聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
元器件
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
4677瀏覽量
91851 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2730瀏覽量
62360 -
Rohm
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
365瀏覽量
65942
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量
汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC
羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議
近日,全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者羅姆半導(dǎo)體公司與中國汽車行業(yè)的重要綜合性供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子有限公司(UAES)正式簽署了SiC功率元器件的長期供貨協(xié)議。這一合作標志著雙方自2015年建立技術(shù)交流以來的深厚合作關(guān)系邁入了新階段。
什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?
SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。
先進的半導(dǎo)體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
。通過在適合的應(yīng)用中使用功率元器件和模擬IC,可以進一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率,降低工業(yè)設(shè)備的功耗,從而實現(xiàn)節(jié)能。本文將為您介紹在新型逆變器中應(yīng)用日益廣泛的先進
碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較
過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅
全面的SiC功率器件行業(yè)概覽
SiC功率器件市場正處于快速增長階段,特別是在汽車電動化趨勢的推動下,其市場規(guī)模預(yù)計將持續(xù)擴大。 根據(jù)Yole Group的報告,汽車行業(yè)對SiC
發(fā)表于 04-07 11:20
?740次閱讀
碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上,有利于高功率應(yīng)用中的熱
發(fā)表于 03-08 10:27
?1148次閱讀
一文解析SiC功率器件互連技術(shù)
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給
發(fā)表于 03-07 14:28
?1210次閱讀
碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會產(chǎn)生較嚴重的電磁干擾和額外損耗,無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC功
發(fā)表于 03-04 10:35
?1639次閱讀
SiC功率元器件特征有哪些
碳化硅(SiC)功率元器件是一種半導(dǎo)體器件,具有許多獨特的特性,使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC
同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率
碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著科技的不斷進步,電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而,隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時,碳化硅(SiC)
元器件封裝介紹
TO-220-5,其中TO-220表示封裝代號,后面的5表示管腳數(shù),TO封裝主要應(yīng)用在照明設(shè)備開關(guān)電源,微波爐,電動汽車等電子產(chǎn)品的中高功率器件;
第二種:DIP封裝,也叫雙列直插式封裝
發(fā)表于 11-22 11:30
評論