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恩智浦前端解決方案改變5G格局

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-06-14 11:19 ? 次閱讀

恩智浦半導(dǎo)體在6月12日宣布推出用于實現(xiàn)5G基礎(chǔ)設(shè)施的新型射頻前端解決方案。恩智浦的產(chǎn)品組合解決了在開發(fā)用于5G大規(guī)模多輸入多輸出(mMIMO)的蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施時,涉及的幾個最棘手的問題,包括功率放大器集成、不斷縮小的電路板空間、實際占位面積以及不同型號之間的引腳兼容性。

mMIMO是5G的重要基礎(chǔ),因為它能夠滿足網(wǎng)絡(luò)對射頻(RF)技術(shù)的需求,以應(yīng)對5G即將帶來的數(shù)據(jù)使用量激增。mMIMO在特定頻譜中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量遠(yuǎn)多于當(dāng)前和傳統(tǒng)的無線電技術(shù)。

恩智浦在本周的國際微波研討會(IMS2018)上推出面向5G的新型前端解決方案,旨在應(yīng)對開發(fā)外形尺寸最小的經(jīng)濟(jì)高效型高性能解決方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn),為蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施提供新一代有源天線系統(tǒng)(AAS)。簡而言之:將mMIMO需要的一切功能集成到盡可能小的器件中。

恩智浦推出了高度集成且外形尺寸更小的解決方案組合來應(yīng)對這一挑戰(zhàn),因而對客戶來說更加易用和經(jīng)濟(jì)高效,并在所有頻段和功率水平之間實現(xiàn)即插即用。恩智浦前端解決方案產(chǎn)品線總監(jiān)Mario Bokatius表示:“開發(fā)這些器件的目的是讓客戶能夠以盡可能低的成本設(shè)計他們的系統(tǒng)?!?/p>

恩智浦前端解決方案覆蓋了對早期5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)開發(fā)最關(guān)鍵的頻率范圍,即2.3 GHz至5 GHz。

用于5G實現(xiàn)的恩智浦前端解決方案包括對開發(fā)mMIMO射頻前端最關(guān)鍵的三種不同功能:

· 高效率功率放大器模塊(PAM),在輸入端和輸出端完全匹配至50 Ohm,實現(xiàn)了占位面積和引腳兼容,覆蓋廣泛的功率水平范圍和頻段,并采用相同的板設(shè)計;

· 前置驅(qū)動器放大器模塊,具有超低的功耗,覆蓋從2.3 GHz到5 GHz的整個頻率范圍,在器件系列內(nèi)部實現(xiàn)完全的占位面積和引腳兼容;

· 接收器前端模塊,提供集成的時分雙工(TDD)切換和用于信號接收的低噪聲放大(LNA)功能。

Bokatius表示:“我們在不影響高性能要求的前提下提供最高的集成度,但這只是一個開始。展望未來,隨著恩智浦繼續(xù)致力于提供業(yè)界占位面積最小、成本最低的解決方案,我們還將實現(xiàn)更多的集成。”

恩智浦充分利用硅基LDMOS技術(shù),為射頻產(chǎn)品客戶提供最有利的成本結(jié)構(gòu)。自從幾十年前問世以來,LDMOS經(jīng)歷了持續(xù)創(chuàng)新。LDMOS能夠提供持續(xù)提高的高功率水平,具有很高的增益和效率,再結(jié)合出色的耐用性和低發(fā)熱特征,這些優(yōu)點使得它成為射頻功率放大器應(yīng)用中的主導(dǎo)器件技術(shù),適用于從1 GHz以下到3 GHz的頻率范圍。恩智浦的LDMOS技術(shù)現(xiàn)在將其領(lǐng)先地位擴(kuò)展到高達(dá)5 GHz的頻率范圍。使用LDMOS技術(shù),這些解決方案能夠提供與非硅基射頻功率晶體管同等的高性能,而且可靠性更高,成本更低。

恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業(yè)部總經(jīng)理Paul Hart表示:“憑借我們的領(lǐng)先優(yōu)勢和在無線通信行業(yè)的雄厚技術(shù)實力,我們在作為合作伙伴繼續(xù)為客戶提供5G解決方案方面處于非常有利的地位?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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