長鑫發(fā)布首個中國自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,國產(chǎn)DRAM跨出重要一步

作為中國三大儲存芯片巨頭之一，并致力于專注移動式內(nèi)存的合肥長鑫來說，7月16日無疑是非常重要的一天，合肥長鑫發(fā)布首個中國自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并計劃將于2018年年底推出工程樣品，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑。

同時，就在合肥長鑫即將進(jìn)入量產(chǎn)的關(guān)鍵時間點(diǎn)上，兆易創(chuàng)新原董事長朱一明，宣布辭去兆易創(chuàng)新CEO，由原王寧國手上正式接任合肥長鑫存儲及睿力CEO。此人事變動似乎也宣告，合肥長鑫存儲及睿力從王寧國核心團(tuán)隊為主導(dǎo)的建廠草創(chuàng)期，進(jìn)入以設(shè)計研發(fā)量產(chǎn)為主導(dǎo)，邁入下一個階段。

如今看來關(guān)于LPDDR4芯片的研發(fā)正在按步就班地進(jìn)行中，還有一年的試生產(chǎn)期與計劃節(jié)點(diǎn)正好對得上。踏實(shí)的研發(fā)進(jìn)度，是比8Gb LPDDR4投片更值得高興的消息。

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國產(chǎn)DRAM跨出重要一步

國內(nèi)目前有三大存儲芯片基地，紫光主導(dǎo)的長江存儲以武漢為基地，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，預(yù)計明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存，選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點(diǎn)的有兩大陣營，福建晉華集團(tuán)聯(lián)合臺聯(lián)電在晉江建設(shè)DRAM晶圓廠，此前與美光發(fā)生專利糾紛導(dǎo)致美光芯片被福州法院禁售的就是與聯(lián)電、晉江投資集團(tuán)有關(guān)。

另一個DRAM基地是合肥長鑫，這個項(xiàng)目最初報道說是跟前日本爾必達(dá)董事長成立的公司合作，不過后者現(xiàn)在幾乎淡出，合肥長鑫現(xiàn)在的合作方是兆易創(chuàng)新，去年10月份兆易創(chuàng)新宣布斥資180億元進(jìn)軍DRAM市場，與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股有限公司合作，目標(biāo)是研發(fā)19納米工藝的DRAM內(nèi)存，預(yù)計在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%。

合肥長鑫的DRAM項(xiàng)目投資超過72億美元（495億人民幣），項(xiàng)目建設(shè)三期工程，目前建設(shè)的是一期工程12英寸晶圓廠，建成后月產(chǎn)能為12.5萬片晶圓，安徽商報表示這個產(chǎn)能將占到全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)能的8%。

此外，合肥兆鑫CEO王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動”上表示，合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開始安裝。

根據(jù)計劃，合肥長鑫將于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17納米技術(shù)的研發(fā)。

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行業(yè)高度壟斷 三星、海力士、美光獨(dú)占鰲頭

從市場情況來看，據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)，2018年第一季存儲器三大廠商三星、海力士、美光在DRAM產(chǎn)業(yè)的市占率分別為44.9%、27.9%、22.6%，合計共占95.4%的市場份額。

三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭，第一季營收再度創(chuàng)下歷史新高達(dá)103.60億美元，較上季成長2.9％。路透社的報道稱三星每出售一美元的DRAM芯片，就會獲得70美分的營業(yè)利潤。

海力士第一季營收達(dá)64.32億美元，較前季成長2.2％。美光今年上半年持續(xù)扮演市場中的價格領(lǐng)導(dǎo)者，價格上漲幅度高于其他兩家韓廠，第一季價格上揚(yáng)幅度超過10％，帶動營收達(dá)52.13億美元，季增14.3％。

美光集團(tuán)仍舊維持第三，但今年上半年美光持續(xù)扮演市場中價格領(lǐng)導(dǎo)者角色，價格漲幅高于三星、海力士。一季度美光DRAM價格上漲幅度超過10％，帶動營收達(dá)52.13億美元，季增14.3％，市占率較前一季提升約2個百分點(diǎn)。

從產(chǎn)品技術(shù)上而言，國產(chǎn)內(nèi)存極有可能會面臨著出生即落后的境遇。就在昨天，三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。內(nèi)存三巨頭在DDR5、GDDR6的技術(shù)積累已經(jīng)基本完成，產(chǎn)業(yè)布局也更為成熟。

相較而言，國產(chǎn)19納米和17納米級DRAM制程工藝還有一定差距，DRAM芯片在功耗、良率、速度、納米制程工藝小型化方面有待提高。三星稱，第二代10納米級工藝產(chǎn)能進(jìn)一步提升，達(dá)到30%；第二代8Gb DDR4芯片的產(chǎn)能比第一代提高30%，而且，第二代10納米級芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

在可以預(yù)期的2-3年內(nèi)，由于制程與產(chǎn)能的雙重落后，國產(chǎn)內(nèi)存在短期內(nèi)很難對國際DRAM市場格局造成影響。但從長期來說，國產(chǎn)存儲芯片的大規(guī)模投產(chǎn)一定會對市場格局造成沖擊。

從知識產(chǎn)權(quán)角度來看，未來國產(chǎn)內(nèi)存發(fā)展壯大，須自主創(chuàng)新，獲取產(chǎn)業(yè)專利權(quán)，這樣打入國際市場才有話語權(quán)，如果一味地靠獲取外資專利授權(quán)，從長遠(yuǎn)利益角度考慮，是不可取的。如LED、新能源等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，上游核心技術(shù)很大一部分都是花錢買技術(shù)。

結(jié)語：中國作為集成電路消費(fèi)和生產(chǎn)大國，國產(chǎn)DRAM芯片投產(chǎn)在一定時間內(nèi)可提高市占率，但短期還無法撼動韓日巨頭市場地位，8Gb LPDDR4 DRAM芯片的推出可以有效擺脫對海外的依賴。同時，通過美光被調(diào)查事件，可以說明國家對國產(chǎn)芯片非常重視。