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SYSCLK時鐘源三個來源:HSI RC、HSE OSC、PLL

lPCU_elecfans ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-16 10:11 ? 次閱讀

1、 SYSCLK時鐘源有三個來源:HSI RC、HSE OSC、PLL

2、 MCO[2:0]可以提供4源不同的時鐘同步信號,PA8

3、 GPIO口貌似有兩個反向串聯(lián)的二極管用作鉗位二極管。

4、 ICode總線,DCode總線、系統(tǒng)總線、DMA總線、總線矩陣、AHB/APB橋

5、在使用一個外設(shè)之前,必須設(shè)置寄存器RCC_AHBENR來打開該外設(shè)的時鐘

6、 STM32復(fù)位有三種:系統(tǒng)復(fù)位、上電復(fù)位、備份區(qū)域復(fù)位。其中系統(tǒng)復(fù)位除了RCC_CSR中的復(fù)位標志和BKP中的數(shù)值不復(fù)位之外,其他的所有寄存器全部復(fù)位。

觸發(fā)方式例如外部復(fù)位、看門狗復(fù)位、軟件復(fù)位等;電源復(fù)位由于外部電源的上電/掉電復(fù)位或者待機模式返回。

復(fù)位除了BKP中的寄存器值不動,其他全部復(fù)位;備份區(qū)域復(fù)位的觸發(fā)源為軟件復(fù)位或者VDD和VBAT全部掉電時。

7、 (NestedVectored Interrupt Controller)NVIC嵌套向量中斷控制器,分為兩種:搶先式優(yōu)先級(可嵌套)和中斷優(yōu)先級(副優(yōu)先級,不能嵌套)。

兩種優(yōu)先級由4位二進制位決定。分配下來有十六種情況:

8、自動裝載寄存器和影子寄存器:前者相當于51當中的溢出設(shè)定數(shù)值。而影子寄存器顧名思義是影子,就是寄存器的另一分copy。

實際起作用的是影子寄存器,而程序員操縱的則是自動裝載寄存器。如果APPE位使能,表明自動裝載寄存器的值在下一次更新事件發(fā)生后才寫入新值。

否則,寫入自動裝載寄存器的值會被立即更新到影子寄存器。

9、

10、ARM公司只生產(chǎn)內(nèi)核標準,不生產(chǎn)芯片。ST、TI這樣的公司從ARM公司那里購買內(nèi)核,然后外加自己的總線結(jié)構(gòu)、外設(shè)、存儲器、始終和復(fù)位、I/O后就組成了自己的芯片。

11、電容觸摸屏原理:通過充放電的曲線不同來檢測是否被按下。 實際的實驗過程中,TPAD可以用一塊覆銅區(qū)域來替代,通過電容的充放電常數(shù)來確定是否按下。

12、OLED,即有機發(fā)光二極管,又稱為有機電激光顯示。下圖為OLED的GRAM與屏幕的對應(yīng)表

PAGE2單獨列出來:

13、USART可以操縱SPI設(shè)備。不過最大頻率只有4.5MHz

14、使用I/O口時應(yīng)該注意的問題

15、ADCVref+和Vdda與VSS,Vref-一定要加高質(zhì)量的濾波電容,切靠近單片機

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:STM32大神筆記,超詳細單片機學(xué)習(xí)匯總資料(干貨分享)

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