二極管整流器在電力電子行業(yè)中得到了廣泛應(yīng)用,但由于其存在功率因數(shù)低并向電網(wǎng)注入了較高的電流諧波等因素,對電網(wǎng)污染嚴(yán)重,難以滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。隨著負(fù)載設(shè)備對電網(wǎng)的諧波污染越來越大,以及三相大功率裝置在電網(wǎng)中的應(yīng)用比例越來越高,三相大功率因數(shù)校正技術(shù)已經(jīng)成為國內(nèi)外電力電子及研究領(lǐng)域的熱點問題。
Vienna整流是由瑞士聯(lián)邦技術(shù)學(xué)院Johann W. Kolar 教授于1994年提出的一個優(yōu)秀的三電平PWM整流器拓?fù)?,其具有所需的開關(guān)器件少,單個功率器件所承受的最大電壓為輸出電壓的一半,無需設(shè)置驅(qū)動死區(qū)時間,無輸出電壓橋臂直通問題等特點。隨著功率器件成本的降低,IGBT開關(guān)頻率的提升,以及SiC器件的日趨成熟,因而引起國內(nèi)外學(xué)者以及產(chǎn)業(yè)應(yīng)用界對其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及控制策略和方法以及應(yīng)用場合研究的高度關(guān)注。目前在中國,許多UPS、充電樁行業(yè)的公司,產(chǎn)品設(shè)計已經(jīng)開始用Vienna整流技術(shù)進行 PFC功率因素校正。
三電平Vienna整流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和形式多種多樣,但基本的拓?fù)湫问蕉际菑摹盜”型三電平和”T”型三電平這兩種三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)演化而來,目的是去掉其中一些開關(guān)器件,保留二極管,利用鉗位電路形成PFC的功能,這樣使得系統(tǒng)成本大大降低,同時也有了功率因素校正的功能,但是能量不能像全橋PWM整流器一樣實現(xiàn)雙向流動,不過在一些不需要能量雙向流動的應(yīng)用中,如UPS、充電樁等應(yīng)用中,已經(jīng)足夠,接下來的問題是如何提高系統(tǒng)的功率密度和效率。
本文介紹一種基于”T”型三電平演化而來的Vienna整流器,以及怎樣使用英飛凌最新一代650V單管IGBT和1200V SiC肖特基二極管,實現(xiàn)系統(tǒng)高效率和高功率密度。
圖1是經(jīng)典的”T”型三電平Vienna整流器拓?fù)鋱D,整流部分采用1200V SiC 二極管, 鉗位開關(guān)管采用2顆650V IGBT 反向串聯(lián),并連接BUS母線中點。
圖1英飛凌T型Vienna整流方案
英飛凌1200V第五代SiC肖特基二極管,有著業(yè)內(nèi)最佳的正向?qū)妷篤F,使得導(dǎo)通損耗較小,且導(dǎo)通電壓VF受溫度影響變化?。煌瑫r有著業(yè)內(nèi)最佳的抗浪涌電流IFSM能力,浪涌電流高達額定電流的14倍,輕松抵御浪涌沖擊。對比Si基肖特基二極管,SiC肖特基二極管有著超快的開關(guān)速度,適用于高開關(guān)頻率應(yīng)用場合,反向恢復(fù)時間極短,可以有效降低對應(yīng)開關(guān)管開通時的損耗和電流沖擊,可以得到更高的系統(tǒng)效率和功率密度,降低散熱需求和EMI 影響。
我們做過一個簡單的SiC肖特基二極管和Si基肖特基二極管在同一個boost電路中的對比,開關(guān)頻率20kHz, 對比結(jié)果如圖2所示,可以看出,用SiC代替Si二極管,boost電路效率提升0.8%以上,隨著開關(guān)頻率的進一步提升,效率提升會更加明顯;或者在相同輸出功率的情況下,SiC肖特基二極管的結(jié)溫至少低15℃以上。
圖2 SiC和Si基肖特基二極管效率及結(jié)溫對比曲線
英飛凌TrenchstopTM5是市面上性能最好的650 V單管IGBT,該系列根據(jù)實際使用場合和開關(guān)頻率,針對開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的平衡分為5個子系列,有H5,F(xiàn)5,L5,WR5 和S5。這里我們使用50 A H5,H5 系列專門為PFC 和PWM 控制進行了優(yōu)化,適合UPS,Solar,EV charger 等應(yīng)用場合,滿足從30 kHz 到100 kHz 的高頻應(yīng)用。
該Vienna整流器的參考設(shè)計如圖3所示:
圖3 英飛凌12KW Vienna整流參考設(shè)計
參數(shù)如下:
輸入電壓范圍:184 ~ 276VAC
輸出電壓范圍:700V ~ 800V
輸出功率: 12kW
功率密度:8.5kW/dm3
開關(guān)頻率:70kHz
效率:98% (@230VAC input)
效率曲線如圖4:
圖4 12KW Vienna整流不同輸入電壓下的效率曲線
圖5為系統(tǒng)的總損耗和開關(guān)器件的損耗分布。IGBT 由于開關(guān)頻率較高,80% 以上損耗屬于開關(guān)損耗,SiC 二極管由于開關(guān)損耗很小,大部分損耗是導(dǎo)通損耗。其他系統(tǒng)損耗包含PFC 電感,濾波電感等磁性器件,snubber吸收電路,電容,線路損耗等。
圖5 12KW Vienna整流系統(tǒng)損耗分布
總結(jié)
該Vienna整流器充分發(fā)揮了SiC二極管的低損耗特性和H5系列IGBT的高頻特性,使得整體方案效率達到98%??梢宰鰹閁PS和EV charger的PFC參考設(shè)計方案。同時,該方案可以通過交互式結(jié)構(gòu)和更換更大電流的SiC二極管和IGBT,實現(xiàn)更大功率的Vienna整流器方案。
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