0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

貿(mào)澤電子備貨Qorvo的QPD1025L碳化硅基氮化鎵晶體管

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-05-31 13:17 ? 次閱讀

為航空電子設(shè)備提供理想選擇。

2018年5月31日 – 專注于新產(chǎn)品引入 (NPI)并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起備貨Qorvo的QPD1025L碳化硅(SiC) 基氮化鎵(GaN) 晶體管。QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW,是業(yè)界功率最高的碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC)射頻晶體管,提供高信號完整性和長覆蓋距離,非常適合L波段航空電子設(shè)備和敵我識別 (IFF) 應(yīng)用。

GaN技術(shù)卓越的性能和可靠性使其非常適合基礎(chǔ)設(shè)施、國防和航空航天應(yīng)用,如雷達(dá)、通信、導(dǎo)航以及類似的應(yīng)用。其性能的增強(qiáng)讓設(shè)計師可以在提升系統(tǒng)性能的同時,靈活地節(jié)省電路板空間和系統(tǒng)成本。

貿(mào)澤供應(yīng)的Qorvo QPD1025L是高電子遷移率晶體管 (HEMT),同時支持脈沖波和連續(xù)波 (CW)操作,以更高效地提供可與硅基LDMOS設(shè)備媲美的性能。該器件使用65 V電源供電,提供22.5 dB線性增益和 77.2%的典型功率附加效率 (PAE3dB)。QPD1025L晶體管提供內(nèi)部輸入預(yù)匹配,簡化了外部板匹配,節(jié)省了電路板空間。

此款符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛晶體管具有配套的QPD1025L評估板。

貿(mào)澤電子擁有豐富的產(chǎn)品線與卓越的客服,通過提供采用先進(jìn)技術(shù)的最新產(chǎn)品來滿足設(shè)計工程師與采購人員的創(chuàng)新需求。我們庫存有全球最廣泛的最新半導(dǎo)體及電子元件,為客戶的最新設(shè)計項目提供支持。Mouser網(wǎng)站Mouser.cn不僅有多種高級搜索工具可幫助用戶快速了解產(chǎn)品庫存情況,而且網(wǎng)站還在持續(xù)更新以不斷優(yōu)化用戶體驗。此外,Mouser網(wǎng)站還提供數(shù)據(jù)手冊、供應(yīng)商特定參考設(shè)計、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。

關(guān)于貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)

貿(mào)澤電子隸屬于伯克希爾哈撒韋集團(tuán) (Berkshire Hathaway)公司旗下,是一家屢獲殊榮的一流授權(quán)半導(dǎo)體和電子元器件分銷商,專門致力于以最快的方式,向設(shè)計工程師和采購人員提供業(yè)界頂尖制造商的最新產(chǎn)品。作為一家全球分銷商,我們的網(wǎng)站mouser.cn能夠提供多語言和多貨幣交易支持,分銷來自超過700家生產(chǎn)商的500多萬種產(chǎn)品。我們通過遍布全球的22個客戶支持中心為客戶提供一流的服務(wù),并通過位于美國德州達(dá)拉斯南部,擁有最先進(jìn)技術(shù)的7萬平方米倉庫向全球170個國家/地區(qū),超過60萬家客戶出貨。更多信息,敬請訪問:http://www.mouser.cn。

關(guān)于Qorvo

Qorvo提供創(chuàng)新射頻解決方案,讓世界更加美好,更加互聯(lián)。該公司在產(chǎn)品和技術(shù)方面均有領(lǐng)先優(yōu)勢,系統(tǒng)級專業(yè)技術(shù)和全球化制造規(guī)??梢钥焖俳鉀Q客戶最復(fù)雜的技術(shù)難題。Qorvo的業(yè)務(wù)范圍涵蓋全球多個增長強(qiáng)勁的大規(guī)模細(xì)分市場,包括先進(jìn)無線設(shè)備、有線和無線網(wǎng)絡(luò)以及國防用雷達(dá)與通信設(shè)備等市場。另外Qorvo還利用其獨(dú)有的競爭優(yōu)勢來推動5G網(wǎng)絡(luò)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)和其他新興應(yīng)用的發(fā)展,進(jìn)一步擴(kuò)大萬物互聯(lián)的全球化規(guī)模。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2677

    瀏覽量

    48763
  • 航空電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    15

    文章

    488

    瀏覽量

    45139
  • 貿(mào)澤電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1091

    瀏覽量

    96510
  • Qorvo
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    615

    瀏覽量

    77359
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅 (SiC) 與氮化 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

    SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?378次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (GaN)應(yīng)用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導(dǎo)熱絕緣片

    氮化碳化硅哪個有優(yōu)勢

    氮化(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢,應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較: 氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:26 ?1128次閱讀

    碳化硅氮化哪種材料更好

    引言 碳化硅(SiC)和氮化(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率等極端環(huán)
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:19 ?651次閱讀

    晶體管的主要材料有哪些

    晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料,這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間,具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體管的主要材料,包括硅(Si)、鍺
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:32 ?863次閱讀

    GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

    GaN(氮化晶體管和SiC(碳化硅晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:16 ?552次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊,如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?558次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?379次閱讀

    碳化硅氮化的未來將怎樣共存

    在這個電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時代,半導(dǎo)體市場的前景無疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化(GaN),因其獨(dú)特的優(yōu)勢正成為行業(yè)內(nèi)的熱門話題。
    的頭像 發(fā)表于 04-07 11:37 ?722次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>的未來將怎樣共存

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK
    發(fā)表于 03-08 08:37

    Qorvo發(fā)布碳化硅場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品

    Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品,這款產(chǎn)品專為電動汽車(EV)而設(shè)計,符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
    的頭像 發(fā)表于 02-01 10:22 ?577次閱讀

    CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化電子遷移率晶體管CREE

    CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CG
    發(fā)表于 01-19 09:27

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

    碳化硅二極碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2674次閱讀

    氮化半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

    (GaN)半導(dǎo)體: 氮化是一種二元復(fù)合半導(dǎo)體(由氮和元素構(gòu)成),具有較大的禁帶寬度(3.4電子伏特)。它是一個具有六方晶系結(jié)構(gòu)的材料,
    的頭像 發(fā)表于 12-27 14:54 ?1570次閱讀

    碳化硅和igbt的區(qū)別

    碳化硅和igbt的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)都是在電子領(lǐng)域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應(yīng)用,但在結(jié)構(gòu)、
    的頭像 發(fā)表于 12-08 11:35 ?5278次閱讀

    碳化硅氮化哪個好

    碳化硅氮化的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在
    的頭像 發(fā)表于 12-08 11:28 ?1861次閱讀