<b class='flag-5'>DDR</b>/<b class='flag-5'>QDR</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的同步轉(zhuǎn)換<b class='flag-5'>器</b>(3.3V至2.5V@3A和1.25V@3A)

    LTC3776:用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端的雙2相無RSENSE同步控制產(chǎn)品手冊(cè)

    LTC3776:用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端的雙2相無RSENSE同步控制產(chǎn)品手冊(cè)
    發(fā)表于 04-18 13:31 ?2次下載
    LTC3776:用于<b class='flag-5'>DDR</b>/<b class='flag-5'>QDR</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>終端的雙2相無RSENSE同步控制<b class='flag-5'>器</b>產(chǎn)品手冊(cè)

    LTC3717-1:寬工作范圍,無RSENSE降壓控制,用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端數(shù)據(jù)表

    LTC3717-1:寬工作范圍,無RSENSE降壓控制,用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端數(shù)據(jù)表
    發(fā)表于 05-20 09:30 ?0次下載
    LTC3717-1:寬工作范圍,無RSENSE降壓控制<b class='flag-5'>器</b>,用于<b class='flag-5'>DDR</b>/<b class='flag-5'>QDR</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>終端數(shù)據(jù)表

    LTC3718:適用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端的低輸入電壓DC/DC控制產(chǎn)品手冊(cè)

    LTC3718:適用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端的低輸入電壓DC/DC控制產(chǎn)品手冊(cè)
    發(fā)表于 05-22 16:14 ?6次下載
    LTC3718:適用于<b class='flag-5'>DDR</b>/<b class='flag-5'>QDR</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>終端的低輸入電壓DC/DC控制<b class='flag-5'>器</b>產(chǎn)品手冊(cè)

    LTC3717:寬工作范圍,無RSENSE降壓控制,用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端數(shù)據(jù)表

    LTC3717:寬工作范圍,無RSENSE降壓控制,用于DDR/QDR存儲(chǔ)器終端數(shù)據(jù)表
    發(fā)表于 05-25 12:09 ?0次下載
    LTC3717:寬工作范圍,無RSENSE降壓控制<b class='flag-5'>器</b>,用于<b class='flag-5'>DDR</b>/<b class='flag-5'>QDR</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>終端數(shù)據(jù)表

    PowerLab 筆記: DDR 存儲(chǔ)器無處不在!

    PowerLab 筆記: DDR 存儲(chǔ)器無處不在!
    發(fā)表于 11-07 08:07 ?0次下載
    PowerLab 筆記: <b class='flag-5'>DDR</b> <b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>無處不在!