中國半導(dǎo)體業(yè)的一場存儲器突圍戰(zhàn)，是零的突破

中國三大存儲器廠，長江存儲、晉華及合肥長鑫都已進(jìn)入試產(chǎn)階段，并計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這是中國半導(dǎo)體業(yè)的一場存儲器突圍戰(zhàn)，是零的突破。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展由于其獨(dú)特的地位決定了它必須實(shí)現(xiàn)“自主可控”。然而半導(dǎo)體業(yè)有它的規(guī)律，包括有兩個(gè)主要方面，一個(gè)是摩爾定律推動，其精髓是技術(shù)必須迅速的進(jìn)步，每18個(gè)月同樣的產(chǎn)品其成本可能下降50%；以及另一個(gè)是實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，半導(dǎo)體是個(gè)高度規(guī)模經(jīng)濟(jì)的產(chǎn)業(yè)。因而在一定程度上這個(gè)產(chǎn)業(yè)需要大量的投資，搜羅頂級的人材，以及生產(chǎn)線的嚴(yán)格管理。而這兩個(gè)方面都與工業(yè)基礎(chǔ)緊密關(guān)連，顯然現(xiàn)階段中國半導(dǎo)體業(yè)是不足的，因此產(chǎn)業(yè)的突圍，可能需要時(shí)間的積累。

盡管面臨的困難重重，也不可能阻擋突圍的決心，因?yàn)橹袊鎯ζ鳂I(yè)突圍存在不少的有利條件：

?國家意志主導(dǎo)，加上政府，地方等齊動手，有充裕的資金支持。

?中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國進(jìn)口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。

?根據(jù)美光、三星、海力士的財(cái)報(bào)統(tǒng)計(jì)，2017年，三家公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計(jì)446.8億美元，同比2016財(cái)年的321億美元增長39.16%。

?長江存儲、晉華及合肥長鑫三家，屬于三個(gè)不同類別，分別是長江存儲的32層3D NAND閃存；晉華的32納米、利基型DRAM，以及長鑫的19納米先進(jìn)型DRAM。

?中國的IoT應(yīng)用市場發(fā)展迅速，有著名的騰訊、百度與阿里巴巴等，它們推動5G、數(shù)據(jù)中心、互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用。

?存儲器、控制器等配套產(chǎn)業(yè)鏈正在形成。

按照存儲器業(yè)的特點(diǎn)，中國把存儲器芯片生產(chǎn)線打通是有把握的，然而困難的是產(chǎn)能爬坡的速率，也即產(chǎn)能由試產(chǎn)的5,000片至20,000，或者30,000片時(shí)，產(chǎn)品的良率及成本，它直接決定了產(chǎn)能繼續(xù)擴(kuò)充的可能性，因?yàn)橥ǔ．a(chǎn)能必須擴(kuò)充到50,000，或者100,000片時(shí)，芯片生產(chǎn)線才有可能實(shí)現(xiàn)盈利，但是此段過程可能相對用較長的時(shí)間。

在產(chǎn)能擴(kuò)充的過程中，對手們不會輕易放過，一定會利用專利及價(jià)格戰(zhàn)阻礙的突圍。

對手十分清楚，專利戰(zhàn)的目的在于阻礙中國存儲器業(yè)的進(jìn)步，如之前臺積電打擊中芯國際時(shí)，讓領(lǐng)軍人物下臺以及索賠。

準(zhǔn)備好一切材料準(zhǔn)備好打?qū)＠麘?zhàn)，并且不要抱有幻想，這一仗是不可避免的。因此為了迎接專利戰(zhàn)，必須學(xué)習(xí)上海中微半導(dǎo)體，從公司成立起就聘用美國律師，做好應(yīng)戰(zhàn)的準(zhǔn)備。

另一個(gè)是三星、美光慣用的產(chǎn)品價(jià)格戰(zhàn)，它們占有先手的優(yōu)勢、產(chǎn)品的成熟、以及資金充裕，因此在短時(shí)間內(nèi)甚至虧本銷售是常用的策略，讓產(chǎn)品銷售有困難。

因此中國存儲器業(yè)面臨的最大問題可能有兩個(gè)方面，一個(gè)是不要輕敵，認(rèn)為用不了幾年就能突圍成功，要把困難想得更多些，例如中國存儲器的消耗量很大，依靠國家意志與支持就能生存下來，恐怕不能太依賴，因?yàn)橹挥挟a(chǎn)品的性價(jià)比相近，才有生存的可能性；另一個(gè)是堅(jiān)持，這個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)告訴我們，只有堅(jiān)持到底，才有可能立足，生存下來。今天無論19納米DRAM的良率提升與成本下降，以及32層3D NAND閃存向64層3D NAND閃存的技術(shù)過渡都需要時(shí)間上的積累，不可能一蹴而成。

另外，由于沒有經(jīng)過真正的實(shí)踐與體會，對于“板凳要坐十年冷”，可能僅停留在概念上。當(dāng)那個(gè)時(shí)刻真的來臨時(shí)，可能意想不到的各種困難會呈現(xiàn)，能堅(jiān)持下來就一定十分不易。

較為樂觀的估計(jì)，能用5年左右的時(shí)間，達(dá)到全球市場(2018年存儲器業(yè)產(chǎn)值預(yù)測可達(dá)1,500億美元)占比的3% - 5%，也即DRAM與NAND的累加產(chǎn)值能達(dá)到近50億美元，表明中國存儲器業(yè)的突圍取得了初步的成功。

莫大康：浙江大學(xué)校友，求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程的著名學(xué)者、行業(yè)評論家。