三星開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存，了解其性價(jià)比

面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過(guò)90層。

第五代V-NAND作為3D NAND閃存的一種，相比于現(xiàn)在主力量產(chǎn)的第四代V-NAND，有全面的提升。堆棧數(shù)提升到了90層，首發(fā)支持Toggle DDR 4.0接口，傳輸速度提高40%達(dá)到1.4Gbps。

在工作電壓從1.8V降低到了1.2V的同時(shí)，第五代V-NAND的寫入速度將是目前最快的，只有500us，讀取速度也提升到了50us。

此外，新一代的V-NAND閃存在制造工業(yè)也有的提升，制造效率將提升30%，而且還降低了每個(gè)閃存單元的高度，減少單元之間的竄擾，提高數(shù)據(jù)處理效率。

從官方消息看，新一代V-NAND閃存后續(xù)準(zhǔn)備推出QLC類型的顆粒。需要注意的是雖然容量變大，但是比起如臺(tái)電NP800所使用的TLC顆粒，QLC顆粒的壽命將會(huì)有相當(dāng)程度上的減少，如果沒(méi)有主控算法支持，掉速情況會(huì)比較嚴(yán)重。

總的來(lái)說(shuō)，新一代的V-NAND顆粒速度更快，功耗更低，產(chǎn)量更大，價(jià)格更低，性能更強(qiáng)。但是現(xiàn)階段的TLC類型閃存，以及后續(xù)的1TB版本和QLC類型的閃存很大程度也并不會(huì)馬上進(jìn)入消費(fèi)者市場(chǎng)，但是肯定會(huì)推動(dòng)消費(fèi)級(jí)SSD的低廉化進(jìn)程。

考慮到目前消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)在性價(jià)比道路上越走越遠(yuǎn)，QLC顆粒已經(jīng)在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)門口躍躍欲試，趁現(xiàn)在囤點(diǎn)SSD貌似有其必要性，臺(tái)電NP800消費(fèi)級(jí)性價(jià)比之選可以了解一下喔~