熟練使用的技巧提示
鉆研封裝工藝增加容許損耗
線性調(diào)整器的熱損耗決定于輸入電壓和輸出電壓、輸出電流的關(guān)系。
熱損耗(Pd)=(輸入電壓-輸出電壓)×輸出電流
實(shí)際上制造儀器時(shí)如何改良封裝的散熱問題是極為重要的。高效率地散熱的封裝中有USP封裝。封裝背面搭載IC硅片的金屬芯片暴露在外表,能從芯片向PCB基板散熱。(照片2)散熱量決定于PCB基板的金屬面積,圖15表示USP-6C封裝的散熱特性事例。對于USP-6C自身存在120mW的容許損耗,當(dāng)薄銅片的面積為800mm2時(shí)損耗為1W,增加薄銅片的面積能獲得更大的容許損耗。圖16中介紹了作為評價(jià)損耗時(shí)使用的電路板。
圖15 Heat Dissipation Characteristics: USP-6C Package
激光微調(diào)
CMOS線性調(diào)整器的輸出電壓已被預(yù)先設(shè)定幾乎不能用外置電阻來調(diào)整輸出電壓,而由0.1V或0.05V間隔的輸出電壓來彌補(bǔ)。這是因?yàn)閼?yīng)用了容易設(shè)定任意高精度電壓的激光微調(diào)技術(shù)。因?yàn)镃MOS工藝難以制作如(注1)所示的類似雙極晶體管帶隙參考電壓的穩(wěn)定基準(zhǔn)電壓源,把用于預(yù)先設(shè)定輸出電壓的電阻更改為激光微調(diào)可以把內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的不規(guī)則分散值設(shè)定為任意的電壓值,同時(shí),也是確保輸出電壓精度的一般方法。(圖17)
一般產(chǎn)品的輸出電壓精度為±2%,高精度產(chǎn)品為±1%。根據(jù)產(chǎn)品的不同,對不同的工作溫度范圍規(guī)定了輸出電壓精度。
(注1)帶隙參考電壓
用雙極晶體管的功率帶隙和電阻,利用與絕對溫度成比例的電壓溫度系數(shù)的相反性,而得到能與溫度相對應(yīng)的穩(wěn)定電壓的電路。
圖17 The Image of Tolerance Compensation by Lazar Trimming Technology
少量購買時(shí),哪些電壓調(diào)整器容易選購?
因?yàn)閹缀跛械妮敵鲭妷憾疾荒茉谕獠空{(diào)整,在采購時(shí)須確認(rèn)庫存狀況。一般情況下容易得到的輸出電壓有5V,3.3V,3V,2.8V, 2.5V, 1.8V, 1.2V。
今后的開發(fā)動向
CMOS工藝LSI的微細(xì)化每年都在不斷進(jìn)步,現(xiàn)在已開始批量生產(chǎn)被稱為22nm規(guī)格的產(chǎn)品。使用在線性調(diào)整器等電源IC,其輸入電源必須耐壓。雖然極端微細(xì)的工藝不一定認(rèn)為全部有益,利用CMOS所具有的微細(xì)技術(shù)優(yōu)勢,可以實(shí)現(xiàn)使用0.25μm或0.35μm等的工藝,用1.7V輸入電壓能提供1.2V的輸出電壓和2A的電流。此外,耐壓高等方面,也在不斷推出使用CMOS的先端工藝的各種各樣的新技術(shù)和優(yōu)點(diǎn)。
CMOS工藝?yán)糜贚SI或內(nèi)存等開發(fā)方面,積蓄了大量的工藝技術(shù)。可以預(yù)測今后CMOS調(diào)整器將使用于比移動儀器等方面更加廣泛的領(lǐng)域。
-
CMOS
+關(guān)注
關(guān)注
58文章
5651瀏覽量
235002 -
pcb
+關(guān)注
關(guān)注
4315文章
22939瀏覽量
395589 -
線性
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
196瀏覽量
25119
原文標(biāo)題:【應(yīng)用指南--設(shè)計(jì)秘笈19】線性調(diào)整器的相關(guān)技術(shù)
文章出處:【微信號:gh_454737165c13,微信公眾號:Torex產(chǎn)品資訊】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論