中囯三大存儲器廠,長江存儲、晉華及合肥長鑫都已進入試產(chǎn)階段,并計劃2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。這是中囯半導(dǎo)體業(yè)的一場存儲器突圍戰(zhàn),是零的突破。
中囯半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展由于其獨特的地位決定了它必須實現(xiàn)“自主可控”。然而半導(dǎo)體業(yè)有它的規(guī)律,包括有兩個主要方面,一個是摩爾定律推動,其精髓是技術(shù)必須迅速的進步,每18個月同樣的產(chǎn)品其成本可能下降50%;以及另一個是實現(xiàn)量產(chǎn),半導(dǎo)體是個高度規(guī)模經(jīng)濟的產(chǎn)業(yè)。因而在一定程度上這個產(chǎn)業(yè)需要大量的投資,搜羅頂級的人材,以及生產(chǎn)線的嚴(yán)格管理。而這兩個方面都與國家的工業(yè)基礎(chǔ)緊密相關(guān)連,顯然在現(xiàn)階段中國半導(dǎo)體業(yè)是不足的,因此產(chǎn)業(yè)的突圍,可能需要時間上的積累。
盡管面臨的困難重重,也不可能阻擋突圍的決心,因為中國存儲器業(yè)突圍存在不少的有利條件:
國家意志主導(dǎo),加上政府,地方等齊動手,有充裕的資金支持。
中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中國進口存儲器889.21億美元,同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。
根據(jù)美光、三星、海力士的財報統(tǒng)計,2017年,三家公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元,總計446.8億美元,同比2016財年的321億美元增長39.16%。
三家廠,屬于三個不同類別,分別是長江存儲的32層3D NAND閃存;晉華的32納米、利基型DRAM,以及長鑫的19納米先進型DRAM。
中國的IoT應(yīng)用市場發(fā)展迅速,有著名的騰訊、百度與阿里巴巴等,它們推動5G、數(shù)據(jù)中心、互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用。
存儲器、控制器等配套產(chǎn)業(yè)鏈正在形成。
如何突圍
按照存儲器業(yè)的特點,中國把存儲器芯片生產(chǎn)線打通是有把握的,然而困難的是產(chǎn)能爬坡的速率,也即產(chǎn)能由試產(chǎn)的5,000片至20,000,或者30,000片時,產(chǎn)品的良率,及成本,它直接決定了產(chǎn)能繼續(xù)擴充的可能性,因為通常產(chǎn)能必須擴充到50,000,或者100,000片時,芯片生產(chǎn)線才有可能實現(xiàn)盈利,但是此段過程可能相對用較長的時間。
在產(chǎn)能擴充的過程中,對手們不會輕易放過我們,一定會利用專利及價格戰(zhàn)阻礙我們的突圍。
對手們十分清楚,專利戰(zhàn)的目的在于阻礙中國存儲器業(yè)的進步,如之前臺積電打擊中芯國際時,讓您領(lǐng)軍人物下臺,以及賠款。
因此為了迎接專利戰(zhàn),必須學(xué)習(xí)上海中微半導(dǎo)體,從公司成立起就聘用美國律師,準(zhǔn)備好一切材料準(zhǔn)備好打?qū)@麘?zhàn),并且不要抱有幻想,這一仗是不可避免的。
另一個是三星、美光慣用的產(chǎn)品價格戰(zhàn),它們占有先手的優(yōu)勢、產(chǎn)品的成熟、以及資金充裕,因此在短時間內(nèi)甚至虧本銷售是常用的策略,讓我們的產(chǎn)品銷售有困難。
因此中國存儲器業(yè)面臨的最大問題可能有兩個方面,一個是不要輕敵,認(rèn)為用不了幾年就能突圍成功,要把困難想得更多些,例如中國存儲器的消耗量很大,依靠國家意志與支持就能生存下來,恐怕不能太依賴,因為只有產(chǎn)品的性價比相近,才有生存的可能性,因為國家的財力有限;另一個是堅持下去,這個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗告訴我們,只有堅持到底,才有可能立足,生存下來。今天無論19納米DRAM的良率提升與成本下降,以及32層3D NAND閃存向64層3D NAND閃存的技術(shù)過渡都需要時間上的積累,不可能一蹴而成。另外,由于沒有經(jīng)過真正的實踐與體會,對于“板凳要坐十年冷”,可能僅停留在概念上。當(dāng)那個時刻真的來臨時,可能意想不到的各種困難會呈現(xiàn),能堅持下來就一定十分不易。
較為樂觀的估計,能用5年左右的時間,達到全球市場(2018年存儲器業(yè)產(chǎn)值預(yù)測可達1,500億美元)占比的3% - 5%,也即DRAM與NAND的累加產(chǎn)值能達到近50億美元,表明中國存儲器業(yè)的突圍取得了初步的成功。
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